elm51400fa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM51400FA-S
■概要
■特長
ELM51400FA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=1.0A
・ Rds(on) < 430mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 580mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 860mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
30
V
ゲート - ソース電圧
Vgs
±12
1.0
0.6
V
6
0.35
0.22
A
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流 (Tj=150℃ )
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
W
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
120
単位
℃/W
■回路
�
SC-70(TOP VIEW)
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
�
�
6-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM51400FA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
1
Vds=24V, Vgs=0V, Ta=85℃
5
Vds=0V, Vgs=±12V
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.2A
Vgs=1.8V, Id=0.6A
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=10V, Id=1.0A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=1.0A, Vgs=0V
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
Crss
ゲート - ソース電荷
Qgs
Qg
V
Vds=24V, Vgs=0V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=1.5A
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
30
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=1.2A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
RL=20Ω, Id=1.2A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=4.5V, Vds=15V
6-2
0.5
1.8
±100
nA
1.0
V
A
380
430
500
760
580
860
1
0.65
μA
mΩ
S
1.20
1.0
V
A
85
25
pF
pF
15
pF
1.4
1.8
nC
0.3
nC
0.6
15
25
nC
ns
25
15
10
45
25
20
ns
ns
ns
AFN1306
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル N チャンネル Enhancement
MOSFET
ELM51400FA-S
■標準特性と熱特性曲線
Typical
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A July 2011
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30V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
Technology
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30V N-Channel
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Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
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Characteristics
■テスト回路と波形
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