シングル N チャンネル MOSFET ELM32414LA-S ■概要 ■特長 ELM32414LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=35A ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ゲート - ソース電圧 Vgs Ta=25℃ Ta=100℃ 連続ドレイン電流 Id ±20 35 25 V A パルス ・ ドレイン電流 Idm 120 A アバランシェ電流 アバランシェエネルギー Iar Eas 15 15.0 A mJ Ear 5.6 50 35 mJ - 55 ～ 150 ℃ L=0.133mH アバランシェエネルギー ( 繰り返し） 最大許容損失 L=0.05mH Tc=25℃ Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 3 4 W ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 熱抵抗(ケース - ヒートシンク ) 記号 定常状態 定常状態 Rθjc Rθja Rθcs ■端子配列図 Typ. Max. 単位 2.5 75.0 ℃/W ℃/W ℃/W 0.7 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE � � � 4-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM32414LA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=20V, Vgs=0V Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=10V Vgs=10V, Id=15A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=15A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=15V, Id=30A ダイオード順方向電圧 Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 Is Ism 動的特性 入力容量 出力容量 If=Is, Vgs=0V Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 Crss ゲート - ソース電荷 Qgs Qg Vgs=10V, Vds=12.5V Id=15A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) Id=15A, Rgen=12.7Ω tf 25 V 25 250 μA ±250 nA 1.0 35 1.5 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1.4 V 1 35 120 A A 3 530 200 700 275 pF pF 60 90 pF 8.4 11.0 nC 2 2.5 3.1 nC 2 6.4 6.2 9.6 9.3 nC ns 2 2 ns ns ns 2 2 2 15.5 20.0 14 23.0 31.0 28 1.1 11.0 17.0 23.0 34.0 18.0 27.0 寄生ダイオード逆回復時間 trr 15 18 ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr 2 3 nC 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 P2003BDG N-Channel Level Enhancement シングル NLogic チャンネル MOSFET NIKO-SEM TO-252 (DPAK) Lead-Free Mode Field Effect Transistor ELM32414LA-S ■標準特性と熱特性曲線 10.0V 50 7.0V 45 3.0 5.0V 6.0V R DS(ON) ,NORMALIZED 55 4.5V 40 35 30 25 4.0V 20 15 DRAIN - SOURCE ON - RESISTANCE ID ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A ) ON- RESISTANCE VARIATION WITH DRAIN CURRENT AND GATE VOLTAGE ON-REGION CHARACTERISTIC 60 3.5V 10 VGS =3.0V 5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VDS,DRAIN- SOURCE VOLTAGE ( V ) 4.5 0.8 25 50 75 100 125 0 Tj ,JUNCTION TEMPERATURE( °C ) 50 150 0 10 20 30 40 I D ,DRAIN CURRENT( A ) 50 60 0.05 0.04 0.03 TA = 125°C 0.02 TA = -55°C 25°C 125°C 20 10 3 4 2 VGS,GATE TO SOURCE VOLTAGE TA = 25°C 2 60 30 1 10V 0.5 0.01 175 40 0 1.0 TRANSFER CHARACTERISTICS VDS =10V I D,DRAIN CURRENT( A ) R DS(ON) ,ON-RESISTANCE(OHM) 1.0 I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A ) DS(ON) R ,NORMALIZED DRAIN - SOURCE ON - RESISTANCE 1.2 60 6.0V 7.0V ID = 15A 1.4 -25 5.0V ON-RESISTANCE VARIATION WITH GATE-TO-SOURCE VOLTAGE I D = 15A 0.6 -50 4.5V 1.5 0.06 VGS= 10V 1.6 2.0 0 5.0 ON- RESISTANCE VARIATION WITH TEMPERATURE 1.8 VGS = 4.0V 2.5 BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE 10 TA = 125°C 1 25°C 0.1 -55°C 0.01 0.001 3 4-3 10 VGS= 0V 0.0001 5 6 8 4 VGS,GATE TO SOURCE VOLTAGE 0 0.8 1.0 1.2 0.2 0.4 0.6 VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V ) 1.4 DEC-28-2004 シングル N チャンネル MOSFET GATE CHARGE CHARACTERISTICS 10 I D = 15A V GS ,GATE - SOURCE VOLTAGE ( V ) P2003BDG N-Channel Logic Level Enhancement ELM32414LA-S Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM TO-252 (DPAK) Lead-Free CAPACITANCE CHARACTERISTICS 10000 15V CAPACITANCE( pF ) 8 VDS = 5V 10V 6 4 1000 Ciss Coss 100 Crss 2 0 0 4 10 16 8 12 Qg ,GATE CHARGE ( nC ) 10 15 25 20 30 VDS ,DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V ) SINGLEPULSE MAXIMUMPOWERDISSIPATION 2400 f = 1MHZ VGS= 0V 1 5 MAXIMUM SAFE OPERATING AREA 3 10 SINGLE PULSE R� = 2 .5°C/W TC = 25°C JC I D,DRAIN CURRENT( A ) POWER( W ) 2000 1600 1200 800 10 VGS= 10V SINGLE PULSE R� JC= 2.5 °C/W Tc = 25 °C 10 -1 10 1000 10m s 0 1 10 10 VDS,DRAIN - SOURCE VOLTAGE 2 10 D=0.5 0 -1 0.20 0.10 0.05 -2 0.02 0.01 P(pk) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE 10 DC 1 10 TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE 1 10 10 100 10 0µ S 1m s 0 10 0.1 1 SINGLE PULSE TIME( SEC) imit )L n R ds(o 400 0 0.01 35.0µS 2 10 10 t1 -3 t2 1.R� JC (t)=r(t)*R 2.R � JC = 2.5° C/W 3.T j + TC = P * R � JC (t) t1 4.Duty Cycle,D = t2 Single pulse 10 -4 10 -7 10 -6 10 -5 -4 10 10 t1 , TIME( ms ) -3 10 -2 10 4 4-4 -1 10 0 DEC-28-2004