シングル P チャンネル MOSFET ELM16409EA-S ■概要 ■特長 ELM16409EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ・ Id=-5A (Vgs=-4.5V) ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 56mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-1.8V) ・ ESD Rating : 3000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Id -5.0 -4.2 A 1 Idm -30 A 2 W 1 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -20 V ±8 V Tj, Tstg 2.00 1.28 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 備考 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 t≦10s 定常状態 Rθja 47.5 74.0 62.5 110.0 ℃/W ℃/W 1 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl 37.0 50.0 ℃/W 3 ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) ■回路 端子番号 1 端子記号 DRAIN 2 3 4 DRAIN GATE SOURCE 5 6 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM16409EA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Gfs Vsd Is V -1 Vds=-16V Vgs=0V Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±4.5V -5 ±1 Vds=0V, Vgs=±8V ±10 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 -20 Vgs=-4.5V Id=-5A -0.30 -0.55 -1.00 -25 37 45 Ta=125℃ Vgs=-2.5V, Id=-4A Vgs=-1.8V, Id=-2A Vds=-5V, Id=-5A Is=-1A, Vgs=0V 8 48 60 46 57 56 75 μA μA μA V A mΩ 16 -0.78 -1.00 -2.2 S V A 1450 205 pF pF 160 pF 6.5 Ω 17.2 nC 1.3 4.5 nC nC 9 14 91 ns ns ns 31 33 14 ns ns nC 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Rg Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-5A td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=2Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs If=-5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づい ています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM16409EA-S ■標準特性と熱特性曲線 25 10 -4.5V -8V Vds=-5V -3.0V 20 8 -2.5V -Id (A) -Id (A) -2.0V 15 10 6 125°C 4 Vgs=-1.5V 5 2 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 80 1.5 2 1.6 Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 Vgs=-2.5V 40 Vgs=-4.5V Id=-4A, Vgs=-2.5V Id=-3A, Vgs=-1.8V 1.4 1.2 Id=-5A, Vgs=-4.5V 1.0 20 0 2 4 6 8 0.8 10 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1E+01 90 1E+00 Id=-5A -Is (A) Rds(on) (m� ) 60 125°C 40 75 100 125 150 175 125°C 1E-01 70 50 50 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 80 25 25°C 1E-02 1E-03 1E-04 25°C 1E-05 30 1E-06 20 0 2 4 6 8 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM16409EA-S 2400 5 Vds=-10V Id=-5A 2000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 1 Ciss 1600 1200 800 Coss 400 0 0 5 10 15 Crss 0 20 0 5 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10.0 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 100�s 1ms 10ms 1s 10s 0.1s DC 1 10 0 0.001 100 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 10 0.1 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Rds(on) limited 1.0 15 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000