elm53405ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM53405CA-S
■概要
■特長
ELM53405CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-3.6A
・ Rds(on) < 145mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
-30
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Vgs
±20
V
Id
-3.6
-2.4
A
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
-15
1.25
A
W
0.80
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
120
℃/W
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
�
�
5-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM53405CA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Ciss
Coss
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
-1
Vds=-24V, Vgs=0V, Ta=85℃
-30
Vds=0V, Vgs=±20V
Is=-1.5A, Vgs=0V
-1.0
-10
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-2.5A
td(on)
Vgs=-10V, Vds=-15V
tr
RL=7.5Ω, Id=-2A,
td(off)
Rgen=1Ω
tf
5-2
μA
±100
nA
-2.5
V
A
132
145
168
10
180
-0.7
-1.3
V
-1.5
A
Is
入力容量
出力容量
帰還容量
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
V
Vds=-24V, Vgs=0V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-2.8A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-2.4A
Gfs Vds=-5V, Id=-4A
Vsd
-30
mΩ
S
170
50
30
pF
pF
pF
2.5
0.8
nC
nC
1.0
nC
5
10
10
16
ns
ns
10
5
16
10
ns
ns
AFP2303A
Alfa-MOS
30V P-Channel
Technology
シングル P チャンネルEnhancement
MOSFET Mode MOSFET
ELM53405CA-S
Typical Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B May 2011
www.alfa-mos.com
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30V P-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
シングル P チャンネル MOSFET
Typical Characteristics
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Enhancement Mode MOSFET
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■テスト回路と波形
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