シングル P チャンネル MOSFET ELM53401CA-S ■概要 ■特長 ELM53401CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-1.8A ・ Rds(on) < 520mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 870mΩ (Vgs=-2.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 -20 V ±12 V 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 -1.8 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A -1.2 -6 A 1.25 0.80 -55 ～ 150 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM53401CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Ciss Coss Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 Qgd ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=85℃ -5 Vds=0V, Vgs=±12V Is=-0.15A, Vgs=0V -0.4 -0.7 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-0.25A td(on) Vgs=-4.5V, Vds=-10V tr RL=30Ω, Id=-0.2A, td(off) Rgen=10Ω tf 5-2 μA ±100 nA -1.0 V A 420 520 770 1 870 mΩ S -0.65 -1.20 Is 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 V Vds=-20V, Vgs=0V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-4.5V, Id=-1.8A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-1.5A Gfs Vds=-10V, Id=-0.4A Vsd -20 V -1 A 70 20 10 100 pF pF pF 1.0 0.1 1.3 nC nC 0.3 nC 10 10 15 15 ns ns 40 30 60 50 ns ns AFP2307A Alfa-MOS 20V P-Channel シングル P チャンネル MOSFET Technology Enhancement Mode MOSFET ELM53401CA-S ■標準特性と熱特性曲線 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFP2307A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology シングル P チャンネルEnhancement MOSFET Mode MOSFET ELM53401CA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2011 www.alfa-mos.com 5-4 Page 4 Alfa-MOS 20V P-Channel ELM53401CA-S Enhancement Mode MOSFET シングル P チャンネル MOSFET Technology AFP2307A ■テスト回路と波形 Package Information ( SOT-23 ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2011 5-5 www.alfa-mos.com Page 5