elm3c0850a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM3C0850A
■概要
■特長
ELM3C0850A は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON
・ Vds=500V
抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=8A
・ Rds(on) < 0.85Ω (Vgs=10V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
最大許容損失
L=10mH
Tc=25℃
Tc=100℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
500
±30
8
V
V
5
A
4
Idm
Ias
34
6.8
A
A
3, 4
5
Eas
232
43
17
mJ
5
-55 to 150
℃
Pd
Tj, Tstg
W
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
2.9
単位
℃/W
62.5
℃/W
■回路
D
TO-220F(TOP VIEW)
1
2
備考
3
端子番号
端子記号
1
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4-1
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM3C0850A
■電気的特性
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
記号
条件
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=500V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±30V
Vsd
Is
パルス電流
Ism
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Vgs=10V, Vds=250V
Id=4.8A
ターン ・ オン遅延時間
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
tr
Vds=250V, Id=4.8A
td(off) Rgen=25Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
tf
trr
Qrr
250
If=4.8A, dIf/dt=100A/μs
Vgs=0V
備考 :
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. 最大容許温度に限られる
5. Vdd=60V時,スタート Tj=25℃
4-2
μA
±100 nA
2.5
4.5
0.65 0.85
7
If=4A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=25V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
25
Ta=100℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on) Vgs=10V, Id=4A
Gfs Vds=20V, Id=4A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
V
Ta=25℃
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
500
V
Ω
S
1
1
1.7
8
V
A
1
3
34
A
3
1250
pF
138
14
pF
pF
21.6
7.2
6.6
nC
nC
nC
2
2
2
23
ns
2
71
112
ns
ns
2
2
69
360
0.8
ns
ns
μC
2




シングル
N チャンネル MOSFET 
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ELM3C0850A
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
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4-3
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シングル N チャンネル MOSFET
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ELM3C0850A
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

4-4



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