elm16400ea

シングル N チャンネル MOSFET
ELM16400EA-S
■概要
■特長
ELM16400EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=6.9A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 33mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
30
±12
6.9
V
V
5.8
35
2.00
1.44
- 55 ～ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t ≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
47.5
Max.
62.5
単位
℃/W
74.0
37.0
110.0
50.0
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
端子番号
端子記号
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4 -1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM16400EA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.7
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
35
Vgs=10V, Id=6.9A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=6A
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=5A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=5.8A
10
1.1
1
5
μA
100
nA
1.4
V
A
22.3
31.5
28.0
39.0
26.8
42.8
15
33.0
52.0
0.71
1.00
3
V
A
823
1030
pF
3.6
pF
pF
Ω
99
77
1.2
mΩ
S
9.60 12.00 nC
1.65
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
3.00
5.5
5.1
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
37.0
4.2
16
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
8.9
20
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また
アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づ
いています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA
のグラフはパルス定格を規定しています。
4 -2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM16400EA-S
■標準特性と熱特性曲線
25
20
10V
3V
Vds=5V
16
4.5V
2.5V
15
Id(A)
Id (A)
20
10
8
125°C
Vgs=2V
5
12
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region characteristics
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
50
Rds(on) (m� )
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=2.5V
40
30
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
10
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
5
10
15
20
0
25
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
70
1.0E+01
60
1.0E+00
1.0E-01
50
Is (A)
125°C
40
30
125
150
175
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
20
100
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
Id=5A
Rds(on) (m� )
25°C
4
1.0E-05
1.0E-06
10
0
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4 -3
1.2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM16400EA-S
5
1400
Vds=15V
Id=6.9A
4
1200
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
1000
3
2
1
600
400
Coss
Crss
200
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
0
12
0
Rds(on)
10.0 limited
1ms
1.0
10ms
10s
DC
1
10
100
20
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
0.1
10
25
Vds 15
(Volts) 20
Figure 8: Capacitance Characteristics
10
1s
0.1
10
30
100�s
0.1s
5
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Power (W)
0
Id (Amps)
Ciss
800
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4 -4
100
1000