シングル P チャンネル MOSFET ELM36405EA-S ■概要 ■特長 ELM36405EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-5A ・ Rds(on) < 44mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 連続ドレイン電流 Ta=25℃ -20 ±12 -5 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 最大許容損失 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Pd Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A -4 -20 2.0 Idm Tc=25℃ V V A 3 W 1.4 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦5s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W 110.0 50.0 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 端子番号 端子記号 1 2 3 DRAIN DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM36405EA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA Idss -20 V Vds=-16V, Vgs=0V -1 Vds=-16V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Vgs=-4.5V, Id=-5A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-4A 37 55 44 70 Vgs=-1.8V, Id=-2A 75 100 Vds=-5V, Id=-5A Is=-1A, Vgs=0V 14 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Coss Crss Vgs=0V, Vds=-10V f=1MHz μA ±100 nA -0.45 -0.80 -1.20 V -20 A 1 mΩ 1 -1 S V 1 1 -3 -6 A A 3 1100 170 140 pF pF pF 12.5 2.1 nC nC 2 2 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-5A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V 3.5 7 10 nC ns ns 2 2 2 ターン ・ オフ遅延時間 td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω 30 ns 2 22 20 ns nC 2 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 tf Qrr 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 NIKO-SEM P4402FAG シングル P チャンネル MOSFET P-Channel Logic Level Enhancement TSOP-6 Lead-Free Mode Field Effect Transistor ELM36405EA-S ■標準特性と熱特性曲線 On-Region Variation With Drain Current and Gate Voltage. On-Region Characteristics. 3 VGS=-4.5V -3.0V -3.5V 12 RDS(ON), Normalized Drain-Source On-Resistance -ID, Drain Current(A) 15 -2.5V 9 6 -2.0V 0 0.5 1 1.5 2 -2.5V 2 1 0.5 2.5 -VGS, Drain-Source Voltage(V) On-Region Variation With Temperature. VGS=-4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 -50 -25 0 25 50 75 0 3 100 125 15 ID=-2.5A 0.12 0.1 TA=125° 0.08 0.06 TA=25° 0.04 0.02 1.5 150 2 2.5 3 4 3.5 4.5 5 -VSD, Gate To Source Voltage(V) Body Diode Forward Voltage Variation With Source Current and Temperature. Transfer Characteristics. 10 -IS, Reverse Drain Current(A) VDS=-5.0V 8 TA=-55°C -ID(A) 12 9 -ID, Drain Current(A) 0.14 TJ, Junction Temperature(C°) 10 6 -4.0V On-Region Variation WithGate-to Source Voltage. ID=-5A 1.4 -4.5V 0.18 RDS(ON),On-Resistance(OHM) RDS(ON), Normalized Drain-Source On-Resistance 1.5 -3.0V -3.5V 1.5 3 0 VGS=-2.0V 2.5 25°C 6 125°C 4 2 0 0.5 1 1.5 TA=125° 25° C 0.1 -55° C 0.01 0.001 0.0001 0 VGS=0V 1 2 -VGS(Volts) 3 4-3 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 -VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 Aug-03-2006 シングル P チャンネル MOSFET NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement P4402FAG ELM36405EA-S Mode Field Effect Transistor Gate Charge Characteristics. f=1MHz ID=-5A VDS=-5.0V Capacitance(pF) VGS, Gate-Source Voltage(V) Capacitance Characteristics. 2000 5 4 -10V -15V 3 2 1600 VGS=0V Ciss 1200 800 Coss 1 400 0 0 0 3 6 9 12 15 18 Crss 0 5 10 Maxmum Safe Operating Area. P(pk), Peak Transient Power(W) 100� s 1ms 10 10ms 100ms 1 0.1 10s DC 1s VGS =-4.5V SINGLE PULSE R� JA=156°C/W TA=25°C 0.01 0.1 10 1 20 Sing Pulse Maximum Power Dissipation. 5 100 RDS(ON) LIMIT 15 -VGS(Volts) Qg Gate Charge (nC) SINGLE PULSE R� JA=156°C/W TA=25°C 4 3 2 1 0 100 0.1 1 -VGS,Drain-Source Voltage(V) 10 100 1000 t1,Time(SEC) Transisent Thermal Response Curve. 1 D=0.5 0.2 0.1 R¿ JA(t) = r(t) + R¿ R¿ JA=156°C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 �� P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance -ID,Drain Current(A) TSOP-6 Lead-Free 0.01 t1 Single Pulse t2 TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1,Time(SEC) 4 4-4 1 10 100 300 Aug-03-2006