シングル P チャンネル MOSFET ELM33413CA-S ■概要 ■特長 ELM33413CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds(on) < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 120mΩ (Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 -30 ±12 -4.0 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Pd Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A -3.0 -20 1.25 Idm 最大許容損失 V V A 3 W 0.80 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 記号 Typ. Max. 単位 Rθja 75 100 ℃/W ■端子配列図 ■回路 SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM33413CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA -30 V Vds=-24V, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-20V Vgs=0V -1 Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 55 62 64 80 Vgs=-1.8V, Id=-2A 90 120 Vds=-5V, Id=-4A Is=-1A, Vgs=0V 12 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 動的特性 Is Ism μA ±100 nA -0.45 -0.80 -1.20 V -20 A Vgs=-4.5V, Id=-4A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 入力容量 出力容量 帰還容量 -10 1 mΩ 1 -1.2 S V 1 1 -1.6 -3 A A 3 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss 950 115 75 pF pF pF Qg Qgs 9.4 2.0 nC nC 2 2 3.0 6.3 3.2 nC ns ns 2 2 2 38.0 ns 2 12.0 ns 2 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Vgs=-4.5V, Vds=-15V Id=-4A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V ターン ・ オフ遅延時間 td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 P6403FMG P-Channel Logic Level Enhancement シングル チャンネル MOSFET ModePField Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 Lead-Free ELM33413CA-S ■標準特性と熱特性曲線 Typical Electrical Characteristics ID, Drain current(A) -3.0V -2.5V VGS= -4.5V -3.5V 12 R , Normrlized Drain-source on-resistance On-Region Characteristics. 15 9 DS(ON) -2.0V 6 3 -1.5V 0 0 1 2 3 On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 2 VGS= -2.0V 1.8 1.6 -2.5V 1.4 -4.5V 0.8 4 0 1.1 DS(ON) 1 -25 0 0.14 0.1 TA= 125°C TA= 25°C 0.06 25 50 75 100 125 0.02 150 1 2 Is, Reverse Drain Current (A) TA= -55°C 8 25°C 125°C 6 4 2 1 1.5 2 VGS, Gate to Source Voltage(V) 3 4 5 -VGS, Gate to Source Voltage(V) Transfer Characteristics. VDS= -5V ID, Drain Current(A) 15 ID= -2A 0.18 TJ, Junction Temperature(°C) 0.5 12 R 0.8 0 9 0.22 DS(ON) 0.9 10 6 On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. , On-resistance(Ω) R , Normalized Drain-source on-resistance ID= -4A VGS= -4.5V 1.2 0.7 -50 3 -ID, Drain Current(A) On-Resistance Variation with Temperature. 1.3 -3.5V 1 -VGS, Drain to Source Voltage(V) 1.4 -3.0V 1.2 10 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. VGS= 0V 1 TA= 125°C 0.1 4-3 3 -55° C 0.6 0.8 0.01 0.001 0.0001 0 2.5 25°C 0.2 0.4 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 Jul-20-2006 P6403FMG P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor シングル P チャンネル MOSFET NIKO-SEM SOT-23 Lead-Free ELM33413CA-S Capacitance Characteristics 5 ID = -4A 1400 VDS= -10V f = 1MHz VGS= 0 V 1200 4 -15V 3 2 1 Capacitance(pF) -VGS, Gate-Source Voltage (V) Gate-Charge Characteristics 1000 Ciss 800 600 400 Coss 200 0 0 0 2 4 6 8 10 12 Crss 0 20 30 25 Single Pulse Maximum Power Dissipation. Maxmum Safe Operating Area. 100 50 RDS(ON) LIMIT 1ms 100ms 1s 1 0.1 0.01 0.1 10ms 30 20 DC VGS =-10V SINGLE PULSE RθJA=100°C/W TA=25°C SINGLE PULSE RθJA=100°C/W TA=25°C 40 100μs Power(W) ID,Drain Current(A) 15 -VDS, Drain to Source Voltage (V) Qg Gate Charge(nC) 10 10 5 10 10 1 100 0 0.001 0.01 -VDS,Drain-Source Voltage(V) 10 0.1 1 Single Pulse Time(SEC) 100 1 0.5 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.2 RθJA(t) = r(t) * RθJA RθJA=100°C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transisent Thermal Response Curve. t1 Single Pulse t2 0.005 TJ-TA=P*RθJA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.002 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 Time(SEC) 4-4 4 1 10 100 300 Jul-20-2006