elm77 series

ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
■概要
ELM77xxxxxCはバッテリー動作機器用デュアル CMOS電圧検出器です。 本 IC は、 一般の電圧検出器と
異なり、 2 個のコンパレータ回路を内蔵し、 Vdetn2(Vdd レベル ) とVdetn1(Vdetレベル ) を同時かつ独立
して監視しています。 これにより、 Vdetレベルが 0Vまで低下しても、 出力を検出状態に保持する事が可能
です。
■特長
■用途
• 検出電圧範囲
: Vdetn1(Vdet) 0.8V~5.0V (by0.1V)
• マイコンのリセット
• 低消費電流
• 高精度検出電圧
Vdetn2(Vdd) 1.1V~5.0V (by0.1V)
: Typ.0.6μA(Vdd=3.0V)
: ±2.0%(Vdetn1, 2>1.5V)
• バッテリーチェッカー
• 電圧不足の検出
• バックアップ電源への切替
• 高入力抵抗
• 低温度係数
±30mV(Vdetn1, 2≦1.5V)
: Typ.10MΩ
: Typ.±100ppm/°C
• 出力形態
• パッケージ
: N-ch オープンドレイン
: SOT-25
■絶対最大定格値
項目
電源電圧
検出入力電圧 ( 検出電圧用 )
出力電圧
出力電流
許容損失
動作温度
保存温度
記号
Vdd
Vdet
Vout1
Vout2
Iout1
Iout2
Pd
Top
Tstg
規格値
Vss-0.3~10.0
Vss-0.3~10.0
単位
V
V
Vss-0.3~10.0
V
25
mA
250
-40~+85
-55~+125
mW
℃
℃
■セレクションガイド
ELM77xxxxxC-x
記号
a, b
c, d
e
f
g
例)
検出電圧 2
22: Vdetn2=2.2V, 24: Vdetn2=2.4V
27: Vdetn2=2.7V
例)
検出電圧 1
09: Vdetn1=0.9V, 11: Vdetn1=1.1V
パッケージ
B: SOT-25
製品バージョン C
S: パッケージ ファイル参照
テーピング方向
N: パッケージ ファイル参照
10 - 1
ELM77 x x x x x C - x
↑↑↑↑↑ ↑ ↑
a bc d e f g
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
■端子配列図
SOT-25(TOP VIEW)
端子番号
1
2
3
4
5
端子記号
OUT1
VDD
VSS
VDET
OUT2
■ブロック図
���
����
�������������������
�
�
����
����
����
�
�
���
■回路例
�����������
����
����
���
����
�������
����
�����������
����
���
10 - 2
����
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
■動作タイミングチャート
���
�� �
detn�
�������
�������
� detp�
�����
� hys�
�����������������������������
� �������������� �������� ����� �
����
� � ��
����
���
�� � ��
�����
��
���
�����
����
�� ��
detn�
�������
�������
� detp�
�����
� hys�
����
� � ��
�� � ��
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���
���
������
�� � ������ ������� ��� ������
���� � ���� � ��� ��������
��� ��� ����� � �������������� ��������
* Vdd 電圧が最小動作電圧より小さい時には、 出力状態は不定
■電気的特性
ELM772211BC(Vdetn1=1.1V, Vdetn2=2.2V) 特に指定なき場合、Rpullup=100K、 Vpullup=3V、Top=25℃
Min.
Typ.
Max. 単位 備考
項目
記号
条件
動作電圧
Vdd
1.0
6.0
V
検出電圧 1
Vdetn1 Vdd=1.5V, Vdet= 検出電圧
1.070 1.100 1.130
V
1
検出電圧 2
Vdetn2 Vdd= 検出電圧
2.156 2.200 2.244
V
1
Vdetn1
Vdetn1
Vdetn1
ヒステリシス幅 1
Vhys1
V
1
×0.04 ×0.08 ×0.12
Vdetn2 Vdetn2 Vdetn2
ヒステリシス幅 2
Vhys2
V
1
×0.02 ×0.04 ×0.06
消費電流
Idd Vdd=3V, Vdet=0V, OUT1,2:Open
0.6
2.0
μA
2
出力電流 1
Ioutn1 Vdd=1V, Vdet=0V, Vout1=0V
1
3
mA
3
出力電流 2
Ioutn2 Vdd=1.0V, Vout2=0.5V
1
3
mA
3
オープンドレイン
Ileak1 Vdd=6V, Vdet=6V, Vout1=6V
0.001 0.400 μA
3
漏れ電流 1
オープンドレイン
Ileak2 Vdd=6V, Vdet=6V, Vout2=6V
0.001 0.400 μA
3
漏れ電流 2
入力抵抗
Rdet Vdet=5V, Vdd=0V
10
MΩ
4
検出遅延 1
tPHL1 Vdd=6V, Vdet=6V → 0V
160
μs
5
検出遅延 2
tPHL2 Vdd=6V → 1V
70
μs
6
リリース 遅延 1
tPLH1 Vdd=6V, Vdet=0V → 6V
120
μs
5
リリース 遅延 2
tPLH2 Vdd=1V → 6V
60
μs
6
ΔVdetn
±100
検出電圧温度特性
Top=-40℃~+85℃
ppm/℃ ΔTop
注 : 備考欄は試験回路番号
10 - 3
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
ELM772409BC(Vdetn1=0.9V, Vdetn2=2.4V) 特に指定なき場合、Rpullup=100K、 Vpullup=3V、Top=25℃
項目
記号
条件
Min.
