elm16401ea

シングル P チャンネル MOSFET
ELM16401EA-S
■概要
■特長
ELM16401EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-5A (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 49mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 64mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 119mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
-30
±12
-5.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
-4.2
-30
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
V
V
2.00
1.44
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
定常状態
Rθja
47.5
74.0
62.5
110.0
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
37.0
50.0
℃/W
3
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
■回路
端子番号
端子記号
1
2
DRAIN
DRAIN
3
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16401EA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.7
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-25
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Vgs=-10V
Id=-5A
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=3Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
-1.0
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
7
-1
-5
μA
±100
nA
-1.3
V
A
42
49
74
53
81
11
64
119
Ta=125℃
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
-0.75 -1.00
-3
mΩ
S
V
A
943
pF
108
73
6
pF
pF
Ω
9.5
2.1
nC
nC
2.9
6
3
nC
ns
ns
40
11
21.2
ns
ns
ns
12.8
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16401EA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
25
Vds=-5V
-10V
20
-4.5V
8
15
-Id (A)
-Id (A)
-3V
-2.5V
10
2
0
0
0
1
2
3
4
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
120
1
1.5
2
2.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Normalized On-Resistance
Vgs=-2.5V
80
1.2
60
Vgs=-4.5V
40
Vgs=-10V
3
Id=-5A
Vgs=-4.5V
Vgs=-10V
1.4
Vgs=-2.5V
Id=-2A
1
0.8
20
0
2
4
6
8
0
10
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
190
170
1.0E+00
150
Id=-2A
1.0E-01
130
125°C
1.0E-02
110
90
-Is (A)
Rds(on) (m� )
0.5
1.6
100
Rds(on) (m� )
125°C
4
25°C
Vgs=-2V
5
6
125°C
70
1.0E-03
25°C
50
25°C
1.0E-04
.
1.0E-05
30
10
0
2
4
6
8
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16401EA-S
5
1200
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
1400
Vds=-15V
Id=-5A
3
2
1
1000
600
400
Coss
Crss
200
0
2
6
8
10
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10.0
4
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
10ms
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
10
1s
10s
DC
0.1
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
15
20
25
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
100�s
0.1s
1
10
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
10
10�s
1ms
0.1
5
40
Rds(on)
limited
1.0
0
12
Power (W)
0
-Id (Amps)
Ciss
800
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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