elm34v555a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM34V555A-N
■概要
■特長
ELM34V555A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-6A
・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流 ±20
-6.0
-4.7
V
Idm
Ias
-24
-19.3
A
A
18.6
mJ
Id
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Eas
最大許容損失
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
1.7
1.1
-55 ~ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
備考
72
℃/W
4
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
SOURCE
3
4
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM34V555A-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
Vsd
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=55℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-6A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-6A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=-5V, Id=-6A
ダイオード順方向電圧
-30
-0.8
±100 nA
-1.5 -2.5 V
22
28
mΩ
32
45
22
S
If=-6A, Vgs=0V
Is
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
Rg
Qg
ゲート - ソース電荷
Qgs
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-6A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-6A, Rgen=6Ω
tf
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-6A, dIf/dt=100A/μs
μA
-1.0
V
-10
A
1
1
1
846
120
106
pF
pF
pF
11
Ω
20.0
nC
2
2.4
nC
2
4.8
10.4
nC
ns
2
2
7.8
22.0
7.0
ns
ns
ns
2
2
2
12.2
ns
3.5
nC
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. Rθjaの値はTa=25°C、2オンス銅箔付きで1平方インチFR-4基板上にマウントされた装置を使用して測定されて
います。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
SOP-8
Halogen-free & Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
Transfer Characteristics
24
VGS=-10V
VGS=-9V
VGS=-8V
VGS=-7V
VGS=-6V
VGS=-5V
VGS=-4.5V
VGS=-3.5V
18
-ID, Drain-To-Source Current(A)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
24
VGS=-3V
12
6
VGS=-2.5V
0
0
1
2
3
4
5
18
12
6
25℃
125℃
0
6
0
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
2
3
4
5
Capacitance Characteristic
1000
VDS=-15V
ID=-6A
900
8
C , Capacitance(pF)
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
1
-20℃
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
10
6
4
CISS
800
700
600
500
400
300
200
2
COSS
100
0
0
4
8
12
16
0
20
CRSS
0
Qg , Total Gate Charge(nC)
10
15
20
25
30
On-Resistance VS Drain Current
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.05
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.08
0.06
0.04
ID=-6A
0.02
0
5
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
PV555BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM34V555A-N
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
2
4
6
8
0.04
VGS=-4.5V
0.03
VGS=-10V
0.02
0.01
0
10
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
0
3
6
9
12
15
-ID , Drain-To-Source Current(A)
REV 0.9
E-29-3
3
4-3
シングル P チャンネル MOSFET
SOP-8
Halogen-free & Lead-Free
On-Resistance VS Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
2.0
100
1.8
-IS , Source Current(A)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
PV555BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM34V555A-N
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
150℃
25℃
1
VGS=-10V
ID=-6A
0.6
0.4
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
150
0.0
0.2
0.4
TJ , Junction Temperature(˚C)
0.8
1.0
25
10
100ms
NOTE :
1.VGS= -10V
2.TA=25˚C
3.RθJA = 72˚C/W
4.Single Pulse
0.1
15
Power(W)
1ms
10ms
0.01
Single Pulse
RθJA = 72˚C/W
TA=25˚C
20
1
5
DC
1
10
0
0.001
100
0.01
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
r(t) , Normalized Effective
10
Transient Thermal Resistance
-ID , Drain Current(A)
↓
0.1
1.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
10
1.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Safe Operating Area
100
0.6
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
Notes
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 72 ℃/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
single pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
E-29-3
4
4-4
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