シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0850A ■概要 ■特長 ELM3C0850A は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON ・ Vds=500V 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=8A ・ Rds(on) < 0.85Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds Vgs Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー 最大許容損失 L=10mH Tc=25℃ Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 500 ±30 8 V V 5 A 4 Idm Ias 34 6.8 A A 3, 4 5 Eas 232 43 17 mJ 5 -55 to 150 ℃ Pd Tj, Tstg W ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 2.9 単位 ℃/W 62.5 ℃/W ■回路 D TO-220F(TOP VIEW) 1 2 備考 3 端子番号 端子記号 1 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 4-1 G S シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0850A ■電気的特性 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Vds=500V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±30V Vsd Is パルス電流 Ism 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Vgs=10V, Vds=250V Id=4.8A ターン ・ オン遅延時間 td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 tr Vds=250V, Id=4.8A td(off) Rgen=25Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 tf trr Qrr 250 If=4.8A, dIf/dt=100A/μs Vgs=0V 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. 最大容許温度に限られる 5. Vdd=60V時,スタート Tj=25℃ 4-2 μA ±100 nA 2.5 4.5 0.65 0.85 7 If=4A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=25V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd 25 Ta=100℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Rds(on) Vgs=10V, Id=4A Gfs Vds=20V, Id=4A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 V Ta=25℃ ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス 500 V Ω S 1 1 1.7 8 V A 1 3 34 A 3 1250 pF 138 14 pF pF 21.6 7.2 6.6 nC nC nC 2 2 2 23 ns 2 71 112 ns ns 2 2 69 360 0.8 ns ns μC 2 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0850A 4-3 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0850A 4-4