elm32402la

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32402LA-S
■概要
■特長
ELM32402LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=20A
・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=5V)
・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
Id
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
±16
V
20
A
13
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=100℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
40
26
A
3
W
11
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
記号
定常状態
定常状態
Rθjc
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
4.8
110.0
℃/W
℃/W
備考
■回路
�
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
�
�
�
4-1
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32402LA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
Is
Ism
動的特性
入力容量
出力容量
V
Vds=16V, Vgs=0V
1
10
Vds=13.2V, Vgs=0V, Ta=125℃
Vds=0V, Vgs=±16V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=10V
Vgs=5V, Id=6A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=2.5V, Id=5A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=10V, Id=6A
ダイオード順方向電圧
20
±100 nA
0.45 0.75 1.00
20
37
50
55
13
If=Is, Vgs=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
μA
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.3
V
1
20
40
A
A
3
85
195
125
pF
pF
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
50
pF
Qg
7.5
nC
2
ゲート - ソース電荷
Qgs
0.9
nC
2
4.0
4.5
nC
ns
2
2
49.5
12.0
6.0
ns
ns
ns
2
2
2
Vgs=5V, Vds=10V, Id=10A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=5V, Vds=10V, Id=1A
td(off) RL=1Ω, Rgen=3.3Ω
tf
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
NIKO-SEM
P5002CDG
N-Channel
Logic N
Level
Enhancement
Mode Field
シングル
チャンネル
MOSFET
Effect
Transistor
ELM32402LA-S
TO-252
Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
100
VGS= 0V
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25° C
0.1
-55° C
0.01
0.001
0.0001
4-3
T = 125° C
1
0
0.6
0.2
0.4
0.8
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.0
1.2
NIKO-SEM
N-Channel
Logic Level
Enhancement
Mode Field
シングル
N チャンネル
MOSFET
Effect
Transistor
ELM32402LA-S
4-4
P5002CDG
TO-252
Lead-Free
Similar pages