シングル P チャンネル MOSFET ELM53403CA-S ■概要 ■特長 ELM53403CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-3.6A ・ Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 -60 V 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Vgs ±20 V Id -3.6 -2.6 A Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Pd Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 -15 1.25 A W 0.80 -55 ～ 150 Tj, Tstg ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM53403CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Ciss Coss Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 Qgd ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 -1 Vds=-48V, Vgs=0V, Ta=85℃ -30 Vds=0V, Vgs=±12V Is=-1.5A, Vgs=0V -1.0 -6 nA -2.0 V A 135 128 5 150 Vgs=-4.5V, Vds=-30V Id=-2.2A -0.75 -1.30 td(on) Vgs=-10V, Vds=-30V tr RL=16.7Ω, Id=-1.8A, td(off) Rgen=1Ω tf 5-2 410 45 20 5.0 1.5 mΩ S -1.5 Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz μA ±100 120 Is 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 V Vds=-48V, Vgs=0V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-3.6A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-2.6A Gfs Vds=-15V, Id=-2.2A Vsd -60 V A pF pF pF 10.0 2.5 nC nC nC 5 15 10 25 ns ns 20 10 35 20 ns ns AFP2379 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology シングル P チャンネルEnhancement MOSFET Mode MOSFET ELM53403CA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 Alfa-MOS 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル P チャンネル MOSFET Typical Characteristics ELM53403CA-S ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 Alfa-MOS 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル P チャンネル MOSFET Typical Characteristics ELM53403CA-S ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5