elm33413ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM33413CA-S
■概要
■特長
ELM33413CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-4A
・ Rds(on) < 64mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 120mΩ (Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
-30
±12
-4.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
-3.0
-20
1.25
Idm
最大許容損失
V
V
A
3
W
0.80
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
記号
Typ.
Max.
単位
Rθja
75
100
℃/W
■端子配列図
■回路
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM33413CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-20V
Vgs=0V
-1
Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
55
62
64
80
Vgs=-1.8V, Id=-2A
90
120
Vds=-5V, Id=-4A
Is=-1A, Vgs=0V
12
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
動的特性
Is
Ism
μA
±100 nA
-0.45 -0.80 -1.20 V
-20
A
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
入力容量
出力容量
帰還容量
-10
1
mΩ
1
-1.2
S
V
1
1
-1.6
-3
A
A
3
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
950
115
75
pF
pF
pF
Qg
Qgs
9.4
2.0
nC
nC
2
2
3.0
6.3
3.2
nC
ns
ns
2
2
2
38.0
ns
2
12.0
ns
2
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-4A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
ターン ・ オフ遅延時間
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
P6403FMG
P-Channel Logic Level Enhancement
シングル
チャンネル
MOSFET
ModePField
Effect Transistor
NIKO-SEM
SOT-23
Lead-Free
ELM33413CA-S
■標準特性と熱特性曲線
Typical Electrical Characteristics
ID, Drain current(A)
-3.0V
-2.5V
VGS= -4.5V
-3.5V
12
R
, Normrlized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
15
9
DS(ON)
-2.0V
6
3
-1.5V
0
0
1
2
3
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2
VGS= -2.0V
1.8
1.6
-2.5V
1.4
-4.5V
0.8
4
0
1.1
DS(ON)
1
-25
0
0.14
0.1
TA= 125°C
TA= 25°C
0.06
25
50
75
100
125
0.02
150
1
2
Is, Reverse Drain Current (A)
TA= -55°C
8
25°C
125°C
6
4
2
1
1.5
2
VGS, Gate to Source Voltage(V)
3
4
5
-VGS, Gate to Source Voltage(V)
Transfer Characteristics.
VDS= -5V
ID, Drain Current(A)
15
ID= -2A
0.18
TJ, Junction Temperature(°C)
0.5
12
R
0.8
0
9
0.22
DS(ON)
0.9
10
6
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
, On-resistance(Ω)
R
, Normalized
Drain-source on-resistance
ID= -4A
VGS= -4.5V
1.2
0.7
-50
3
-ID, Drain Current(A)
On-Resistance Variation with Temperature.
1.3
-3.5V
1
-VGS, Drain to Source Voltage(V)
1.4
-3.0V
1.2
10
Body Diode Forword Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
VGS= 0V
1
TA= 125°C
0.1
4-3
3
-55° C
0.6
0.8
0.01
0.001
0.0001
0
2.5
25°C
0.2
0.4
1
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
Jul-20-2006
P6403FMG
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
シングル P チャンネル MOSFET
NIKO-SEM
SOT-23
Lead-Free
ELM33413CA-S
Capacitance Characteristics
5
ID = -4A
1400
VDS= -10V
f = 1MHz
VGS= 0 V
1200
4
-15V
3
2
1
Capacitance(pF)
-VGS, Gate-Source Voltage (V)
Gate-Charge Characteristics
1000
Ciss
800
600
400
Coss
200
0
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
20
30
25
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
Maxmum Safe Operating Area.
100
50
RDS(ON) LIMIT
1ms
100ms
1s
1
0.1
0.01
0.1
10ms
30
20
DC
VGS =-10V
SINGLE PULSE
RθJA=100°C/W
TA=25°C
SINGLE PULSE
RθJA=100°C/W
TA=25°C
40
100μs
Power(W)
ID,Drain Current(A)
15
-VDS, Drain to Source Voltage (V)
Qg Gate Charge(nC)
10
10
5
10
10
1
100
0
0.001
0.01
-VDS,Drain-Source Voltage(V)
10
0.1
1
Single Pulse Time(SEC)
100
1
0.5
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=100°C/W
0.1
0.05
0.02
0.01
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transisent Thermal Response Curve.
t1
Single Pulse
t2
0.005
TJ-TA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 Time(SEC)
4-4 4
1
10
100
300
Jul-20-2006
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