elm32d606a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32D606A-S
■概要
■特長
ELM32D606A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=24A
・ Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 27mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Id
Idm
Ias
Eas
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=100℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
±20
24
15
V
60
12.7
8.1
A
A
mJ
A
19.5
7.8
- 55 to 150
Pd
Tj, Tstg
3
W
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
最大接合部 - ケース
Rθjc
6.4
℃/W
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
62.5
℃/W
■端子配列図
備考
■回路
D
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
�
�
�
4-1
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32D606A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
Vsd
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=125℃
10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=7A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=6A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=5V, Id=7A
ダイオード順方向電圧
30
±100 nA
1.30 1.75 2.30 V
13.5 18.0
mΩ
20.0 27.0
33
S
If=7A, Vgs=0V
Is
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
Rg
Qg
ゲート - ソース電荷
Qgs
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=7A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=7A, Rgen=6Ω
tf
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=7A, dIf/dt=100A/μs
備考 :
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4-2
μA
1.1
V
17
A
1
1
1
328
64
42
pF
pF
pF
3
Ω
7.6
nC
2
1.1
nC
2
2.5
19
nC
ns
2
2
18
39
20
ns
ns
ns
2
2
2
8.4
ns
2.2
nC
シングル N チャンネル MOSFET
PD606BA
ELM32D606A-S
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
■標準特性と熱特性曲線
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Output Characteristics
20
Transfer Characteristics
20
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS=3.5V
16
VGS=10V
VGS=9V
VGS=8V
VGS=7V
VGS=6V
VGS=5V
VGS=4.5V
12
8
VGS=3V
4
0
0
2
4
6
8
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.08
0.06
0.04
0.02
ID=7A
2
6
8
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
25℃
-20℃
125℃
4
0
1
2
3
4
5
6
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
On-Resistance VS Drain Current
0.04
0.03
VGS=4.5V
0.02
VGS=10V
0.01
0
10
On-Resistance VS Temperature
2.0
0
3
6
9
12
15
ID , Drain-To-Source Current(A)
Capacitance Characteristic
100
1.8
1.6
C , Capacitance(pF)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
4
8
0.05
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.1
0
12
0
10
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
16
1.4
1.2
1.0
0.8
150℃
1
25℃
VGS=10V
ID=7A
0.6
0.4
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
150
TJ , Junction Temperature(˚C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1.4
E-23-4
REV 1.1
3
4-3
シングル N チャンネル MOSFET
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Gate charge Characteristics
400
350
VDS=15V
ID=7A
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Characteristics
10
PD606BA
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32D606A-S
Field Effect Transistor
6
4
2
CISS
300
250
200
150
100
COSS
50
0
0
2
4
6
8
0
10
Qg , Total Gate Charge(nC)
Safe Operating Area
CRSS
0
5
10
15
20
50
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
↓
10
1ms
10ms
1
DC
1
10
Transient Thermal Resistance
20
10
0
0.001
100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
100
Transient Thermal Response Curve
10
r(t) , Normalized Effective
30
100ms
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚C
3.RθJC = 6.4˚C/W
4.Single Pulse
0.1
Single Pulse
RθJC = 6.4 ˚C/W
TC=25˚C
40
Power(W)
ID , Drain Current(A)
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
100
0.1
25
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
Notes
single pulse
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 6.4℃/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
E-23-4
REV 1.1
4
4-4
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