elm342004a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM342004A-N
■概要
■特長
ELM342004A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-40V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-8.7A
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-40
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Id
Idm
Ias
Eas
Pd
Tj, Tstg
±20
-8.7
-7.0
V
-45
-45
103
A
A
mJ
A
2.5
1.6
-55 ~ 150
3
4
W
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
最大接合部 - ケース
Rθjc
25
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
50
■端子配列図
単位
備考
℃/W
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
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端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
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�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM342004A-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
Rds(on)
-1
Vds=-30V, Vgs=0V
Ta=55℃
-10
-1.5
-45
15
23
30
Gfs
Vds=-5V, Id=-8A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=-8A, Vgs=0V
ダイオード パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
Ciss
Vgs=0V, Vds=-30V
Coss
f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
μA
±100 nA
-1.9 -3.0
V
A
Vgs=-10V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-6A
順方向相互コンダクタンス
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
V
Vds=-32V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-40
20
32
1
mΩ
1
S
1
-1.3
-1.9
V
A
1
-45
A
3
2670
pF
392
280
4.65
pF
pF
Ω
50
10
nC
nC
2
2
13
10
20
nC
ns
ns
2
2
2
55
ns
2
30
26
17
ns
ns
nC
2
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qg
Qgs
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-8A
Qgd
td(on)
Vgs=-10V, Vds=-30V
tr
RL=1Ω,Id=-8A
td(off)
Rgen=6Ω
tf
trr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. Vdd =-20V、 開始温度 Tj=25℃
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
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ELM342004A-N
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■標準特性と熱特性曲線
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4-3
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シングル
P チャンネル MOSFET
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4-4

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