elm53402ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM53402CA-S
■概要
■特長
ELM53402CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=3.6A
・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
20
V
ゲート - ソース電圧
Vgs
±12
3.6
2.0
V
10
1.25
0.80
A
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流 (Tj=150℃ )
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
W
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
120
℃/W
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
SOURCE
3
DRAIN
�
�
5-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53402CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
20
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
Ta=85℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on)
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
Coss
Crss
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Qg
Qgs
Qgd
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
0.3
Vgs=4.5V, Vds=5V
6
Vgs=2.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=2.4A
4
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=2.0A
Vgs=1.8V, Id=1.8A
Gfs Vds=5V, Id=3.6A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Is=1.6A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=3.6A
td(on)
Vgs=4.5V, Vds=10V
tr
RL=2.8Ω, Id=3.6A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
5-2
V
1
10
μA
±100
nA
0.8
V
A
56
70
66
86
10
80
100
0.85
1.20
1.6
mΩ
S
V
A
340
pF
115
33
pF
pF
4.2
0.6
0.4
5.0
nC
nC
nC
8
8
25
15
15
40
ns
ns
ns
8
15
ns
AFN3414A
Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
Technology
ELM53402CA-S
Typical Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B July 2010
www.alfa-mos.com
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20V N-Channel
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20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
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Typical■テスト回路と波形
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