elm17408ga

シングル N チャンネル MOSFET
ELM17408GA-S
■概要
■特長
ELM17408GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=2.2A (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 82mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 95mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 120mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Vgs
±8
V
Id
2.20
1.75
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
Pd
Tj, Tstg
10
0.625
0.400
- 55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
t ≦ 10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
SC-70-6(TOP VIEW)
�
Max.
単位
160
200
℃/W
180
130
220
160
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
■端子配列図
�
Typ.
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
DRAIN
2
DRAIN
3
4
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM17408GA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
20
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
10
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V
Id=2.2A
V
Ta=125℃
Vgs=2.5V, Id=2A
Vgs=1.8V, Id=1A
Vds=5V, Id=1.6A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=2.2A
0.6
1
5
μA
100
nA
0.8
V
A
67
99
82
125
78
96
6.7
95
120
0.69
1.00
0.91
mΩ
S
V
A
499
pF
65
56
3
pF
pF
Ω
6.02
0.41
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
1.35
6.5
8.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=4.5Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=2.2A, dlf/dt=100A/μs
61.0
16.0
23.2
ns
ns
ns
8.6
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=2.2A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また
アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づ
いています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA
のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM17408GA-S
■標準特性と熱特性曲線
16
10
8V
Vds=5V
4.5V
8
25°C
3V
2.5V
8
6
4
4
Vgs=1.5V
2
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
140
1.5
1.8
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1
2
2.5
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
120
Vgs=1.8V
100
Vgs=2.5V
80
Vgs=4.5V
60
Vgs=2.5V
Id=2.0A
Vgs=1.8V
1.6
Id=1.0A
1.4
Vgs=4.5V
Id=2.2A
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
180
1E+00
160
125°C
Id=2.2A
1E-01
140
120
Is (A)
Rds(on) (m� )
125°C
2V
Id(A)
Id (A)
12
125°C
1E-02
25°C
1E-03
100
25°C
80
1E-04
1E-05
60
1
2
3
4
5
6
7
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.4
シングル N チャンネル MOSFET
ELM17408GA-S
1000
5
Vds=10V
Id=2.2A
800
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
Ciss
600
400
1
200
0
0
0
1
2
3
4
5
6
Coss
0
7
15
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
12
Rds(on)
limited
10�s
10ms 1ms
0.1s
1.0
8
4
1s
0.1
0.1
10s
DC
1
10
0
0.001
100
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=360°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
16
100�s
Power (W)
Id (Amps)
10.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000