シングル N チャンネル MOSFET ELM32434LA-S ■概要 ■特長 ELM32434LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=600V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=2A ・ Rds(on) < 4.4Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds Vgs Ta=25℃ Ta=100℃ 600 ±30 パルス ・ ドレイン電流 Idm 2.0 1.1 7 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー Ias Eas 2.4 29 連続ドレイン電流 Id L=10mH Tc=25℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 50 Pd Tc=100℃ V V 4 A 3, 4 A mJ 5 5 W 20 -55 ～ 150 Tj, Tstg A ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 2.5 62.5 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 1 2 端子記号 GATE DRAIN 3 SOURCE � � � 6-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM32434LA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Vds=600V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±30V ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 25 Ta=100℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Rds(on) Vgs=10V, Id=1A Gfs Vds=10V, Id=1A Vsd Is V Ta=25℃ ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス 600 250 μA ±100 nA 2.5 3.7 1.9 If=2A, Vgs=0V 4.5 4.4 V Ω S 1 1 1.5 2 V A 1 3 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Vgs=0V, Vds=15V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=300V Id=1.2A Vds=300V, Id=2A td(off) Rgen=25Ω tf trr Qrr If=2A, dIf/dt=100A/μs Vgs=0V 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. 最大容許温度に限られる 5. Vdd=60V時,スタート Tj=25℃ 6-2 342 47 pF pF 6 pF 7.8 nC 2 3.1 2.3 15 nC nC ns 2 2 2 30 ns 2 28 36 ns ns 2 2 780 3.8 ns μC シングル N チャンネル MOSFET TO-252 Halogen-Free & Lead-Free ■標準特性と熱特性曲線 Output Characteristics Transfer Characteristics 5 VGS = 10V VGS = 6V 2.0 1.5 ID, Drain-To-Source Current(A) ID, Drain-To-Source Current(A) 2.5 P0260AD N-Channel Enhancement Mode ELM32434LA-S Field Effect Transistor NIKO-SEM VGS = 5V 1.0 VGS = 4.5V 0.5 0 0 20 4 8 12 16 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 4 3 2 TJ=125°C TJ=25°C 1 TJ= - 20°C 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 420 RDS(ON) x 2.6 V G S = 0V , f=1 M H Z C , Capacitance(pF) RDS(ON)ON-Resistance(OHM) 360 RDS(ON) x 2.2 RDS(ON) x 1.8 RDS(ON) x 1.4 RDS(ON) x 1.0 RDS(ON) x 0.2 - 50 0 25 50 75 100 125 C iss 300 240 180 120 60 VGS = 10V ID = 1A - 25 C oss C rss 0 150 1 TJ , Junction Temperature(C) 1.0E+02 VDS=300V 1.0E+01 IS , Source Current(A) VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 100 Source-Drain Diode Forward Voltage ID=1.2A 8 10 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Gate charge Characteristics 10 8.0 Capacitance Characteristic On-Resistance VS Temperature RDS(ON) x 0.6 7.0 6 4 2 T J =150° C 1.0E+00 1.0E-01 T J =25° C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 Qg , Total Gate Charge 6 0.3 8 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Mar-23-2009 REV 0.9 3 6-3 シングル N チャンネル MOSFET NIKO-SEM TO-252 Halogen-Free & Lead-Free Safe Operating Area 10 P0260AD N-Channel Enhancement Mode ELM32434LA-S Field Effect Transistor Single Pulse Maximum Power Dissipation 3500 Operation in This Area is Lim ited by RDS(ON) � 3000 SINGLE PULSE R�JC = 2.5� C/W TC=25� C 2500 1 Power(W) ID , Drain Current(A) 1ms 10m s 100m s 2000 1500 1S 0.1 1000 DC NOTE : 1.V GS= 10V 2.TC=25� C 3.R�JC = 2.5� C/W 500 4.Single Pulse 0.01 10 100 0 1000 0.0001 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.001 0.01 0.1 Single Pulse Time(s) 1 10 Transient Thermal Resistance r(t) , Normalized Effective Transient Thermal Response Curve T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] Mar-23-2009 REV 0.9 4 6-4 NIKO-SEM N-Channel Mode シングル N Enhancement チャンネル MOSFET Field Effect Transistor ELM32434LA-S Figure 1 P0260AD TO-252 Halogen-Free & Lead-Free Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Mar-23-2009 REV 0.9 65- 5 NIKO-SEM シングル N Enhancement チャンネル MOSFET N-Channel Mode FieldELM32434LA-S Effect Transistor P0260AD TO-252 Halogen-Free & Lead-Free Figure 7 Figure 8 REV 0.9 6-6 6 Mar-23-2009