elm34423aa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM34423AA-N
■概要
■特長
ELM34423AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
・ Id=-8A
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 20Ω (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 35Ω (Vgs=-4.5V)
・ ESD 保護
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
Idm
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
Ias
Eas
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
-8.0
Id
パルス ・ ドレイン電流
L=0.1mH
Tc=25℃
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±20
V
-6.5
-50
-30
46
2.0
Pd
Tj, Tstg
A
5
A
3, 5
A
mJ
W
1.3
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
60
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
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端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
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�
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シングル P チャンネル MOSFET
ELM34423AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=70℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±16V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
-1.0
-50
-1.6
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-7A
17
27
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-10V, Id=-8A
22
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=-8A, Vgs=0V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-8A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-8A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
5. 制限された最高温度のみ。
4-2
±30
-3.0
20
35
-1.2
-8
μA
nA
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
1500
293
pF
pF
207
3.1
pF
Ω
30
nC
2
5
8
nC
nC
2
2
20
12
48
ns
ns
ns
2
2
2
22
ns
2
18
7
ns
nC
シングル P チャンネル MOSFET

ELM34423AA-N
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■標準特性と熱特性曲線
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4-3
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シングル P チャンネル MOSFET
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ELM34423AA-N
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4-4
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