elm14614aa

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14614AA-N
■概要
■特長
ELM14614AA-N は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=40V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=6A(Vgs=10V)
Id=-5A(Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 31mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V)
Vds=-40V
・ Rds(on) < 45mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 63mΩ(Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
記号
Vds
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
Ta=85℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
シングル パルス アバランシェ エネルギー
L=0.3mH
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=70℃
Tc=85℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-40
V
±20
V
-5.0
-4.0
A
1
-3.8
-20
A
2
14
A
Idm
Iar
N-ch (Max.)
40
±20
6.0
5.0
4.5
20
12
Eas
22
29
2.00
1.28
1.05
-55 ~ 150
2.00
1.28
1.05
-55 ~ 150
Id
Pd
Tj,Tstg
mJ
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t ≦ 10s
定常状態
定常状態
t ≦ 10s
定常状態
定常状態
Rθja
チャンネル
N-ch
Rθjl
Rθja
Rθjl
■端子配列図
P-ch
Typ.
48.0
74.0
35.0
48.0
74.0
35.0
Max.
62.5
110.0
50.0
62.5
110.0
50.0
単位
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
備考
1
3
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
3
4
5
6
7
8
端子記号
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
7- 1
・ N-ch
・ P-ch
D2
G2
D1
G1
S2
S1
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14614AA-N
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=10mA, Vgs=0V
Vds=32V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on) Id=6A
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=5V, Id=6A
ダイオード順方向電圧
Vsd Is=1A, Vgs=0V
最大寄生ダイオード連続電流
Is
パルス 寄生ダイオード電流
Ism
動的特性
入力容量
Ciss
Vgs=0V, Vds=20V
出力容量
Coss
f=1MHz
帰還容量
Crss
ゲート抵抗
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
Qg
Vgs=10V, Vds=20V
総ゲート電荷 (4.5V)
Qg
ゲート - ソース電荷
Qgs Id=6A
ゲート - ドレント電荷
Qgd
td(on)
ターン ・ オン遅延時間
Vgs=10V, Vds=20V
ターン ・ オン立ち上がり時間
tr
ターン ・ オフ遅延時間
td(off) RL=3.3Ω, Rgen=3Ω
tf
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
trr
If=6A, dlf/dt=100A/μs
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr If=6A, dlf/dt=100A/μs
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
40
1.5
20
V
1
μA
5
±100 nA
2.3
3.0
V
A
23.2 31.0
36.0 48.0 mΩ
32.6 45.0
22
S
0.77 1.00 V
2.5
A
20
A
404
95
37
2.7
500
120
50
4.0
pF
pF
pF
Ω
8.3
4.2
1.3
2.3
4.2
3.3
15.6
3.0
20.5
14.5
10.0
5.1
2.0
3.0
5.5
4.5
21.0
4.0
27.0
19.0
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
2
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
■標準特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL(N-ch)
AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
30
10V
20
5V
25
Vds=5V
4.5V
15
4V
15
Id (A)
Id (A)
20
125°C
10
10
Vgs=3.5V
5
5
0
0
1
2
3
4
0
5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
4
4.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
50
1.8
40
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m�)
25°C
Vgs=4.5V
30
Vgs=10V
Vgs=10V
Id=6A
1.6
Vgs=4.5V
Id=5A
1.4
1.2
1
20
0
5
10
15
20
0.8
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
0
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
80
Id=6A
70
1.0E+00
60
125°C
1.0E-01
50
Is (A)
Rds(on) (m�)
25
125°C
40
1.0E-02
25°C
1.0E-03
30
20
1.0E-04
25°C
10
2
4
6
8
1.0E-05
10
0.0
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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7- 3
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
10
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
800
Vds=20V
Id= 6A
6
4
2
600
Ciss
400
Coss
Crss
200
0
0
0
2
4
6
8
0
10
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
Rds(on)
limited
10�s
10.0
1ms
10ms
1s
1.0
10s
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0.1s
1
10
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
40
10
DC
0.1
0.1
30
30
100�s
Power (W)
Id (Amps)
100.0
20
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 4
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コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14614AA-N
■電気特性 (P-ch)
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
記号
条件
BVdss Id=-10mA, Vgs=0V
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
-40
V
-1
μA
Ta=55℃
-5
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.5 -1.9 -3.0
V
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-20
A
34.7 45.0
Vgs=-10V
Id=-5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Ta=125℃
52.0 65.0 mΩ
Vgs=-4.5V, Id=-2A
50.6 63.0
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=-5V, Id=-4.8A
12
S
ダイオード順方向電圧
Vsd Is=-1A, Vgs=0V
-0.75 -1.00 V
最大寄生ダイオード連続電流
Is
-2.5
A
パルス 寄生ダイオード電流
Ism
-20
A
動的特性
入力容量
Ciss
657 870 pF
Vgs=0V, Vds=-20V
出力容量
Coss
143 200 pF
f=1MHz
帰還容量
Crss
63
110 pF
ゲート抵抗
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
6.5 10.0 Ω
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
Qg
13.6 17.0 nC
Vgs=-10V, Vds=-20V
総ゲート電荷 (4.5V)
Qg
6.8
8.5 nC
ゲート - ソース電荷
Qgs Id=-5A
1.8
2.5 nC
ゲート - ドレント電荷
Qgd
3.9
5.0 nC
td(on)
7.5 10.0 ns
ターン ・ オン遅延時間
Vgs=-10V, Vds=-20V
ターン ・ オン立ち上がり時間
tr
6.7
9.0
ns
ターン ・ オフ遅延時間
td(off) RL=4Ω, Rgen=3Ω
26.0 34.0 ns
tf
11.2 15.0 ns
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
22.3 29.0 ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs
15.2 20.0 nC
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-32V
Vgs=0V
2
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 5
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
■標準特性曲線
(P-ch)
TYPICAL ELECTRICAL
AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
25
30
-5V
-6V
-Id (A)
20
Vds=-5V
-4.5V
20
-4V
15
15
-Id (A)
-10V
25
-3.5V
10
10
Vgs=-3V
5
1
2
3
4
0
5
1
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Normalized On-Resistance
1.8
55
Rds(on) (m�)
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=-4.5V
50
45
40
Vgs=-10V
35
30
Vgs=-10V
Id=-5A
1.6
1.4
Vgs=-4.5V
Id=-4A
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
160
1.0E+01
140
1.0E+00
Id=-5A
120
125°C
100
125°C
1.0E-01
-Is (A)
Rds(on) (m�)
25°C
5
0
0
125°C
80
60
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
40
25°C
20
2
3
4
25°C
1.0E-05
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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7- 6
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
10
1000
Vds=-20V
Id=-5A
800
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
8
6
4
2
600
400
0
5
10
0
40
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10ms
20
10
10s
DC
0.1
1
10
100
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
30
30
Power (W)
-Id (Amps)
10�s
100�s
1ms
1s
0.1
20
40
Rds(on)
limited
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
0.1s
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Crss
0
15
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
Coss
200
0
100.0
Ciss
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
100
1000
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