elm23401ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM23401CA-S
■概要
■特長
ELM23401CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
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・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-4A
・ Rds(on) = 65mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) = 75mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) = 100mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
-30
±12
-4.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
A
-3.2
-27
1.2
Idm
最大許容損失
V
V
0.8
-55 ～ 150
Tj, Tstg
A
3
W
2
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
100
Max.
125
単位
℃/W
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
1
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
�
�
Rev.1.0
3-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM23401CA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
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特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
-1
-10
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-4A
Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-3A
Vgs=-2.5V, Id=-2A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Gfs
Vsd
Is
ダイオード　パルス電流
動的特性
Ism
Vds=-10V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-4A
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgs
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
μA
±100 nA
-0.4 -0.7
55
65
85
-0.9
V
65
75 mΩ
100
15
Vgs=Vds=0V, Force Current
入力容量
出力容量
Qg
V
Vds=-30V, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-30
-1
-2
S
V
A
-16.4
A
4
4
830
60
pF
pF
50
pF
17.0
nC
4
1.5
0.9
5.4
nC
nC
ns
4
4
4
19.4
45.9
12.4
ns
ns
ns
4
4
4
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃と静止空気環境で、 625mm²、 70μ2 層の銅 1.6t の FR-4 プリント回路基板上の
デバイスを用いて測定されています。
2. 消費電力 Pd は Tj(max)=150℃と 10s 以下の場合の接合部 - 周囲間熱抵抗に基づいています。
3. 反復測定時、 パルス幅は温度 Tj(max)=150℃によって制限されてます。 測定は、 低周波及び初期の Ta=25°C
を維持するデューティサイクルで行います。
4. パルステスト : パルス幅 � 300μ秒 と デューティサイクル�2％ 。
Rev.1.0
3-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM23401CA-S
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PM3211NS
Normalized On Resistance (m)
-ID , Continuous Drain Current (A)
■標準特性と熱特性曲線
30V P-Channel MOSFETs
TJ , Junction Temperature (℃)
Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ
-VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
TC , Case Temperature (℃)
Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC
TJ , Junction Temperature (℃)
Qg , Gate Charge (nC)
Fig.4 Gate Charge Waveform
-ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RθJA)
Fig.3 Normalized Vth vs. TJ
Square Wave Pulse Duration (s)
Fig.5 Normalized Transient Impedance
-VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.6 Maximum Safe Operation Area
Powermate Electronics Corp.
Ver.1.00
3
3-3
Rev.1.0