elm2h401sa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM2H401SA-S
■概要
■特長
ELM2H401SA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-0.4A
パッケージは、 SOT - 723を採用しています。
・ Rds(on) < 650mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 900mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 1400mΩ (Vgs=-1.8V)
■用途
・ Rds(on) < 2300mΩ (Vgs=-1.5V)
・ ノートブックコンピューター
・ ロード ・ スイッチ回路
・ バッテリー保護回路
・ 携帯端末機器
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
-20
V
Vgs
±8
-400
V
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Tc=25℃
mA
Idm
-250
-1.6
Pd
Tj, Tstg
450
-55 ~ 150
A
1
mW
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
280
備考
■回路
�
SOT-723(TOP VIEW)
�
�
単位
℃/W
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM2H401SA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
記号
条件
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
-20
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=25℃
Idss
Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃
Igss
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
最大寄生ダイオード連続電流
Is
-0.3 -0.7 -1.0
700 900
Vgs=-1.8V, Id=-0.1A
Vgs=-1.5V, Id=-0.1A
1100 1400
1700 2300
Id=-0.2A
ターン ・ オン遅延時間
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vds=-10V, Vgs=-4.5V
td(off) Id=-0.2A, Rgen=10Ω
tf
-0.8
-1
A
V
40.0 78.0
15.0 30.0
6.5 13.0
pF
pF
pF
1.00 2.00 nC
2, 3
0.28 0.50 nC
0.18 0.40 nC
2, 3
2, 3
8.0
備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
2. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
3. 動作温度は独立しています
4-2
mΩ
A
Is=-0.2A, Vgs=0V
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
V
-0.4
Vgs=Vds=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss
μA
±20 μA
Vgs=-2.5V, Id=-0.2A
入力容量
出力容量
帰還容量
Qgs
Qgd
-10
500 650
Ism
Vsd
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
-1
Vgs=-4.5V, Id=-0.3A
ダイオード パルス電流
ダイオード順方向電圧
動的特性
Qg
V
Vds=0V, Vgs=±8V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
スイッチング特性
総ゲート電荷
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
16.0
ns
2, 3
5.2 10.0
30.0 60.0
18.0 36.0
ns
ns
ns
2, 3
2, 3
2, 3
シングル P チャンネル MOSFET
ELM2H401SA-S
PM2119EUX
Normalized On Resistance (m)
-ID , Continuous Drain Current (A)
20V P-Channel MOSFETs
■標準特性と熱特性曲線
TJ , Junction Temperature (℃)
TC , Case Temperature (℃)
Fig.2
Continuous Drain Current vs. TC
Qg , Gate Charge (nC)
TJ , Junction Temperature ((℃)
Normalized Vth vs. TJ
Fig.4
Fig.5
Gate Charge Waveform
-ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RΘJA)
Fig.3
Normalized RDSON vs. TJ
-VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
Fig.1
-V
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Transient Response
Fig.6
Powemate Electronics Corp
Maximum Safe Operation Area
Ver.1.00
4-3
3
シングル P チャンネル MOSFET
ELM2H401SA-S
PM2119EUX
20V P-Channel MOSFETs
-VDS
90%
10%
-VGS
Td(on)
Tr
Ton
Fig.7
Td(off)
Tf
Toff
Switching Time Waveform
Fig.8
Powemate Electronics Corp
Gate Charge Waveform
Ver.1.00
4
4-4
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