elm16408ea

シングル N チャンネル MOSFET
ELM16408EA-S
■概要
■特長
ELM16408EA-S は 低 ゲ ー ト 入 力 電 荷、 1.8V の
・ Vds=20V
低いゲート電圧、 及び低いオン抵抗という特性を備え
・ Id=8.8A (Vgs=10V)
た大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって
ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 25mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=1.8V)
・ ESD Rating : 2000V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
V
A
1
40
2.00
1.28
A
2
Id
Idm
最大許容損失
±12
8.8
7.0
Pd
Tj, Tstg
W
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t ≦10s
定常状態
Rθja
47.5
74.0
62.5
110.0
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
37.0
40.0
℃/W
3
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
■回路
端子番号
1
2
端子記号
DRAIN
DRAIN
3
4
5
GATE
SOURCE
DRAIN
6
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM16408EA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート - ソース降伏電圧
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ta=55℃
Igss Vds=0V, Vgs=±10V
BVgso Vds=0V, Ig=±250μA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Ta=125℃
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=8A
Vgs=2.5V, Id=6A
Vgs=1.8V, Id=4A
Gfs Vds=5V, Id=8.8A
Vsd Is=1A
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
20
V
10
25
±10
Vds=16V, Vgs=0V
Vgs=10V, Id=8.8A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=8.8A
Vgs=10V, Vds=10V
RL=1.1Ω, Rgen=3Ω
If=8.8A, dlf/dt=100A/μs
If=8.8A, dlf/dt=100A/μs
±12
0.50
40
μA
μA
V
V
A
0.75
1.00
14.4
18.5
16.0
20.5
25.6
33
0.72
18.0
23.0
20.0 mΩ
25.0
32.0
S
1.00
V
3
A
1810 2200
232
200
1.6
2.2
pF
pF
pF
Ω
17.9
1.5
4.7
3.3
5.9
44.0
7.7
22.0
9.8
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
22.0
27.0
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また
アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づ
いています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA
のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM16408EA-S
■標準特性と熱特性曲線
40
10V
20
4.5V
2V
2.5V
Id(A)
Id (A)
Vds=5V
16
30
20
12
125°C
8
10
4
Vgs=1.5V
0
0
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
0
5
40
0.5
1
1.5
2
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
2.5
1.6
Vgs=2.5V,6A
30
Normalized On-Resistance
Vgs=1.8V
Rds(on) (m� )
25°C
Vgs=4.5V
20
0
0
5
10
15
Vgs=1.8V, 4A
1.2
Vgs=10V
10
Vgs=4.5V, 8A
1.4
Vgs=2.5V
Vgs=10V, 8.8A
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
40
1.0E+00
Id=6A
125°C
1.0E-01
125°C
Is (A)
Rds(on) (m� )
30
20
1.0E-02
25°C
25°C
1.0E-03
10
1.0E-04
0
0
2
4
6
8
1.0E-05
10
0.0
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
1.2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM16408EA-S
5
2800
Vds=10V
Id=8.8A
2400
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
2000
1200
Coss
800
1
Crss
400
0
0
0
4
8
12
16
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
20
100.0
Rds(on)
limited
100�s
10ms
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
0
0.001
1
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
DC
10
20
10s
0.1
0.1
10
15
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
1ms
Power (W)
10.0
5
40
10�s
Id (Amps)
Ciss
1600
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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