シングル P チャンネル MOSFET ELM342004A-N ■概要 ■特長 ELM342004A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8.7A ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -40 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Id Idm Ias Eas Pd Tj, Tstg ±20 -8.7 -7.0 V -45 -45 103 A A mJ A 2.5 1.6 -55 ～ 150 3 4 W ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 最大接合部 - ケース Rθjc 25 最大接合部 - 周囲温度 Rθja 50 ■端子配列図 単位 備考 ℃/W ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM342004A-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss Rds(on) -1 Vds=-30V, Vgs=0V Ta=55℃ -10 -1.5 -45 15 23 30 Gfs Vds=-5V, Id=-8A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-8A, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism Ciss Vgs=0V, Vds=-30V Coss f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz μA ±100 nA -1.9 -3.0 V A Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-6A 順方向相互コンダクタンス 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 V Vds=-32V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V ドレイン - ソースオン状態抵抗 -40 20 32 1 mΩ 1 S 1 -1.3 -1.9 V A 1 -45 A 3 2670 pF 392 280 4.65 pF pF Ω 50 10 nC nC 2 2 13 10 20 nC ns ns 2 2 2 55 ns 2 30 26 17 ns ns nC 2 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qg Qgs Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-8A Qgd td(on) Vgs=-10V, Vds=-30V tr RL=1Ω,Id=-8A td(off) Rgen=6Ω tf trr If=-8A, dlf/dt=100A/μs Qrr 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. Vdd =-20V、 開始温度 Tj=25℃ 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM342004A-N ■標準特性と熱特性曲線 � � � � � � � � � � � � � � � 4-3 シングル P チャンネル MOSFET � � � � � � � � � � � � � ELM342004A-N 4-4