コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14614AA-N ■概要 ■特長 ELM14614AA-N は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=6A(Vgs=10V) Id=-5A(Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 31mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V) Vds=-40V ・ Rds(on) < 45mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 63mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 記号 Vds Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ Ta=85℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 シングル パルス アバランシェ エネルギー L=0.3mH Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ Tc=85℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -40 V ±20 V -5.0 -4.0 A 1 -3.8 -20 A 2 14 A Idm Iar N-ch (Max.) 40 ±20 6.0 5.0 4.5 20 12 Eas 22 29 2.00 1.28 1.05 -55 ～ 150 2.00 1.28 1.05 -55 ～ 150 Id Pd Tj,Tstg mJ W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t ≦ 10s 定常状態 定常状態 t ≦ 10s 定常状態 定常状態 Rθja チャンネル N-ch Rθjl Rθja Rθjl ■端子配列図 P-ch Typ. 48.0 74.0 35.0 48.0 74.0 35.0 Max. 62.5 110.0 50.0 62.5 110.0 50.0 単位 ℃/W ℃/W ℃/W ℃/W ℃/W ℃/W 備考 1 3 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 3 4 5 6 7 8 端子記号 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 DRAIN2 DRAIN2 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D2 G2 D1 G1 S2 S1 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14614AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=10mA, Vgs=0V Vds=32V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Id=6A Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=5A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=5V, Id=6A ダイオード順方向電圧 Vsd Is=1A, Vgs=0V 最大寄生ダイオード連続電流 Is パルス 寄生ダイオード電流 Ism 動的特性 入力容量 Ciss Vgs=0V, Vds=20V 出力容量 Coss f=1MHz 帰還容量 Crss ゲート抵抗 Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) Qg Vgs=10V, Vds=20V 総ゲート電荷 (4.5V) Qg ゲート - ソース電荷 Qgs Id=6A ゲート - ドレント電荷 Qgd td(on) ターン ・ オン遅延時間 Vgs=10V, Vds=20V ターン ・ オン立ち上がり時間 tr ターン ・ オフ遅延時間 td(off) RL=3.3Ω, Rgen=3Ω tf ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 trr If=6A, dlf/dt=100A/μs 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=6A, dlf/dt=100A/μs 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 40 1.5 20 V 1 μA 5 ±100 nA 2.3 3.0 V A 23.2 31.0 36.0 48.0 mΩ 32.6 45.0 22 S 0.77 1.00 V 2.5 A 20 A 404 95 37 2.7 500 120 50 4.0 pF pF pF Ω 8.3 4.2 1.3 2.3 4.2 3.3 15.6 3.0 20.5 14.5 10.0 5.1 2.0 3.0 5.5 4.5 21.0 4.0 27.0 19.0 nC nC nC nC ns ns ns ns ns nC 2 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4614 ELM14614AA-N ■標準特性曲線 TYPICAL ELECTRICAL(N-ch) AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL 30 10V 20 5V 25 Vds=5V 4.5V 15 4V 15 Id (A) Id (A) 20 125°C 10 10 Vgs=3.5V 5 5 0 0 1 2 3 4 0 5 2 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 4 4.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 50 1.8 40 Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 25°C Vgs=4.5V 30 Vgs=10V Vgs=10V Id=6A 1.6 Vgs=4.5V Id=5A 1.4 1.2 1 20 0 5 10 15 20 0.8 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 0 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 80 Id=6A 70 1.0E+00 60 125°C 1.0E-01 50 Is (A) Rds(on) (m�) 25 125°C 40 1.0E-02 25°C 1.0E-03 30 20 1.0E-04 25°C 10 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. www.aosmd.com 7- 3 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4614 ELM14614AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL 10 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 800 Vds=20V Id= 6A 6 4 2 600 Ciss 400 Coss Crss 200 0 0 0 2 4 6 8 0 10 10 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 40 Rds(on) limited 10�s 10.0 1ms 10ms 1s 1.0 10s Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0.1s 1 10 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 40 10 DC 0.1 0.1 30 30 100�s Power (W) Id (Amps) 100.0 20 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 4 www.aosmd.com コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14614AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 記号 条件 BVdss Id=-10mA, Vgs=0V 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 -40 V -1 μA Ta=55℃ -5 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.5 -1.9 -3.0 V オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -20 A 34.7 45.0 Vgs=-10V Id=-5A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Ta=125℃ 52.0 65.0 mΩ Vgs=-4.5V, Id=-2A 50.6 63.0 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-4.8A 12 S ダイオード順方向電圧 Vsd Is=-1A, Vgs=0V -0.75 -1.00 V 最大寄生ダイオード連続電流 Is -2.5 A パルス 寄生ダイオード電流 Ism -20 A 動的特性 入力容量 Ciss 657 870 pF Vgs=0V, Vds=-20V 出力容量 Coss 143 200 pF f=1MHz 帰還容量 Crss 63 110 pF ゲート抵抗 Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 6.5 10.0 Ω スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) Qg 13.6 17.0 nC Vgs=-10V, Vds=-20V 総ゲート電荷 (4.5V) Qg 6.8 8.5 nC ゲート - ソース電荷 Qgs Id=-5A 1.8 2.5 nC ゲート - ドレント電荷 Qgd 3.9 5.0 nC td(on) 7.5 10.0 ns ターン ・ オン遅延時間 Vgs=-10V, Vds=-20V ターン ・ オン立ち上がり時間 tr 6.7 9.0 ns ターン ・ オフ遅延時間 td(off) RL=4Ω, Rgen=3Ω 26.0 34.0 ns tf 11.2 15.0 ns ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 trr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 22.3 29.0 ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 15.2 20.0 nC ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-32V Vgs=0V 2 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4614 ELM14614AA-N ■標準特性曲線 (P-ch) TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL 25 30 -5V -6V -Id (A) 20 Vds=-5V -4.5V 20 -4V 15 15 -Id (A) -10V 25 -3.5V 10 10 Vgs=-3V 5 1 2 3 4 0 5 1 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 Normalized On-Resistance 1.8 55 Rds(on) (m�) 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 Vgs=-4.5V 50 45 40 Vgs=-10V 35 30 Vgs=-10V Id=-5A 1.6 1.4 Vgs=-4.5V Id=-4A 1.2 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 160 1.0E+01 140 1.0E+00 Id=-5A 120 125°C 100 125°C 1.0E-01 -Is (A) Rds(on) (m�) 25°C 5 0 0 125°C 80 60 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 40 25°C 20 2 3 4 25°C 1.0E-05 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-06 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. www.aosmd.com 7- 6 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4614 ELM14614AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL 10 1000 Vds=-20V Id=-5A 800 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 8 6 4 2 600 400 0 5 10 0 40 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10ms 20 10 10s DC 0.1 1 10 100 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 30 30 Power (W) -Id (Amps) 10�s 100�s 1ms 1s 0.1 20 40 Rds(on) limited 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max.)=150°C, Ta=25°C 0.1s Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Crss 0 15 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10.0 Coss 200 0 100.0 Ciss D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 T 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 100 1000 www.aosmd.com 7- 7