シングル P チャンネル MOSFET ELM2H401SA-S ■概要 ■特長 ELM2H401SA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-0.4A パッケージは、 ＳＯＴ - ７２３を採用しています。 ・ Rds(on) < 650mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 900mΩ (Vgs=-2.5V) ・ Rds(on) < 1400mΩ (Vgs=-1.8V) ■用途 ・ Rds(on) < 2300mΩ (Vgs=-1.5V) ・ ノートブックコンピューター ・ ロード ・ スイッチ回路 ・ バッテリー保護回路 ・ 携帯端末機器 ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds -20 V Vgs ±8 -400 V Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Tc=25℃ mA Idm -250 -1.6 Pd Tj, Tstg 450 -55 ～ 150 A 1 mW ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 280 備考 ■回路 � SOT-723(TOP VIEW) � � 単位 ℃/W � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM2H401SA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 記号 条件 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -20 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=25℃ Idss Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃ Igss ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 最大寄生ダイオード連続電流 Is -0.3 -0.7 -1.0 700 900 Vgs=-1.8V, Id=-0.1A Vgs=-1.5V, Id=-0.1A 1100 1400 1700 2300 Id=-0.2A ターン ・ オン遅延時間 td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vds=-10V, Vgs=-4.5V td(off) Id=-0.2A, Rgen=10Ω tf -0.8 -1 A V 40.0 78.0 15.0 30.0 6.5 13.0 pF pF pF 1.00 2.00 nC 2, 3 0.28 0.50 nC 0.18 0.40 nC 2, 3 2, 3 8.0 備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 2. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 3. 動作温度は独立しています 4-2 mΩ A Is=-0.2A, Vgs=0V Vgs=-4.5V, Vds=-10V V -0.4 Vgs=Vds=0V Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Crss μA ±20 μA Vgs=-2.5V, Id=-0.2A 入力容量 出力容量 帰還容量 Qgs Qgd -10 500 650 Ism Vsd ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 -1 Vgs=-4.5V, Id=-0.3A ダイオード パルス電流 ダイオード順方向電圧 動的特性 Qg V Vds=0V, Vgs=±8V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA スイッチング特性 総ゲート電荷 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 16.0 ns 2, 3 5.2 10.0 30.0 60.0 18.0 36.0 ns ns ns 2, 3 2, 3 2, 3 シングル P チャンネル MOSFET ELM2H401SA-S PM2119EUX Normalized On Resistance (m) -ID , Continuous Drain Current (A) 20V P-Channel MOSFETs ■標準特性と熱特性曲線 TJ , Junction Temperature (℃) TC , Case Temperature (℃) Fig.2 Continuous Drain Current vs. TC Qg , Gate Charge (nC) TJ , Junction Temperature ((℃) Normalized Vth vs. TJ Fig.4 Fig.5 Gate Charge Waveform -ID , Continuous Drain Current (A) Normalized Thermal Response (RΘJA) Fig.3 Normalized RDSON vs. TJ -VGS , Gate to Source Voltage (V) Normalized Gate Threshold Voltage (V) Fig.1 -V VDS , Drain to Source Voltage (V) Square Wave Pulse Duration (s) Normalized Transient Response Fig.6 Powemate Electronics Corp Maximum Safe Operation Area Ver.1.00 4-3 3 シングル P チャンネル MOSFET ELM2H401SA-S PM2119EUX 20V P-Channel MOSFETs -VDS 90% 10% -VGS Td(on) Tr Ton Fig.7 Td(off) Tf Toff Switching Time Waveform Fig.8 Powemate Electronics Corp Gate Charge Waveform Ver.1.00 4 4-4