elm14604aa

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14604AA-N
■概要
■特長
ELM14604AA-N は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=30V
Vds=-30V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=6.9A(Vgs=10V)
・ Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V)
Id=-5A(Vgs=-10V)
Rds(on) < 52mΩ(Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 87mΩ(Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
項目
ドレイン - ソース電圧
記号
N-ch (Max.)
Vds
30
-30
V
ゲート - ソース電圧
Vgs
±20
6.9
5.8
±20
-5.0
-4.2
V
A
1
30
2.00
1.44
-20
2.00
1.44
A
2
-55 ~ 150
-55 ~ 150
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj,Tstg
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦ 10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
Typ.
48.0
74.0
Max.
62.5
110.0
単位
℃/W
℃/W
備考
Rθjl
35.0
40.0
℃/W
3
t ≦ 10s
定常状態
Rθja
48.0
74.0
62.5
110.0
℃/W
℃/W
1
定常状態
Rθjl
35.0
40.0
℃/W
3
■端子配列図
チャンネル
N-ch
P-ch
1
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
7- 1
・ N-ch
・ P-ch
D2
G2
D1
G1
S2
S1
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14604AA-N
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
0.004 1.000
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Ta=55℃
5.000
100
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=10V, Id=6.9A
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5.0A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
Crss
Rg
V
Vds=5V, Id=6.9A
Is=1A
10.0
1.9
3.0
μA
nA
V
A
22.5
31.3
28.0
38.0 mΩ
34.5
42.0
15.4
0.76
Is
680
1.00
S
V
3
A
820
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
102
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
77
3.0
pF
Ω
3.6
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A
13.84 17.00 nC
6.74 8.10 nC
1.82
nC
Qgd
td(on)
3.20
4.6
nC
ns
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
4.1
20.6
5.2
ns
ns
ns
trr
Qrr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
16.5
7.8
20.0
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 2
AO4604
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14604AA-N
N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
■標準特性曲線 (N-ch)
20
30
10V
25
6V
5V
4.5V
12
15
Id (A)
Id (A)
20
3.5V
8
10
125°C
Vgs=3V
5
4
0
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
1.6
Normalized On-Resistance
60
50
Rds(on) (m� )
25°C
0
5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=4.5V
40
30
Vgs=10V
20
Vgs=10V
Id=5A
1.5
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
10
0
5
10
15
0
20
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
70
1.0E+01
1.0E+00
Is Amps
Id=5A
60
Rds(on) (m� )
Vds=5V
16
4V
50
125°C
40
1.0E-01
1.0E-02
125°C
1.0E-03
30
25°C
1.0E-04
25°C
20
1.0E-05
0.0
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 3
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
1.0
AO4604
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14604AA-N
N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=6.9A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
5
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
10ms
1s
DC
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0
0.001
Vds (Volts)
10
30
10
10s
0.1
25
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
30
10�s
0.1s
1
20
40
Power W
Id (Amps)
100�s
1ms
10
15
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 4
100
1000
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14604AA-N
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
-30
-1
Vds=-24V
Vgs=0V
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±20V
-5
±100
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-5A
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
Crss
Rg
V
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
6.0
-1.8
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
nA
V
A
39
54
52
70
67
87
8.6
-0.77 -1.00
Is
Vgs=0V, Vds=-15V
-3.0
μA
700
mΩ
S
V
-2.8
A
900
pF
120
pF
75
10
pF
Ω
15
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qg
Qg
Qgs
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
14.7
7.6
2.0
19.0
10.0
nC
nC
nC
3.8
8.3
nC
ns
5.0
29.0
14.0
ns
ns
ns
23.5
13.4
30.0
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 5
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4604
ELM14604AA-N
■標準特性曲線
(P-ch)
P-CHANNEL:
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
20
-10V
-6V
-4.5V
15
Vds=-5V
8
-4V
10
-Id (A)
-Id (A)
10
-5V
-3.5V
Vgs=-3V
5
6
4
125°C
2
25°C
-2.5V
0
0.00
0
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
0
1
3
4
1.60E+00
80
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
100
Vgs=-4.5V
60
Vgs=-10V
40
20
Vgs=-4.5V
1.40E+00
Vgs=-10V
1.20E+00
1.00E+00
Id=-5A
8.00E-01
1
3
5
7
9
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
160
140
1E+00
Id=-5A
120
1E-01
100
1E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
2
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
125°C
80
125°C
1E-03
25°C
1E-04
60
25°C
40
1E-05
1E-06
20
2
4
6
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.0
7- 6
1.2
AO4604
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14604AA-N
P-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1000
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1200
Vds=-15V
Id=-5A
6
4
2
Ciss
800
600
400
Coss
200
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Crss
0
16
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10ms
10s
0.1
1
DC
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
-Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
30
10
1s
0.1
25
30
100�s
0.1s
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10�s
1ms
1
15
40
Rds(on)
limited
10
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 7
100
1000
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