elm26400ea

シングル N チャンネル MOSFET
ELM26400EA-S
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■概要
■特長
ELM26400EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=6.5A
・ Rds(on) � 24mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) � 34mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流 1
シングル パルス アバランシェ エネルギー
シングル パルス アバランシェ 電流 2
最大許容損失
2
Tc=25℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
30
V
±20
V
6.5
A
Idm
4.1
26
Eas
Ias
Pd
32
8
1.56
mJ
A
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
A
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Typ.
Max.
単位
Rθja
-
80
℃/W
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
■回路
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
4
5
GATE
DRAIN
SOURCE
6
DRAIN
�
�
�
Rev.1.0
4 -1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM26400EA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
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特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss
Id=250μA, Vgs=0V
30
△ BVdss
25℃ , Id=1mA に参考
△ Tj
BVdss 温度係数
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
順方向相互コンダクタンス
3
Rds(on)
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
パルスソース電流 3
動的特性
Ism
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
0.04
Vds=30V, Vgs=0V Ta=25℃
Vds=24V, Vgs=0V Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th)
Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs(th) 温度係数
△ Vgs(th)
ドレイン - ソースオン状態抵抗 3
V
Vgs=10V, Id=6A
Vgs=4.5V, Id=4A
Vds=10V, Id=4A
1
10
1.2
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
μA
±100 nA
1.6 2.5
V
-4
mV/℃
19
25
6.5
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
V/℃
24
34
mΩ
S
1
6.5
V
A
26.0
A
345
500
pF
55
32
3.2
80
45
6.4
pF
pF
Ω
4.1
1.0
2.1
8.0
2.0
4.0
nC
nC
nC
スイッチング特性
総ゲート電荷 3, 4
ゲート - ソース電荷 3, 4
ゲート - ドレイン電荷 3, 4
Qg
Qgs
Qgd
ターン ・ オン遅延時間 3, 4
ターン ・ オン立ち上がり時間 3, 4
ターン ・ オフ遅延時間 3, 4
td(on)
tr
td(off)
ターン ・ オフ立ち下がり時間 3, 4
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
tf
trr
Qrr
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=6A
Vgs=10V, Vds=15V
Id=1A, Rgen=6Ω
2.8 5.0
7.2 14.0
15.8 30.0
4.6
Vgs=0V, Is=1A
di/dt=100A/μs, Tj=25℃
9.0
ns
ns
ns
ns
ns
nC
備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています。
2. Vdd=25V, Vgs=10V, L=1mH, Ias=8A, Rg=25Ω, 立ち上がり Tj=25℃。
3. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%。
4. 動作温度は独立しています。
Rev.1.0
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シングル N チャンネル MOSFET
ELM26400EA-S
PM3312Q
Normalized On Resistance (m)
ID , Continuous Drain Current (A)
■標準特性と熱特性曲線
30V
N-Channel MOSFETs
TJ , Junction Temperature (℃)
TC , Case Temperature (℃)
Continuous Drain Current vs. TC
Fig.2
TJ , Junction Temperature (℃)
Fig.5
Qg , Gate Charge (nC)
Normalized Vth vs. TJ
Fig.4
Gate Charge Waveform
ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RΘJA)
Fig.3
Normalized RDSON vs. TJ
VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
Fig.1
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Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Transient Response
Fig.6
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Maximum Safe Operation Area
Ver.1.00
Rev.1.0
Powermate Electronics Corp.
4 -3 3
シングル N チャンネル MOSFET
ELM26400EA-S
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30V N-Channel MOSFETs
VDS
EAS=
90%
Td(on)
Tr
Ton
Fig.7
Td(off)
BVDSS
BVDSS-VDD
BVDSS
VDD
IAS
10%
VGS
1
L x IAS2 x
2
Tf
Toff
Switching Time Waveform
VGS
Fig.8
EAS Waveform
Ver.1.00
Rev.1.0
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