シングル N チャンネル MOSFET ELM2H400SA-S ■概要 ■特長 ELM2H400SA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=0.8A パッケージは、 ＳＯＴ - ７２３を採用しています。 ・ Rds(on) < 300mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 450mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 700mΩ (Vgs=1.8V) ■用途 ・ Rds(on) < 1200mΩ (Vgs=1.5V) ・ ノートブックコンピューター ・ ロード ・ スイッチ回路 ・ バッテリー保護回路 ・ 携帯端末機器 ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds 20 V Vgs ±8 800 V Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Tc=25℃ mA Idm 510 3.2 Pd Tj, Tstg 450 -55 ～ 150 A 1 mW ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 280 備考 ■回路 � SOT-723(TOP VIEW) � � 単位 ℃/W � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM2H400SA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 記号 条件 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 20 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=25℃ Idss Vds=16V, Vgs=0V, Ta=125℃ Igss ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 最大寄生ダイオード連続電流 Is 0.3 0.7 1.0 300 450 Vgs=1.8V, Id=0.2A Vgs=1.5V, Id=0.1A 500 700 800 1200 Vgs=Vds=0V Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss Is=0.2A, Vgs=0V Vgs=4.5V, Vds=10V Id=0.5A ターン ・ オン遅延時間 td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vds=10V, Vgs=4.5V td(off) Id=0.5A, Rgen=10Ω tf 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 2. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 3. 動作温度は独立しています 4-2 V mΩ 0.8 A 1.6 1 A V 38.2 75.0 14.4 28.0 6.0 12.0 pF pF pF 1.00 2.00 nC 2, 3 0.26 0.50 nC 0.20 0.40 nC 2, 3 2, 3 5.0 備考 : μA ±20 μA Vgs=2.5V, Id=0.4A 入力容量 出力容量 帰還容量 Qgs Qgd 10 200 300 Ism Vsd ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 1 Vgs=4.5V, Id=0.5A ダイオード パルス電流 ダイオード順方向電圧 動的特性 Qg V Vds=0V, Vgs=±8V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA スイッチング特性 総ゲート電荷 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 10.0 ns 2, 3 3.5 7.0 14.0 28.0 6.0 12.0 ns ns ns 2, 3 2, 3 2, 3 シングル N チャンネル MOSFET ELM2H400SA-S PM2120EUX Normalized On Resistance (m) -ID , Continuous Drain Current (A) 20V N-Channel MOSFETs ■標準特性と熱特性曲線 TJ , Junction Temperature (℃) TC , Case Temperature (℃) Fig.2 Continuous Drain Current vs. TC Qg , Gate Charge (nC) TJ , Junction Temperature ((℃) Normalized Vth vs. TJ Fig.4 Fig.5 Gate Charge Waveform -ID , Continuous Drain Current (A) Normalized Thermal Response (RΘJA) Fig.3 Normalized RDSON vs. TJ -VGS , Gate to Source Voltage (V) Normalized Gate Threshold Voltage (V) Fig.1 -V VDS , Drain to Source Voltage (V) Square Wave Pulse Duration (s) Normalized Transient Response Fig.6 Powermate Electronics Corp. Maximum Safe Operation Area Ver.1.00 4-3 3 シングル N チャンネル MOSFET ELM2H400SA-S PM2120EUX 20V N-Channel MOSFETs -VDS 90% 10% -VGS Td(on) Tr Ton Fig.7 Td(off) Tf Toff Switching Time Waveform Fig.8 Powermate Electronics Corp. Gate Charge Waveform Ver.1.00 4 4-4