シングル P チャンネル MOSFET ELM34V555A-N ■概要 ■特長 ELM34V555A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-6A ・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 ±20 -6.0 -4.7 V Idm Ias -24 -19.3 A A 18.6 mJ Id アバランシェエネルギー L=0.1mH Eas 最大許容損失 Tc=25℃ Tc=70℃ Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A 1.7 1.1 -55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 備考 72 ℃/W 4 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 SOURCE 3 4 SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM34V555A-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 Vsd V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=55℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Vgs=-10V, Id=-6A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-6A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-6A ダイオード順方向電圧 -30 -0.8 ±100 nA -1.5 -2.5 V 22 28 mΩ 32 45 22 S If=-6A, Vgs=0V Is Ciss Vgs=0V, Vds=-15V Coss f=1MHz Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 Rg Qg ゲート - ソース電荷 Qgs Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-6A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-6A, Rgen=6Ω tf 寄生ダイオード逆回復時間 trr 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-6A, dIf/dt=100A/μs μA -1.0 V -10 A 1 1 1 846 120 106 pF pF pF 11 Ω 20.0 nC 2 2.4 nC 2 4.8 10.4 nC ns 2 2 7.8 22.0 7.0 ns ns ns 2 2 2 12.2 ns 3.5 nC 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. Rθjaの値はTa=25°C、2オンス銅箔付きで1平方インチFR-4基板上にマウントされた装置を使用して測定されて います。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET SOP-8 Halogen-free & Lead-Free ■標準特性と熱特性曲線 Output Characteristics Transfer Characteristics 24 VGS=-10V VGS=-9V VGS=-8V VGS=-7V VGS=-6V VGS=-5V VGS=-4.5V VGS=-3.5V 18 -ID, Drain-To-Source Current(A) -ID, Drain-To-Source Current(A) 24 VGS=-3V 12 6 VGS=-2.5V 0 0 1 2 3 4 5 18 12 6 25℃ 125℃ 0 6 0 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Gate charge Characteristics 2 3 4 5 Capacitance Characteristic 1000 VDS=-15V ID=-6A 900 8 C , Capacitance(pF) -VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 1 -20℃ -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 10 6 4 CISS 800 700 600 500 400 300 200 2 COSS 100 0 0 4 8 12 16 0 20 CRSS 0 Qg , Total Gate Charge(nC) 10 15 20 25 30 On-Resistance VS Drain Current On-Resistance VS Gate-To-Source 0.05 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) 0.08 0.06 0.04 ID=-6A 0.02 0 5 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.1 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) PV555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM34V555A-N Field Effect Transistor NIKO-SEM 2 4 6 8 0.04 VGS=-4.5V 0.03 VGS=-10V 0.02 0.01 0 10 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 0 3 6 9 12 15 -ID , Drain-To-Source Current(A) REV 0.9 E-29-3 3 4-3 シングル P チャンネル MOSFET SOP-8 Halogen-free & Lead-Free On-Resistance VS Temperature Source-Drain Diode Forward Voltage 2.0 100 1.8 -IS , Source Current(A) Normalized Drain to Source ON-Resistance PV555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM34V555A-N Field Effect Transistor NIKO-SEM 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 150℃ 25℃ 1 VGS=-10V ID=-6A 0.6 0.4 10 -50 -25 0 25 50 75 100 125 0.1 150 0.0 0.2 0.4 TJ , Junction Temperature(˚C) 0.8 1.0 25 10 100ms NOTE : 1.VGS= -10V 2.TA=25˚C 3.RθJA = 72˚C/W 4.Single Pulse 0.1 15 Power(W) 1ms 10ms 0.01 Single Pulse RθJA = 72˚C/W TA=25˚C 20 1 5 DC 1 10 0 0.001 100 0.01 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.1 1 10 100 Single Pulse Time(s) Transient Thermal Response Curve r(t) , Normalized Effective 10 Transient Thermal Resistance -ID , Drain Current(A) ↓ 0.1 1.4 Single Pulse Maximum Power Dissipation Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10 1.2 -VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Safe Operating Area 100 0.6 Duty cycle=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 1 Notes 0.1 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJA = 72 ℃/W 3.TJ-TA = P*RthJA(t) 4.RthJA(t) = r(t)*RthJA single pulse 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 0.9 E-29-3 4 4-4