elm32434la

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32434LA-S
■概要
■特長
ELM32434LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=600V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=2A
・ Rds(on) < 4.4Ω (Vgs=10V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
Vgs
Ta=25℃
Ta=100℃
600
±30
パルス ・ ドレイン電流
Idm
2.0
1.1
7
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Ias
Eas
2.4
29
連続ドレイン電流
Id
L=10mH
Tc=25℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
50
Pd
Tc=100℃
V
V
4
A
3, 4
A
mJ
5
5
W
20
-55 ~ 150
Tj, Tstg
A
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
2.5
62.5
℃/W
℃/W
備考
■回路
�
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
1
2
端子記号
GATE
DRAIN
3
SOURCE
�
�
�
6-1
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32434LA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=600V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±30V
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
25
Ta=100℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on) Vgs=10V, Id=1A
Gfs Vds=10V, Id=1A
Vsd
Is
V
Ta=25℃
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
600
250
μA
±100 nA
2.5
3.7
1.9
If=2A, Vgs=0V
4.5
4.4
V
Ω
S
1
1
1.5
2
V
A
1
3
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ciss
Vgs=0V, Vds=15V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=300V
Id=1.2A
Vds=300V, Id=2A
td(off) Rgen=25Ω
tf
trr
Qrr
If=2A, dIf/dt=100A/μs
Vgs=0V
備考 :
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. 最大容許温度に限られる
5. Vdd=60V時,スタート Tj=25℃
6-2
342
47
pF
pF
6
pF
7.8
nC
2
3.1
2.3
15
nC
nC
ns
2
2
2
30
ns
2
28
36
ns
ns
2
2
780
3.8
ns
μC
シングル N チャンネル MOSFET
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
Transfer Characteristics
5
VGS = 10V
VGS = 6V
2.0
1.5
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
2.5
P0260AD
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32434LA-S
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
VGS = 5V
1.0
VGS = 4.5V
0.5
0
0
20
4
8
12
16
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
4
3
2
TJ=125°C
TJ=25°C
1
TJ= - 20°C
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
420
RDS(ON) x 2.6
V G S = 0V , f=1 M H Z
C , Capacitance(pF)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
360
RDS(ON) x 2.2
RDS(ON) x 1.8
RDS(ON) x 1.4
RDS(ON) x 1.0
RDS(ON) x 0.2
- 50
0
25
50
75
100
125
C iss
300
240
180
120
60
VGS = 10V
ID = 1A
- 25
C oss
C rss
0
150
1
TJ , Junction Temperature(C)
1.0E+02
VDS=300V
1.0E+01
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
ID=1.2A
8
10
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
10
8.0
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) x 0.6
7.0
6
4
2
T J =150° C
1.0E+00
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
Qg , Total Gate Charge
6
0.3
8
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Mar-23-2009
REV 0.9
3
6-3
シングル N チャンネル MOSFET
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
10
P0260AD
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32434LA-S
Field Effect Transistor
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3500
Operation in This Area
is Lim ited by RDS(ON)
�
3000
SINGLE PULSE
R�JC = 2.5� C/W
TC=25� C
2500
1
Power(W)
ID , Drain Current(A)
1ms
10m s
100m s
2000
1500
1S
0.1
1000
DC
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TC=25� C
3.R�JC = 2.5� C/W
500
4.Single Pulse
0.01
10
100
0
1000
0.0001
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
Single Pulse Time(s)
1
10
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
Transient Thermal Response Curve
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
Mar-23-2009
REV 0.9
4
6-4
NIKO-SEM
N-Channel
Mode
シングル N Enhancement
チャンネル MOSFET
Field Effect Transistor
ELM32434LA-S
Figure 1
P0260AD
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Figure 2
Figure 3
Figure 4
Figure 5
Figure 6
Mar-23-2009
REV 0.9
65- 5
NIKO-SEM
シングル N Enhancement
チャンネル MOSFET
N-Channel
Mode
FieldELM32434LA-S
Effect Transistor
P0260AD
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Figure 7
Figure 8
REV 0.9
6-6
6
Mar-23-2009
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