シングル P チャンネル MOSFET ELM340703A-N ■概要 ■特長 ELM340703A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-15A オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V) ・ ESD 保護 ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ Idm アバランシェ電流 アバランシェエネルギー Ias Eas 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 -15 Id パルス ・ ドレイン電流 L=0.1mH Tc=25℃ 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±20 V Pd Tj, Tstg A -11 -69 A -69 238 2.5 3 A mJ W 1.6 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 50 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM340703A-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 -1.0 -1.7 4.8 6.8 25 Is=-15A, Vgs=0V Is 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Vgs=0V, Vds=-15V Coss f=1MHz Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 Qgd Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-15A ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) Id=-15A, Rgen=6Ω tf trr If=-15A, dlf/dt=100A/μs Qrr 寄生ダイオード逆回復電荷量 V Vds=-24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±16V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Vgs=-10V, Id=-15A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-10A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-15A ダイオード順方向電圧 -30 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 ±30 -3.0 7.0 μA μA V mΩ 1 S 1 -1.2 V 1 -15 A 12.0 5200 885 789 pF pF pF 119 14 nC nC 2 2 31 nC 2 26 29 ns ns 2 2 225 124 35 ns ns ns 2 2 20 nC シングル P チャンネル MOSFET NIKO-SEM SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free ■標準特性と熱特性曲線 Output Characteristics On-Resistance VS Drain Current 0.008 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) -ID, Drain-To-Source Current(A) 60 VGS =-3V 48 VGS =-10V VGS =-7V VGS =-5V VGS =-4.5V 36 24 VGS =-2.5V 12 0 0 1 2 3 4 5 6 7 0.007 0.005 VGS = -10V 0.004 0.003 0.002 0.001 0 8 0 On-Resistance VS Gate-To-Source 0.01 0.008 0.006 0.004 0.002 12 24 36 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 V GS=-10V ID=-15A 0.6 0 2 4 6 8 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 0.4 10 -50 Transfer Characteristics 48 36 24 125℃ 25℃ 12 -20℃ 0 0 1 2 3 4 0 25 50 75 100 125 Junction Temperature(˚C) 150 ID=-15A VDS=-15V 8 6 4 2 0 5 0 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) REV 1.0 -25 TJ , Gate charge Characteristics Characteristics 10 -VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 60 60 1.8 ID = -15A 0 48 -ID , Drain-To-Source Current On-Resistance VS Temperature 2.0 Normalized Drain to Source ON-Resistance RDS(ON)ON-Resistance(OHM) VGS = -4.5V 0.006 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) -ID, Drain-To-Source Current(A) PZ0703EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM340703A-N Field Effect Transistor 25 50 75 100 Qg , Total Gate Charge(nC) 3 4-3 D-42-5 シングル P チャンネル MOSFET SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free Capacitance Characteristic 7.00E+03 PZ0703EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM340703A-N Field Effect Transistor NIKO-SEM Body Diode Forward Voltage VS Source current 1.00E+02 6.00E+03 5.00E+03 -IS , Source Current(A) C , Capacitance(pF) CISS 4.00E+03 3.00E+03 2.00E+03 1.00E+03 COSS CRSS 5 10 15 20 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 25 30 Safe Operating Area 100 125℃ 25℃ 1.00E+00 1.00E-01 0.0 0.00E+00 0 1.00E+01 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.4 Single Pulse Maximum Power Dissipation 200 160 SINGLE PULSE RθJA = 50° C/W TA=25° C 10 1m s 120 1 Power(W) -ID , Drain Current(A) 1.2 -VSD, Source-To-Drain Voltage(V) 10m s Operation in This Area is Lim ited by RDS(ON) 100m s 1S 0.1 10S DC NOTE : 1.V GS= 10V 2.TA=25° C 3.RθJA = 50° C/W 80 40 4.Single Pulse 0 0.001 0.01 0.1 1 10 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Transient Thermal Resistance 0.01 0.1 1 10 100 Single Pulse Time(s) Transient Thermal Response Curve 1.00E+01 r(t) , Mormalized Effective 100 1.00E+00 Duty cycle=0.5 Notes 0.2 1.00E-01 0.1 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJA = 50 ℃/W 3.TJ-TA = P*RthJA(t) 4.ZthJA(t) = r(t)*ZthJA 0.05 0.02 0.01 1.00E-02 1.E-04 Single Pulse 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 1.0 4 4-4 D-42-5