Typ. Max. 単位 備考
動作電圧
Vdd
1.0
6.0
V
検出電圧 1
Vdetn1 Vdd=1.5V, Vdet= 検出電圧
0.870 0.900 0.930
V
1
検出電圧 2
Vdetn2 Vdd= 検出電圧
2.352 2.400 2.448
V
1
Vdetn1 Vdetn1 Vdetn1
ヒステリシス幅 1
Vhys1
V
1
×0.04 ×0.08 ×0.12
Vdetn2 Vdetn2 Vdetn2
ヒステリシス幅 2
Vhys2
V
1
×0.02 ×0.04 ×0.06
消費電流
Idd Vdd=3V, Vdet=0V, OUT1,2:Open
0.6
2.0
μA
2
出力電流 1
Ioutn1 Vdd=1V, Vdet=0V, Vout1=0V
1
3
mA
3
出力電流 2
Ioutn2 Vdd=1.0V, Vout2=0.5V
1
3
mA
3
オープンドレイン
Ileak1 Vdd=6V, Vdet=6V, Vout1=6V
0.001 0.400 μA
3
漏れ電流 1
オープンドレイン
Ileak2 Vdd=6V, Vdet=6V, Vout2=6V
0.001 0.400 μA
3
漏れ電流 2
入力抵抗
Rdet Vdet=5.0V, Vdd=0V
10
MΩ
4
検出遅延 1
tPHL1 Vdd=6V, Vdet=6V → 0V
160
μs
5
検出遅延 2
tPHL2 Vdd=6V → 1V
70
μs
6
リリース 遅延 1
tPLH1 Vdd=6V, Vdet=0V → 6V
120
μs
5
リリース 遅延 2
tPLH2 Vdd=1V → 6V
60
μs
6
ΔVdetn
±100
検出電圧温度特性
Top=-40℃~+85℃
ppm/℃ ΔTop
注 : 備考欄は試験回路番号
ELM772709BC(Vdetn1=0.9V, Vdetn2=2.7V) 特に指定なき場合、Rpullup=100K、 Vpullup=3V、Top=25℃
項目
記号
条件
Min.
Typ. Max. 単位 備考
動作電圧
Vdd
1.0
6.0
V
検出電圧 1
Vdetn1 Vdd=1.5V, Vdet= 検出電圧
0.870 0.900 0.930
V
1
検出電圧 2
Vdetn2 Vdd= 検出電圧
2.645 2.700 2.754
V
1
Vdetn1
Vdetn1
Vdetn1
ヒステリシス幅 1
Vhys1
V
1
×0.04 ×0.08 ×0.12
Vdetn2 Vdetn2 Vdetn2
ヒステリシス幅 2
Vhys2
V
1
×0.02 ×0.04 ×0.06
消費電流
Idd Vdd=3V, Vdet=0V, OUT1,2:Open
0.6
2.0
μA
2
出力電流 1
Ioutn1 Vdd=1.0V, Vdet=0V, Vout1=0V
1
3
mA
3
出力電流 2
Ioutn2 Vdd=1.0V, Vout2=0.5V
1
3
mA
3
オープンドレイン
Ileak1 Vdd=6V, Vdet=6V, Vout1=6V
0.001 0.400 μA
3
漏れ電流 1
オープンドレイン
Ileak2 Vdd=6V, Vdet=6V, Vout2=6V
0.001 0.400 μA
3
漏れ電流 2
入力抵抗
Rdet Vdet=5V, Vdd=0V
10
MΩ
4
検出遅延 1
tPHL1 Vdd=6V, Vdet=6V → 0V
160
μs
5
検出遅延 2
tPHL2 Vdd=6V → 1V
70
μs
6
リリース 遅延 1
tPLH1 Vdd=6V, Vdet=0V → 6V
120
μs
5
リリース 遅延 2
tPLH2 Vdd=1V → 6V
60
μs
6
ΔVdetn
±100
検出電圧温度特性
Top=-40℃~+85℃
ppm/℃ ΔTop
注 : 備考欄は試験回路番号
10 - 4
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
■試験回路
1) 検出電圧 と ヒステリシス幅
2) 消費電流
�����
���
�����
���
�
����
���
����
����
���
�
�
4) 入力抵抗
�
���
�
���
����
���
�����������
���
����
�
����
5) 遅延時間 1 と リリース 時間 1
����
6) 遅延時間 2 と リリース 時間 2
�����
�����
���
����
����
