elm32d548a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32D548A-S
■概要
■特長
ELM32D548A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=85A
・ Rds(on) < 4.6mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 7.2mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Id
Idm
Ias
Eas
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=100℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
±20
85
54
V
A
4
170
38
72
A
A
mJ
3
59
23
- 55 to 150
Pd
Tj, Tstg
W
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
最大接合部 - ケース
Rθjc
2.1
℃/W
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
62.5
℃/W
■端子配列図
備考
■回路
D
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
�
�
�
4-1
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32D548A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
Vsd
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=125℃
10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=20A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=15A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=5V, Id=20A
ダイオード順方向電圧
30
±100 nA
1.50 1.75 2.35 V
3.8 4.6
mΩ
4.5 7.2
70
S
If=20A, Vgs=0V
Is
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
Rg
Qg
ゲート - ソース電荷
Qgs
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=20A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=20A, Rgen=6Ω
tf
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=20A, dIf/dt=100A/μs
1
1
1.3
V
1
85
A
4
2320
346
285
pF
pF
pF
0.9
Ω
54.0
nC
2
7.5
nC
2
17.3
24
nC
ns
2
2
16
63
24
ns
ns
ns
2
2
2
23
ns
10
nC
備考 :
1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. 連続電流は最大許容接合部温度に基づいて計算し、パッケージの制限電流は40Aです。
4-2
μA
シングル N チャンネル MOSFET
NIKO-SEM
PD548BA
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32D548A-S
Field Effect Transistor
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
Transfer Characteristics
40
40
32
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS=3V
VGS=10V
VGS=9V
VGS=8V
VGS=7V
VGS=6V
VGS=5V
VGS=4.5V
VGS=3.5V
24
16
VGS=2.5V
8
0
0
1
2
3
4
5
6
32
24
16
25�
-20�
8
125�
0
0
3
4
5
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
2.0
3000
1.8
2500
C , Capacitance(pF)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
2
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
VGS=10V
ID=20A
0.6
0.4
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
CISS
2000
1500
1000
500
COSS
CRSS
0
150
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
TJ , Junction Temperature(C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Gate charge Characteristics
100
VDS=15V
ID=20A
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
10
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
10
150�
0.1
60
25�
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Qg , Total Gate Charge(nC)
D-06-3
REV 1.0
3
4-3
シングル N チャンネル MOSFET
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
400
1000
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
Single Pulse
R�JC = 2.1 C/W
TC=25C
320
100
Power(W)
ID , Drain Current(A)
PD548BA
ELM32D548A-S
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
1ms
10
0.1
160
10ms
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25C
3.R�JC = 2.1 C/W
4.Single Pulse
1
240
80
100ms
DC
1
10
0
0.001
100
0.01
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
10
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
Notes
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 2.1 �/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
single pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
D-06-3
REV 1.0
4
4-4