elm17412ga

シングル N チャンネル MOSFET
ELM17412GA-S
■概要
■特長
ELM17412GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=2.1A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 90mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 160mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Vgs
±12
V
Id
2.1
1.7
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
Pd
Tj, Tstg
10
0.625
0.400
- 55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
t ≦ 10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
SC-70-6(TOP VIEW)
�
Max.
単位
175
200
℃/W
200
130
250
160
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
■端子配列図
�
Typ.
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
DRAIN
2
DRAIN
3
4
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM17412GA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
10
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
100
nA
1.8
V
A
Vgs=4.5V, Id=1.3A
Vgs=2.5V, Id=1A
Vds=5V, Id=2.1A
78
130
8.5
100
160
Is=1A, Vgs=0V
0.8
1.0
2.5
V
A
226
270
pF
1.7
pF
pF
Ω
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=2.1A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=7.1Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=2.1A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
μA
90
130
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
1.5
1
5
69
108
Vgs=10V, Id=2.1A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
If=2.1A, dlf/dt=100A/μs
39
29
1.4
3.0
0.4
mΩ
S
3.6
nC
nC
1.2
2.8
2.1
4.0
3.0
nC
ns
ns
17.4
2.1
9.1
21.0
3.0
11.0
ns
ns
ns
3.4
4.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また
アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づ
いています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA
のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM17412GA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
15
10V
3.5V
4V
6V
8
3V
6
9
Id(A)
Id (A)
12
6
4
Vgs=2.5V
125°C
25°C
2
3
0
0
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
3.5
160
Rds(on) (m� )
Normalized On-Resistance
1.8
140
Vgs=2.5V
120
Vgs=4.5V
100
80
Vgs=10V
60
0
1
2
3
4
5
Vgs=4.5V
1.6
1.4
Vgs=10V
Id=2.1A
1.2
Vgs=2.5V
Id=1A
1
0.8
6
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
180
160
1.0E+00
Id=2.1A
140
1.0E-01
125°C
Is (A)
Rds(on) (m� )
Id=1.3A
120
125°C
1.0E-02
100
25°C
1.0E-03
25°C
80
1.0E-04
60
1
2
3
4
5
6
7
8
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
1.2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM17412GA-S
400
5
300
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
350
=10V
Vds=15V
ID=2.2A
Id=2.1A
4
3
2
Ciss
250
200
150
100
1
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
3.5
0
100.0
Power (W)
Id (Amps)
1ms
Rds(on)
limited
10ms
100m
1.0
10s
12
8
4
1s
DC
1
10
0
0.1
100
Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=250°C/W
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
16
10.0
0.1
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0.1
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P
Pd
0.01
0.001
0.00001
T
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000