elm340703a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM340703A-N
■概要
■特長
ELM340703A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
・ Id=-15A
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 7mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V)
・ ESD 保護
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
Idm
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Ias
Eas
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
-15
Id
パルス ・ ドレイン電流
L=0.1mH
Tc=25℃
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±20
V
Pd
Tj, Tstg
A
-11
-69
A
-69
238
2.5
3
A
mJ
W
1.6
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
50
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM340703A-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
-1.0
-1.7
4.8
6.8
25
Is=-15A, Vgs=0V
Is
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-15A
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) Id=-15A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-15A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
Vds=-24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±16V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-15A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-10A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=-5V, Id=-15A
ダイオード順方向電圧
-30
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4-2
±30
-3.0
7.0
μA
μA
V
mΩ
1
S
1
-1.2
V
1
-15
A
12.0
5200
885
789
pF
pF
pF
119
14
nC
nC
2
2
31
nC
2
26
29
ns
ns
2
2
225
124
35
ns
ns
ns
2
2
20
nC
シングル P チャンネル MOSFET
NIKO-SEM
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
On-Resistance VS Drain Current
0.008
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
60
VGS =-3V
48
VGS =-10V
VGS =-7V
VGS =-5V
VGS =-4.5V
36
24
VGS =-2.5V
12
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0.007
0.005
VGS = -10V
0.004
0.003
0.002
0.001
0
8
0
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
12
24
36
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS=-10V
ID=-15A
0.6
0
2
4
6
8
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
0.4
10
-50
Transfer Characteristics
48
36
24
125℃
25℃
12
-20℃
0
0
1
2
3
4
0
25
50
75
100
125
Junction Temperature(˚C)
150
ID=-15A
VDS=-15V
8
6
4
2
0
5
0
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
REV 1.0
-25
TJ ,
Gate charge Characteristics
Characteristics
10
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
60
60
1.8
ID = -15A
0
48
-ID , Drain-To-Source Current
On-Resistance VS Temperature
2.0
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
VGS = -4.5V
0.006
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
PZ0703EV
P-Channel Logic Level Enhancement Mode
ELM340703A-N
Field
Effect Transistor
25
50
75
100
Qg , Total Gate Charge(nC)
3
4-3
D-42-5
シングル P チャンネル MOSFET
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Capacitance Characteristic
7.00E+03
PZ0703EV
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
ELM340703A-N
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
Body Diode Forward Voltage VS Source current
1.00E+02
6.00E+03
5.00E+03
-IS , Source Current(A)
C , Capacitance(pF)
CISS
4.00E+03
3.00E+03
2.00E+03
1.00E+03
COSS
CRSS
5
10
15
20
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
25
30
Safe Operating Area
100
125℃
25℃
1.00E+00
1.00E-01
0.0
0.00E+00
0
1.00E+01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
200
160
SINGLE PULSE
RθJA = 50° C/W
TA=25° C
10
1m s
120
1
Power(W)
-ID , Drain Current(A)
1.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
10m s
Operation in This Area
is Lim ited by RDS(ON)
100m s
1S
0.1
10S
DC
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TA=25° C
3.RθJA = 50° C/W
80
40
4.Single Pulse
0
0.001
0.01
0.1
1
10
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
r(t) , Mormalized Effective
100
1.00E+00
Duty cycle=0.5
Notes
0.2
1.00E-01
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 50 ℃/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.ZthJA(t) = r(t)*ZthJA
0.05
0.02
0.01
1.00E-02
1.E-04
Single Pulse
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 1.0
4
4-4
D-42-5
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