elm5j400ra

シングル N チャンネル MOSFET
ELM5J400RA-S
■概要
■特長
ELM5J400RA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=5.6A
・ Rds(on) = 72mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) = 95mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Id
5.6
3.6
A
Idm
10
A
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
30
V
±20
V
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
1.45
0.60
- 55 to 150
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
120
■回路
D
SOT-89(TOP VIEW)
�
�
単位
℃/W
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
5-1
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM5J400RA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
V
Vds=30V, Vgs=0V
1
Vds=30V, Vgs=0V, Ta=85℃
30
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=4.5V
Vgs=10V, Id=5.6A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=3.6A
Gfs Vds=15V, Id=4.8A
Vsd
30
Is=2.7A, Vgs=0V
1.0
6
0.8
1.2
V
1.6
A
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
2.00
0.80
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
5-2
V
A
95
230
50
20
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
2.5
85
11
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
td(on)
Vgs=4.5V, Vds=15V
tr
RL=5.6Ω, Id=3.2A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
nA
72
入力容量
出力容量
帰還容量
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
±100
62
Is
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=3.2A
μA
mΩ
S
pF
pF
pF
3.60
0.65
nC
nC
nC
10
45
12
60
ns
ns
12
20
18
30
ns
ns
AFN8904
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
ELM5J400RA-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev. B Dec. 2010
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
シングル N チャンネルEnhancement
MOSFET Mode MOSFET
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Typical Characteristics
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30V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
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シングル N チャンネル MOSFET
ELM5J400RA-S
Typical■テスト回路と波形
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