elm5e400pa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM5E400PA-S
■概要
■特長
ELM5E400PA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=0.7A
・ Rds(on) = 360mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) = 420mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) = 560mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vdss
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Id
0.7
0.4
A
Idm
1.0
A
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
20
V
±12
V
Pd
Tj, Tstg
■端子配列図
0.27
0.16
- 55 to 150
℃
■回路
D
SOT-523(TOP VIEW)
�
�
W
�
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
G
S
5-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM5E400PA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
20
V
Vds=20V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=85℃
5
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=0.6A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.5A
Vgs=1.8V, Id=0.4A
0.4
0.7
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=0.15A, Vgs=0V
0.65
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
ゲート - ソース電荷
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=0.6A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
RL=20Ω, Id=0.5A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=4.5V, Vds=10V
5-2
V
A
420
560
1
Qg
1.0
300
420
Vds=10V, Id=0.4A
Crss
nA
360
Gfs
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
±100
240
順方向相互コンダクタンス
μA
mΩ
S
1.20
0.3
V
A
70
20
pF
pF
8
pF
1.06
1.38
nC
0.18
nC
0.32
18
26
nC
ns
20
70
25
28
110
40
ns
ns
ns
AFN1012
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル N チャンネル Enhancement
MOSFET
ELM5E400PA-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
www.alfa-mos.com
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AFN1012
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
シングル N チャンネルEnhancement
MOSFET Mode MOSFET
ELM5E400PA-S
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
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Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
シングル N チャンネル MOSFET
ELM5E400PA-S
Typical■テスト回路と波形
Characteristics
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