elm36402ea

シングル N チャンネル MOSFET
ELM36402EA-S
■概要
■特長
ELM36402EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=6.5A
・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
±12
V
6.5
A
4.5
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=100℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
20
1.6
A
3
W
1.2
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
定常状態
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
Max.
30
単位
℃/W
78
℃/W
備考
■回路
端子番号
1
端子記号
DRAIN
2
3
4
DRAIN
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM36402EA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
Vds=16V, Vgs=0V, Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=6.5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=2.5V, Id=5A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=5V, Id=6.5A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
20
V
1
10
μA
±100 nA
0.45 0.75 1.20
10
20
24
25
7.2
If=Is, Vgs=0V
Is
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
1.3
A
35
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
1125
290
145
pF
pF
pF
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
10.5 16.0
1.5
nC
nC
2
2
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
nC
2
Vgs=4.5V, Vds=5V, Id=6.5A
2.2
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
td(on)
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=1A
9
13
18
24
ns
ns
2
2
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
td(off) Rgen=6Ω
tf
26
11
42
20
ns
ns
2
2
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
P2402CAG
シングル
N Level
チャンネル
MOSFET
N-Channel
Logic
Enhancement
Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
TSOP-6
Lead-Free
ELM36402EA-S
■標準特性と熱特性曲線
2.5V
2.0V
3.0V
16
12
DS(ON)
ID, Drain current(A)
VGS= 4.5V
R , Normalized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
20
8
1.5V
4
0
0
0.4
1.2
0.8
1.6
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2.5
2
VGS= 2.0V
1.5
2.5V
3.0V
4.5V
1
0.5
2
0
VDS, Drain to Source Voltage(V)
5
10
15
20
ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
1.5
ID= 6.5A
VGS= 4.5V
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0.08
RDS(ON), On-resistance(OHM)
RDS(ON), Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with Temperature.
0
25
50
75
100
125
ID=6.5A
0.06
0.04
TA= 125°C
TA= 25°C
0.02
0
150
TJ, Junction Temperature(°C)
1
TA= -55°C
125°C
25°C
15
10
5
0
0.5
1
1.5
4
5
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
Is, Reverse Drain Current (A)
ID, Drain Current(A)
VDS= 5V
3
VGS, Gate to Source Voltage(V)
Transfer Characteristics.
20
2
2
VGS, Gate to Source Voltage(V)
100
10
TJ= 125°C 25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
2.5
VGS= 0V
3
4-3
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
NOV-01-2005
Capacitance Characteristics
1800
5
VGS, Gate-Source Voltage(V)
TSOP-6
Lead-Free
ELM36402EA-S
Gate-Charge Characteristics
ID = 6.5A
VDS= 5V
f =1MHz
VGS=0 V
1500
Capacitance(pF)
4
10V
3
2
1
1200
Ciss
900
600
Coss
Crss
300
0
0
4
2
6
8
10
12
14
0
Qg, Gate Charge (nC)
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage(V)
Maxmum Safe Operating Area.
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
100
5
100� s
RDS(ON) LIMIT
10
SINGLE PULSE
VGS= 10V
R¿ JA=156° C/W
TA=25° C
4
1ms
Power(W)
ID,Drain Current(A)
P2402CAG
N-Channel
Logic
Enhancement
Mode
シングル
N Level
チャンネル
MOSFET
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
10ms
1
1s
DC
100ms
VGS =4.5V
SINGLE PULSE
R� JA=156°C/W
TA=25°C
0.1
0.01
0.1
3
2
1
10
1
100
0
0.1
1
10
100
1000
Single Pulse Time(SEC)
VGS,Drain-Source Voltage(V)
0.5
0.2
D=0.5
R¿
R¿
0.2
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transient Thermal Response Curve.
1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.01
0.0001
��
t1
t2
0.02
0.01
(t) = r(t) * R¿
JA=156°C/W
JA
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 Time(Sec)
4
4-4
NOV-01-2005
300
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