シングル N チャンネル MOSFET ELM32428LA-S ■概要 ■特長 ELM32428LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=75A ・ Rds(on) < 7mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 ±20 V 記号 Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 Idm 75 50 170 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー アバランシェエネルギー ( 繰り返し） Iar Eas Ear 60 140 5.6 連続ドレイン電流 Id L=0.1mH L=0.05mH Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A 60.00 32.75 - 55 ～ 150 A 3 A mJ mJ 4 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 記号 定常状態 定常状態 熱抵抗(ケース- ヒートシンク ) Typ. Rθjc Rθja Rθcs ■端子配列図 Max. 単位 2.3 62.5 ℃/W ℃/W 0.6 備考 ℃/W ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE � � � 4-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM32428LA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss 25 V Vds=20V, Vgs=0V 25 Vds=20V, Vgs=0V Ta=125℃ 250 ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=10V, Id=30A Vgs=4.5V, Id=24A 5.0 6.6 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=15V, Id=30A 55 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=Is, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復ピーク電流 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Vgs=0V, Vds=15V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd Vgs=4.5V, Vds=15V Id=25A td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) Id=30A, Rgen=2.5Ω tf 1.0 70 1.5 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 ±250 nA 3.0 V A 7.0 mΩ 10.0 1 1 S 1 1.3 75 V A 1 170 A 3 2700 pF 500 1100 pF 200 pF 19.0 25.0 nC 2 9.0 11.0 nC nC 2 2 11.5 17.0 17.0 26.0 32.0 48.0 ns ns ns 2 2 2 ns 2 7.0 7.5 7.5 trr Irm(rec) If=Is, dIf/dt=100A/μs Qrr μA 37 200 0.043 11.0 ns A μC NIKO-SEM N-Channel Logic Level Enhancement シングル N チャンネル MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM32428LA-S P75N02LDG TO-252 (DPAK) Lead-Free ■標準特性と熱特性曲線 4-3 3 Jun-11-2005 NIKO-SEM シングル Logic N チャンネル MOSFET N-Channel Level Enhancement ELM32428LA-S Mode Field Effect Transistor P75N02LDG TO-252 (DPAK) Lead-Free 4-4 4 Jun-11-2005