�����������
���
���
���
����
�����������
���
3) 出力電流 と 漏れ電流
���
����
�����������
����
�
���
�
����
���
���
����
��2
PG2
�����������
����
����
�����������
����
����
��1
PG1
���
���
PG1 波形
PG2 波形
��
��
��
��
��
10 - 5
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
■検出電圧精度リファレンスチャート
ターゲット (V)
許容差
Vdetn1 Vdetn2 (mV, %)
0.8
0.9
1.0
1.1
1.1
±30mV
1.2
1.2
1.3
1.3
1.4
1.4
1.5
1.5
1.6
1.6
1.7
1.7
1.8
1.8
1.9
1.9
2.0
2.0
2.1
2.1
2.2
2.2
±2%
2.3
2.3
2.4
2.4
2.5
2.5
2.6
2.6
2.7
2.7
2.8
2.8
2.9
2.9
検出電圧 (V)
Min.
Max.
0.770
0.830
0.870
0.930
0.970
1.030
1.070
1.130
1.170
1.230
1.270
1.330
1.370
1.430
1.470
1.530
1.568
1.632
1.666
1.734
1.764
1.836
1.862
1.938
1.960
2.040
2.058
2.142
2.156
2.244
2.254
2.346
2.352
2.448
2.450
2.550
2.548
2.652
2.646
2.754
2.744
2.856
2.842
2.958
ターゲット (V)
許容差
Vdetn1 Vdetn2 (mV, %)
3.0
3.0
3.1
3.1
3.2
3.2
3.3
3.3
3.4
3.4
3.5
3.5
3.6
3.6
3.7
3.7
3.8
3.8
3.9
3.9
4.0
4.0
±2%
4.1
4.1
4.2
4.2
4.3
4.3
4.4
4.4
4.5
4.5
4.6
4.6
4.7
4.7
4.8
4.8
4.9
4.9
5.0
5.0
■マーキング
SOT-25
����������
a ~ d : 組み立てロット番号
A~Z (I, O, X を除く ) と 0~9
10 - 6
検出電圧 (V)
Min.
Max.
2.940
3.060
3.038
3.162
3.136
3.264
3.234
3.366
3.332
3.468
3.430
3.570
3.528
3.672
3.626
3.774
3.724
3.876
3.822
3.978
3.920
4.080
4.018
4.182
4.116
4.284
4.214
4.386
4.312
4.488
4.410
4.590
4.508
4.692
4.606
4.794
4.704
4.896
4.802
4.998
4.900
5.100
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
■検出電圧特性曲線
• ELM772211BC
Vout1 vs
Vdet
�
Vout2 vs
Vdd
�
3.5
3.5
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
Ta=25�
3
-30�
2.5
25�
2
Vout2 (V)
Vout1 (V)
2.5
80�
1.5
0.5
0.5
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
1.4
0
Vdet (V)
�
1.2
2.32
1.5
2
2.5
3
�
Vdetn2, Vdetp2
vs Ta
�
Vdetp2
2.28
1.14
Vdetn2, Vdetp2 (V)
Vdetn1, Vdetp1 (V)
1
2.3
Vdetp1
1.16
Vhys1
1.12
1.1
1.08
Vdetn1
1.06
1.04
2.26
2.24
Vhys2
2.22
2.2
Vdetn2
2.18
2.16
2.14
1.02
2.12
1
-40
����
1
-20
0
20
40
60
��
2.1
80
Ambient Temperature (�)
-40
Idd vs �Vdd
Cond.
