elm32414la

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32414LA-S
■概要
■特長
ELM32414LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=25V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=35A
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
連続ドレイン電流
Id
±20
35
25
V
A
パルス ・ ドレイン電流
Idm
120
A
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Iar
Eas
15
15.0
A
mJ
Ear
5.6
50
35
mJ
- 55 ~ 150
℃
L=0.133mH
アバランシェエネルギー ( 繰り返し)
最大許容損失
L=0.05mH
Tc=25℃
Tc=100℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
3
4
W
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
熱抵抗(ケース - ヒートシンク )
記号
定常状態
定常状態
Rθjc
Rθja
Rθcs
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
2.5
75.0
℃/W
℃/W
℃/W
0.7
備考
■回路
�
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
�
�
�
4-1
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32414LA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
Vgs=10V, Id=15A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=15A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=15V, Id=30A
ダイオード順方向電圧
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
Is
Ism
動的特性
入力容量
出力容量
If=Is, Vgs=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
ゲート - ソース電荷
Qgs
Qg
Vgs=10V, Vds=12.5V
Id=15A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=15A, Rgen=12.7Ω
tf
25
V
25
250
μA
±250 nA
1.0
35
1.5
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.4
V
1
35
120
A
A
3
530
200
700
275
pF
pF
60
90
pF
8.4
11.0
nC
2
2.5
3.1
nC
2
6.4
6.2
9.6
9.3
nC
ns
2
2
ns
ns
ns
2
2
2
15.5 20.0
14
23.0 31.0
28
1.1
11.0 17.0
23.0 34.0
18.0 27.0
寄生ダイオード逆回復時間
trr
15
18
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
2
3
nC
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
P2003BDG
N-Channel
Level Enhancement
シングル
NLogic
チャンネル
MOSFET
NIKO-SEM
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
Mode Field Effect Transistor
ELM32414LA-S
■標準特性と熱特性曲線
10.0V
50
7.0V
45
3.0
5.0V
6.0V
R DS(ON) ,NORMALIZED
55
4.5V
40
35
30
25
4.0V
20
15
DRAIN - SOURCE ON - RESISTANCE
ID ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A )
ON- RESISTANCE VARIATION WITH DRAIN CURRENT AND GATE VOLTAGE
ON-REGION CHARACTERISTIC
60
3.5V
10
VGS =3.0V
5
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
VDS,DRAIN- SOURCE VOLTAGE ( V )
4.5
0.8
25
50
75 100 125
0
Tj ,JUNCTION TEMPERATURE( °C )
50
150
0
10
20
30
40
I D ,DRAIN CURRENT( A )
50
60
0.05
0.04
0.03
TA = 125°C
0.02
TA = -55°C
25°C
125°C
20
10
3
4
2
VGS,GATE TO SOURCE VOLTAGE
TA = 25°C
2
60
30
1
10V
0.5
0.01
175
40
0
1.0
TRANSFER CHARACTERISTICS
VDS =10V
I D,DRAIN CURRENT( A )
R DS(ON) ,ON-RESISTANCE(OHM)
1.0
I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A )
DS(ON)
R
,NORMALIZED
DRAIN - SOURCE ON - RESISTANCE
1.2
60
6.0V
7.0V
ID = 15A
1.4
-25
5.0V
ON-RESISTANCE VARIATION WITH GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
I D = 15A
0.6
-50
4.5V
1.5
0.06
VGS= 10V
1.6
2.0
0
5.0
ON- RESISTANCE VARIATION WITH TEMPERATURE
1.8
VGS = 4.0V
2.5
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH
SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
10
TA = 125°C
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
3
4-3
10
VGS= 0V
0.0001
5
6
8
4
VGS,GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
0.8
1.0
1.2
0.2
0.4
0.6
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
1.4
DEC-28-2004
シングル N チャンネル MOSFET
GATE CHARGE CHARACTERISTICS
10
I D = 15A
V GS ,GATE - SOURCE VOLTAGE ( V )
P2003BDG
N-Channel Logic Level Enhancement
ELM32414LA-S
Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
10000
15V
CAPACITANCE( pF )
8
VDS = 5V
10V
6
4
1000
Ciss
Coss
100
Crss
2
0
0
4
10
16
8
12
Qg ,GATE CHARGE ( nC )
10
15
25
20
30
VDS ,DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
SINGLEPULSE MAXIMUMPOWERDISSIPATION
2400
f = 1MHZ
VGS= 0V
1
5
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
3
10
SINGLE PULSE
R� = 2 .5°C/W
TC = 25°C
JC
I D,DRAIN CURRENT( A )
POWER( W )
2000
1600
1200
800
10
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R� JC= 2.5 °C/W
Tc = 25 °C
10 -1
10
1000
10m
s
0
1
10
10
VDS,DRAIN - SOURCE VOLTAGE
2
10
D=0.5
0
-1
0.20
0.10
0.05
-2
0.02
0.01
P(pk)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE
10
DC
1
10
TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE
1
10
10
100
10
0µ
S
1m
s
0
10
0.1
1
SINGLE PULSE TIME( SEC)
imit
)L
n
R ds(o
400
0
0.01
35.0µS
2
10
10
t1
-3
t2
1.R� JC (t)=r(t)*R
2.R � JC = 2.5° C/W
3.T j + TC = P * R � JC (t)
t1
4.Duty Cycle,D =
t2
Single pulse
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
-4
10
10
t1 , TIME( ms )
-3
10
-2
10
4
4-4
-1
10
0
DEC-28-2004
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