elm36405ea

シングル P チャンネル MOSFET
ELM36405EA-S
■概要
■特長
ELM36405EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-5A
・ Rds(on) < 44mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
-20
±12
-5
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
-4
-20
2.0
Idm
Tc=25℃
V
V
A
3
W
1.4
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦5s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
110.0
50.0
℃/W
℃/W
備考
■回路
端子番号
端子記号
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM36405EA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
Idss
-20
V
Vds=-16V, Vgs=0V
-1
Vds=-16V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
Igss Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-4A
37
55
44
70
Vgs=-1.8V, Id=-2A
75
100
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
14
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
動的特性
Is
Ism
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V, Vds=-10V
f=1MHz
μA
±100 nA
-0.45 -0.80 -1.20 V
-20
A
1
mΩ
1
-1
S
V
1
1
-3
-6
A
A
3
1100
170
140
pF
pF
pF
12.5
2.1
nC
nC
2
2
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-5A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
3.5
7
10
nC
ns
ns
2
2
2
ターン ・ オフ遅延時間
td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω
30
ns
2
22
20
ns
nC
2
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
tf
Qrr
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
NIKO-SEM
P4402FAG
シングル
P チャンネル
MOSFET
P-Channel
Logic
Level Enhancement
TSOP-6
Lead-Free
Mode Field
Effect Transistor
ELM36405EA-S
■標準特性と熱特性曲線
On-Region Variation With
Drain Current and Gate Voltage.
On-Region Characteristics.
3
VGS=-4.5V
-3.0V
-3.5V
12
RDS(ON), Normalized
Drain-Source On-Resistance
-ID, Drain Current(A)
15
-2.5V
9
6
-2.0V
0
0.5
1
1.5
2
-2.5V
2
1
0.5
2.5
-VGS, Drain-Source Voltage(V)
On-Region Variation With
Temperature.
VGS=-4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
0
3
100
125
15
ID=-2.5A
0.12
0.1
TA=125°
0.08
0.06
TA=25°
0.04
0.02
1.5
150
2
2.5
3
4
3.5
4.5
5
-VSD, Gate To Source Voltage(V)
Body Diode Forward Voltage Variation
With Source Current and Temperature.
Transfer Characteristics.
10
-IS, Reverse Drain Current(A)
VDS=-5.0V
8
TA=-55°C
-ID(A)
12
9
-ID, Drain Current(A)
0.14
TJ, Junction Temperature(C°)
10
6
-4.0V
On-Region Variation WithGate-to Source Voltage.
ID=-5A
1.4
-4.5V
0.18
RDS(ON),On-Resistance(OHM)
RDS(ON), Normalized
Drain-Source On-Resistance
1.5
-3.0V
-3.5V
1.5
3
0
VGS=-2.0V
2.5
25°C
6
125°C
4
2
0
0.5
1
1.5
TA=125°
25° C
0.1
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
VGS=0V
1
2
-VGS(Volts)
3
4-3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
Aug-03-2006
シングル P チャンネル MOSFET
NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement
P4402FAG
ELM36405EA-S
Mode Field Effect Transistor
Gate Charge Characteristics.
f=1MHz
ID=-5A
VDS=-5.0V
Capacitance(pF)
VGS, Gate-Source Voltage(V)
Capacitance Characteristics.
2000
5
4
-10V
-15V
3
2
1600
VGS=0V
Ciss
1200
800
Coss
1
400
0
0
0
3
6
9
12
15
18
Crss
0
5
10
Maxmum Safe Operating Area.
P(pk), Peak Transient Power(W)
100� s
1ms
10
10ms
100ms
1
0.1
10s
DC
1s
VGS =-4.5V
SINGLE PULSE
R� JA=156°C/W
TA=25°C
0.01
0.1
10
1
20
Sing Pulse Maximum Power Dissipation.
5
100
RDS(ON) LIMIT
15
-VGS(Volts)
Qg Gate Charge (nC)
SINGLE PULSE
R� JA=156°C/W
TA=25°C
4
3
2
1
0
100
0.1
1
-VGS,Drain-Source Voltage(V)
10
100
1000
t1,Time(SEC)
Transisent Thermal Response Curve.
1
D=0.5
0.2
0.1
R¿ JA(t) = r(t) + R¿
R¿ JA=156°C/W
0.1
0.05
0.02
0.01
��
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
-ID,Drain Current(A)
TSOP-6
Lead-Free
0.01
t1
Single Pulse
t2
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1,Time(SEC)
4
4-4
1
10
100
300
Aug-03-2006
Similar pages