Vdet=0V
Vout1=Open
0.8� � � �
Vout2=Open
Ta=25�
0.7
0.9
Idd (�A)
0.5
Vdd (V)
Vdetn1, Vdetp1 vs Ta
1.18
-30�
1.5
1
0
25�
2
1
0.8
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
Ta=25�
80�
3
80�
25�
0.6
-30�
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
Vdd (V)
10 - 7
-20
0
20
40
60
Ambient Temperature (�)
80
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
• ELM772409BC
Vout1� vs Vdet
Vout2 vs
Vdd
�
3.5
3.5
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
Ta=25�
3
-30�
2.5
25�
2
Vout2 (V)
Vout1 (V)
2.5
80�
1.5
2
25°C
1.5
-30°C
1
1
0.5
0.5
0
0
0.7
0.8
�
1
0.9
1.1
1
Vdet (V)
0
Vdetn1, Vdetp1
vs Ta
�
2.6
0.98
Vdetp1
Cdetn2, Vdetp2 (V)
0.94
Vhys1
0.92
0.9
Vdetn1
0.88
0.5
�
1
0.86
0.84
1.5
2
Vdd (V)
2.5
3
Vdetn2, Vdetp2
vs Ta
�
2.55
0.96
Vdetn1, Vdetp1 (V)
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
Ta=25°C
80°C
3
Vdetp2
2.5
Vhys2
2.45
2.4
Vdetn2
2.35
0.82
2.3
0.8
-40
-20
0
20
40
60
-40
80
Idd vs Vdd
1
Cond.
Vdet=0V
Vout1=Open
Vout2=Open
Ta=25�
0.9
0.8
0.7
80�
25�
Idd (�A)
0.6
-30�
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
-20
0
20
40
60
Ambient Temperature (°C)
Ambient Temperature (�)
5
6
Vdd (V)
10 - 8
80
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
• ELM77xxxxBC
1.E+03
tPHL1, tPLH1 vs Cload
�
tPHL2, tPLH2
� vs Cload
1.E+04
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
Vdd=6V
�Vdet=6V�1V(fall)
�Vdet=1V�6V(rise)
Ta=25°C
�����
tPHL2, tPLH2 (�s)
tPHL1, tPLH1 (�s)
1.E+04
�����
1.E+02
1.E+01
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E+03
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
�Vdd=6V�1V (fall)
�Vdd=�V�6V (rise)
Ta=25°C
tPHL1
1.E+02
1.E+01
1.E-04
1.E-01
1.E-03
Cload (�F)
8
8
5
4
Vdd=1.0V
3
Cond.
Vdet=0V
Vdd=1.5V
9
Iout1, Iout2 (mA)
Iout1, Iout2 (mA)
Iout vs� Vout
Cond.
Vdet=0V
Ta=25°C
Vdd=1.2V
6
2
-30°C
7
25°C
6
5
80°C
4
3
2
1
1
0
0
0
1
2
3
4
Vout1, Vout2 (V)
0
5
tPHL1 vs Ta
160
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
Vdd=6V
�Vdet=6V~0V (fall)
350
300
0.2
0.4
0.8
0.6
Vout1, Vout2 (V)
400
Cond.
Rpullup=100K
Vpullup=3V
�Vdd=6V�1V(fall)
120
250
tPHL2� vs Ta
�
140
100
200
tPHL2 (�s)
tPHL1 (�s)
1.E-01
10
Vdd=1.5V
7
1.E-02
Cload (�F)
Iout-Vout
�
�
tPLH1
tPHL1
150
80
60
100
40
50
20
0
-40
-20
0
20
40
60
Ambient Temperature (°C)
tPHL2
0
80
-40
-20
0
20
40
60
Ambient Temperature (°C)
10 - 9
80
ELM77xxxxxC CMOS デュアル電圧検出器
Cond.
Vdd=1.5V
Vdet=0V
Vout1=0.5V
Vout2=0.5V
7
6
Iout1, Iout2 (mA)
Iout1, Iout2
vs Ta
�
�
8
5
4
3
2
1
0
-40
-20
0
20
40
60
80
Ambient Temperature (°C)
• ELM77xx11BC
Idet vs Vdet
�
0.3
Idet vs Ta
0.5
Cond.
Ta=25°C
0.25
Vdet=4.5V
0.4
Idet (�A)
Idet (�A)
0.2
0.15
Rdet~10M�
0.3
Vdet=3V
0.2
0.1
Vdet=1.5V
0.1
0.05
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-40
-20
0
20
40
60
Ambient Temperature (°C)
Vdet (V)
10 - 10
80
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