シングル N チャンネル MOSFET ELM16408EA-S ■概要 ■特長 ELM16408EA-S は 低 ゲ ー ト 入 力 電 荷、 1.8V の ・ Vds=20V 低いゲート電圧、 及び低いオン抵抗という特性を備え ・ Id=8.8A (Vgs=10V) た大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 25mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=1.8V) ・ ESD Rating : 2000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 20 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 V A 1 40 2.00 1.28 A 2 Id Idm 最大許容損失 ±12 8.8 7.0 Pd Tj, Tstg W - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 備考 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 t ≦10s 定常状態 Rθja 47.5 74.0 62.5 110.0 ℃/W ℃/W 1 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl 37.0 40.0 ℃/W 3 ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) ■回路 端子番号 1 2 端子記号 DRAIN DRAIN 3 4 5 GATE SOURCE DRAIN 6 DRAIN 4-1 � � � シングル N チャンネル MOSFET ELM16408EA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 ゲート - ソース降伏電圧 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 記号 条件 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ta=55℃ Igss Vds=0V, Vgs=±10V BVgso Vds=0V, Ig=±250μA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Ta=125℃ Rds(on) Vgs=4.5V, Id=8A Vgs=2.5V, Id=6A Vgs=1.8V, Id=4A Gfs Vds=5V, Id=8.8A Vsd Is=1A Is Ciss Coss Crss Rg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr 20 V 10 25 ±10 Vds=16V, Vgs=0V Vgs=10V, Id=8.8A ドレイン - ソースオン状態抵抗 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=8.8A Vgs=10V, Vds=10V RL=1.1Ω, Rgen=3Ω If=8.8A, dlf/dt=100A/μs If=8.8A, dlf/dt=100A/μs ±12 0.50 40 μA μA V V A 0.75 1.00 14.4 18.5 16.0 20.5 25.6 33 0.72 18.0 23.0 20.0 mΩ 25.0 32.0 S 1.00 V 3 A 1810 2200 232 200 1.6 2.2 pF pF pF Ω 17.9 1.5 4.7 3.3 5.9 44.0 7.7 22.0 9.8 nC nC nC ns ns ns ns ns nC 22.0 27.0 備考 : 1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づ いています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM16408EA-S ■標準特性と熱特性曲線 40 10V 20 4.5V 2V 2.5V Id(A) Id (A) Vds=5V 16 30 20 12 125°C 8 10 4 Vgs=1.5V 0 0 0 1 2 3 4 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 0 5 40 0.5 1 1.5 2 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 2.5 1.6 Vgs=2.5V,6A 30 Normalized On-Resistance Vgs=1.8V Rds(on) (m� ) 25°C Vgs=4.5V 20 0 0 5 10 15 Vgs=1.8V, 4A 1.2 Vgs=10V 10 Vgs=4.5V, 8A 1.4 Vgs=2.5V Vgs=10V, 8.8A 1 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 40 1.0E+00 Id=6A 125°C 1.0E-01 125°C Is (A) Rds(on) (m� ) 30 20 1.0E-02 25°C 25°C 1.0E-03 10 1.0E-04 0 0 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 1.2 シングル N チャンネル MOSFET ELM16408EA-S 5 2800 Vds=10V Id=8.8A 2400 Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 2000 1200 Coss 800 1 Crss 400 0 0 0 4 8 12 16 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 0 20 100.0 Rds(on) limited 100�s 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 0 0.001 1 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 DC 10 20 10s 0.1 0.1 10 15 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 30 1ms Power (W) 10.0 5 40 10�s Id (Amps) Ciss 1600 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000