elm7sh86xb

高速 CMOS ロジック IC
ELM7SH86xB 2入力 エクスクルシブ OR ゲート
■概要
ELM7SH86xB は CMOS2 入力エクスクルシブ OR ゲートです。 この IC は低電圧で、 超高速動 (2ns) す
るためバッテリー動作機器、 特にノート型コンピュータなどに適しています。 低消費電力なのでバッテリー寿
命が長くなり、 長時間の機器動作が可能です。 また内部回路は 3 段構成でバッファ付きとなっており、 広い
雑音耐量と安定した出力を達成しています。
■特長
• 74VHC シリーズと同等の電気的特性
• 低消費電流 : Idd=1.0μA(最大)(Top=25℃ )
• 広い電源電圧範囲 • 広い入力電圧範囲 : 2.0V~5.5V
: Vih=5.5V(最大)(Vdd=0~5.5V)
• 高速動作
• 小型パッケージ : Tpd=2ns(標準)(Vdd=5.0V)
: SOT-25、 SC-70-5(SOT-353)
• ELM7S シリーズと同一ファンクション、 端子配置
■用途
• 携帯電話、 デジタルカメラ、 PDA 等の携帯型電子機器 • PC 及びその周辺機器
• 液晶 TV、 DVD レコーダー / プレイヤー、 STB 等のデジタル家電
• プリント基板内での回路修正、 タイミング調整、 ノイズ対策
• 5V 系電源から 3V 系電源への電圧変換
■セレクションガイド
ELM7SH86xB-EL
記号
a
機能
b
パッケージ
c
d
製品バージョン
テーピング方向
86: 2 入力エクスクルシブ OR ゲート
M: SOT-25
T: SC-70-5(SOT-353)
B
EL: パッケージ ファイル参照
ELM7SH 8 6 x B - EL
↑ ↑↑ ↑
a b c d
■絶対最大定格値
項目
電源電圧
入力電圧
出力電圧
入力保護ダイオード電流
出力寄生ダイオード電流
出力電流
VDD/GND電流
許容損失
保存温度
記号
Vdd
Vin
Vout
Iik
Iok
Iout
Idd, Ignd
Pd
Tstg
規格値
-0.5~+6.0
-0.5~+6.0
-0.5~Vdd+0.5
-20
±20
±25
±50
150
-65~+150
3-1
単位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
℃
高速 CMOS ロジック IC
ELM7SH86xB 2入力 エクスクルシブ OR ゲート
■推奨動作条件
電源電圧
入力電圧
出力電圧
動作温度
項目
記号
Vdd
Vin
Vout
Top
遷移時間
tr, tf
規格値
2.0~5.5
0~5.5
0~Vdd
-40~+85
±
Vdd=3.3 0.3V
Vdd=5.0±0.5V
単位
V
V
V
℃
0~200
0~100
ns
■端子配列図
TOP VIEW
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
3
4
5
端子記号
INB
INA
GND
OUTX
VDD
入力
INA
Low
Low
High
High
INB
Low
High
Low
High
出力
OUTX
Low
High
High
Low
■DC 電気的特性
項目
記号
Vih
入力電圧
Vil
Voh
出力電圧
Vol
入力電流
Iin
静的消費電流 Idd
Vdd
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
Top=25℃
Top=-40~+85℃
単位
条件
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
1.50
1.50
2.10
2.10
V
3.85
3.85
0.50
0.50
0.90
0.90
V
1.65
1.65
1.90 2.00
1.90
2.90 3.00
2.90
Vin=Vil Ioh=-50μA
4.40 4.50
4.40
V
または
2.58
2.48
Vih
Ioh=-4mA
3.94
3.80
Ioh=-8mA
0.10
0.10
0.10
0.10
Vin=Vil Iol=50μA
0.10
0.10
V
または
0.36
0.44
Vih
Iol=4mA
0.36
0.44
Iol=8mA
-0.1
0.1
-1.0
1.0
μA Vin=Vdd または GND
1.0
10.0
μA Vin=Vdd または GND
3-2
ELM7SH86xB 2入力 エクスクルシブ OR ゲート
高速 CMOS ロジック IC
■AC 電気的特性
項目
記号
tPLH
tPHL
tPLH
tPHL
伝播遅延時間
tPLH
tPHL
tPLH
tPHL
入力容量
Cin
等価内部容量 Cpd
Vdd
CL
3.3±0.3 15
3.3±0.3 50
5.0±0.5 15
5.0±0.5 50
5.0
tr=tf=3ns
Top=25℃
Top=-40~+85℃
単位
条件
Min. Typ. Max.
Min.
Max.
4.4
11.0
1.0
13.0
4.0
11.0
1.0
13.0
6.1
14.5
1.0
16.5
5.6
14.5
1.0
16.5
ns
試験回路参照
3.3
6.8
1.0
8.0
2.9
6.8
1.0
8.0
4.4
8.8
1.0
10.0
4.1
8.8
1.0
10.0
4.0
10.0
10.0 pF Vin=Vdd or GND
12.0
pF
f=1MHz
* Cpd は IC の内部等価容量で、 下記の試験回路に対応する無負荷動作消費電流から計算される。 無負荷時の平
均動作消費電流は次の式で計算できる : Idd(opr) = Cpd × Vdd × fin + Idd
■試験回路
■測定波形
���
���
�����
����������
�����
������
�����
���
���
���
���
���
���
���
���
����
����
��
���
���
���
���
���
������
���
* 消費電力の測定時、 出力は無負荷
■マーキング
SC-70-5
�
�
�
SOT-25
�
�
記号
a
b
�
c
3-3
マーク
F
8
A~Z
(I, O, X を除く )
内容
ELM7SH シリーズ
ELM7SH86xB
ロット番号
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