elm34537ba

シングル P チャンネル MOSFET
ELM34537BA-N
■概要
■特長
ELM34537BA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
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・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-11A
・ Rds(on) < 9mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Id
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±25
-11.0
-8.7
V
-50
-35
61
A
A
mJ
Idm
Ias
Eas
Pd
Tj, Tstg
A
1.8
1.2
-55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
68
最大接合部 - ケース
Rθjc
25
■端子配列図
単位
備考
4
℃/W
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
�
�
�
Rev.1.0
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM34537BA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
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特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
Vsd
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=55℃
-10
If=-11A, Vgs=0V
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
総ゲート電荷 (Vgs=-4.5V)
Qg
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
-1.0
Rg
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vds=-15V, Id=-11A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-11A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=-11A, dlf/dt=100A/μs
μA
±100 nA
-1.6 -3.0
V
7.2
9.0
mΩ
10.4 14.0
40
S
Is
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (Vgs=-10V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
V
Vds=-24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±25V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-11A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-11A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=-10V, Id=-11A
ダイオード順方向電圧
-30
-1.3
V
-11
A
1
1
1
2664
374
271
pF
pF
pF
3.7
Ω
56
nC
2
28
nC
2
9
13
nC
nC
2
2
22
26
102
ns
ns
ns
2
2
2
75
ns
2
26
14
ns
μC
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％。
2. 動作温度は独立しています。
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています。
4. Rθja の値は Ta＝25℃と静止空気環境で、 1in2 の銅、 FR-4 プリント回路基板上のデバイスを用いて測定され
ています。
Rev.1.0
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM34537BA-N
PV537BA
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
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SOP-8
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
30
VGS=�10V
VGS=�9V
VGS=�8V
VGS=�7V
VGS=�6V
VGS=�5V
VGS=�4.5V
VGS=�3.5V
VGS=�3V
24
18
12
VGS=-2.5V
6
0
0
1
2
3
Transfer Characteristics
30
-ID, Drain-To-Source Current(A)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
Halogen-free & Lead-Free
4
24
18
12
25��
6
125�
�20��
0
5
0
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
3
4
5
Capacitance Characteristic
3000
VDS=-15V
ID=-11A
8
2500
C , Capacitance(pF)
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
2
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
10
6
4
2
CISS
2000
1500
1000
COSS
500
CRSS
0
0
10
20
30
40
50
0
60
0
Qg , Total Gate Charge(nC)
On-Resistance VS Gate-To-Source
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.02
0.015
0.01
0
ID=-11A
2
4
6
8
10
15
20
25
On-Resistance VS Drain Current
0.02
0.025
0.005
5
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.03
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
1
0.015
VGS=-4.5V
0.01
VGS=-10V
0.005
0
10
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
0
5
10
15
20
25
30
-ID , Drain-To-Source Current(A)
REV 1.0
F-34-4
3
Rev.1.0
4-3
シングル P チャンネル MOSFET
PV537BA
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
ELM34537BA-N
SOP-8
Field Effect Transistor
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NIKO-SEM
Halogen-free & Lead-Free
On-Resistance VS Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
1.6
-IS , Source Current(A)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
1.8
1.4
1.2
1.0
1
VGS=-10V
ID=-11A
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
150
0.0
0.2
Safe Operating Area
100
0.4
0.6
0.8
80
Single Pulse
R�JA = 68C/W
TC=25C
Power(W)
10
1ms
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
1.2
Single Pulse Maximum Power Dissipation
64
1
1.0
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
TJ , Junction Temperature(C)
-ID , Drain Current(A)
25�
150�
10
10ms
48
32
100ms
0.1
0.01
NOTE :
1.VGS= -10V
2.TA=25C
3.R�JA = 68C/W
4.Single Pulse
0.1
16
DC
1
10
0
0.001
100
0.01
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
10
1
Duty cycle=0.5
Notes
0.2
0.1
0.1
0.05
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 68 �/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.02
0.01
0.01
0.0001
single pulse
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 1.0
F-34-4
4
Rev.1.0
4-4