シングル P チャンネル MOSFET ELM34423AA-N ■概要 ■特長 ELM34423AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-8A オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 20Ω (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 35Ω (Vgs=-4.5V) ・ ESD 保護 ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ Idm アバランシェ電流 アバランシェエネルギー Ias Eas 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 -8.0 Id パルス ・ ドレイン電流 L=0.1mH Tc=25℃ 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±20 V -6.5 -50 -30 46 2.0 Pd Tj, Tstg A 5 A 3, 5 A mJ W 1.3 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 60 単位 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM34423AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=70℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±16V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V -1.0 -50 -1.6 Rds(on) Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-7A 17 27 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-10V, Id=-8A 22 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-8A, Vgs=0V ドレイン - ソースオン状態抵抗 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Ciss Vgs=0V, Vds=-15V Coss f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-8A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-8A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr If=-8A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 5. 制限された最高温度のみ。 4-2 ±30 -3.0 20 35 -1.2 -8 μA nA V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 1500 293 pF pF 207 3.1 pF Ω 30 nC 2 5 8 nC nC 2 2 20 12 48 ns ns ns 2 2 2 22 ns 2 18 7 ns nC シングル P チャンネル MOSFET ELM34423AA-N ■標準特性と熱特性曲線 � � � � � � 4-3 シングル P チャンネル MOSFET ELM34423AA-N � � � � � � � 4-4