elm321504a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM321504A-S
■概要
■特長
ELM321504A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-40V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-45A
・ Rds(on) < 15mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 29mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
最大許容損失
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
-40
±20
-45
V
V
A
-36
Idm
Ias
-150
-45
A
A
3
Eas
102
50
32
mJ
4
-55 ~ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
W
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
2.5
75.0
℃/W
℃/W
備考
■回路
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TO-252-3(TOP VIEW)
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端子番号
1
2
端子記号
GATE
DRAIN
3
SOURCE
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5-1
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM321504A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
Rds(on)
-1
Vds=-30V, Vgs=0V
Ta=55℃
-10
13
19
24
Gfs
Vds=-5V, Id=-25A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=Is, Vgs=0V
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ciss
Vgs=0V, Vds=-15V
Coss
f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=-15mV, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-20V
Id=-25A
td(on)
Vgs=-10V, Vds=-20V
tr
Id=-1A, RL=0.75Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
-1.7
-150
If=-25A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. Vdd=-20V, 立ち上がり Tj=25℃
5-2
μA
±100 nA
-2.2 -3.0
V
A
Vgs=-10V, Id=-25A
Vgs=-4.5V, Id=-15A
順方向相互コンダクタンス
動的特性
入力容量
出力容量
V
Vds=-32V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-40
-0.7
15
29
-1.3
-25
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
2700 2950 pF
400 430 pF
230
3.5
250
4.5
pF
Ω
40
45
nC
2
10
5
13
8
nC
nC
2
2
11
75
89
ns
ns
ns
2
2
2
35
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2
28
26
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シングル
P チャンネル MOSFET
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ELM321504A-S
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■標準特性と熱特性曲線
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P チャンネル MOSFET
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ELM321504A-S
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シングル P チャンネル
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ELM321504A-S
■テスト回路と波形
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5- 5
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