elm323506a

シングル P チャンネル MOSFET
ELM323506A-S
■概要
■特長
ELM323506A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-60V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-26A
・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-7V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=100℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
-60
±20
-26
V
V
A
-16
Idm
Ias
-100
-39
A
A
3
Eas
77
42
17
mJ
5
-55 ~ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
W
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
Rθjc
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
3
50
℃/W
℃/W
備考
■回路
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TO-252-3(TOP VIEW)
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端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
4-1
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�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM323506A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
-60
V
Vds=-48V, Vgs=0V
-1
Vds=-40V, Vgs=0V
Ta=55℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vds=-5V, Vgs=-10V
-2.0
-100
±100 nA
-2.7 -4.0
V
A
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-25A
Vgs=-7V, Id=-20A
29
32
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-5V, Id=-25A
15
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=-25A, Vgs=0V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ciss
Vgs=0V, Vds=-30V
Coss
f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-25A
td(on)
Vgs=-10V, Vds=-30V
tr
Id=-20A, RL=1Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-25A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
5. Vdd=-30V, 立ち上がり Tj=25℃
4-2
μA
35
55
-1.3
-26
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
2550
241
pF
pF
140
4.85
pF
Ω
39
nC
2
13
8
nC
nC
2
2
30
90
70
ns
ns
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2
2
2
15
ns
2
30
100
ns
nC
シングル P チャンネル MOSFET
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■標準特性と熱特性曲線
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4-4
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