elm16601ea

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16601EA-S
■概要
■特長
ELM16601EA-S は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=30V
Vds=-30V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=3.4A(Vgs=10V)
・ Rds(on) < 60mΩ(Vgs=10V)
Id=-2.3A(Vgs=-10V)
Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 75mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 185mΩ(Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 115mΩ(Vgs=2.5V) Rds(on) < 265mΩ(Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
記号
Vds
N-ch (Max.)
30
Vgs
±12
±12
V
Id
3.4
2.7
-2.3
-1.8
A
1
30
1.15
0.73
-30
1.15
0.73
A
2
-55 ~ 150
-55 ~ 150
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-30
V
Pd
Tj,Tstg
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦ 10s
定常状態
最大接合部 - リード
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
t ≦ 10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
チャンネル
Rθja
Rθjl
Rθja
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
N-ch
P-ch
Typ.
78
106
Max.
110
150
単位
℃/W
℃/W
備考
64
78
80
110
℃/W
℃/W
3
106
150
℃/W
64
80
℃/W
1
1
3
■回路
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE1
SOURCE2
GATE2
4
5
6
DRAIN2
SOURCE1
DRAIN1
・ N-ch
・ P-ch
D1
G1
G2
S1
7- 1
D2
S2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16601EA-S
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
オン状態ドレイン電流
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
5
1.0
1.4
V
A
60
Vgs=4.5V, Id=3A
50
75
60
Vgs=2.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=3A
Is=1A, Vgs=0V
88
7.8
0.8
115
Ta=125℃
0.6
10
Is
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=3A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=5Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
μA
nA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Ta=55℃
100
Vgs=10V, Id=3A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
1
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
30
If=3A, dlf/dt=100A/μs
If=3A, dlf/dt=100A/μs
75
mΩ
1.0
S
V
1.5
A
390.0
pF
54.5
41.0
pF
pF
3
Ω
4.34
nC
1.38
0.60
4
nC
nC
ns
2
22
3
ns
ns
ns
11.0
5.5
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16601EA-S
AO6601 n-channel typical characteristics
■標準特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL (N-ch)
AND THERMAL CHARACTERISTICS
15
10
10V
3V
Vds=5V
8
4.5V
25°C
9
Id (A)
Id (A)
12
2.5V
6
3
125°C
6
4
2
Vgs=2V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
150
1.5
2
2.5
3
3.5
Normalized On-Resistance
1.8
125
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=2.5V
100
Vgs=4.5V
75
50
Vgs=10V
25
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
Vgs=2.5V
1
0
0
2
4
6
8
0.8
10
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
200
1.0E+00
Id=2A
1.0E-01
100
Is (A)
Rds(on) (m� )
150
125°C
125°C
1.0E-02
1.0E-03
50
25°C
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
7- 3
1.2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO6601 n-channel typical characteristics
ELM16601EA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
500
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
600
Vds=15V
Id=3.4A
3
2
1
Ciss
400
300
200
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
1ms
10s
DC
1
Vds (Volts)
10
100
30
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z �ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
0.1
10
20
5
1s
0.1
15
15
10�s
0.1s 10ms
1.0
10
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Crss
Coss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 4
100
1000
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16601EA-S
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-10V
Id=-2.3A
V
-1
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
-30
-5
-0.6
-10
±100
nA
-1.0
-1.4
V
A
107
135
135
185
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-2A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-2.3A
Is=-1A, Vgs=0V
mΩ
195 265
8
-0.85 -1.00
S
V
-1.35
A
Is
409
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
55
42
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
12
Ω
4.80
nC
1.34
0.72
13
nC
nC
ns
10
28
13
ns
ns
ns
26.0
15.6
ns
nC
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Qgs
Id=-2.5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=6Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
μA
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 5
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO6601, AO6601L
ELM16601EA-S
■標準特性曲線
P-CHANNEL:
TYPICAL(P-ch)
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
20
-5V
-10V
8
25°C
-4V
Vgs=-3.5V
-Id (A)
-Id (A)
15
Vds=-5V
-4.5V
10
-3V
6
125°C
4
-2.5V
5
2
-2V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
250
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.6
225
Normalized On-Resistance
Vgs=-2.5V
200
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
175
150
Vgs=-4.5V
125
100
Vgs=-10V
75
Vgs=-4.5V, Vgs=-10V
1.4
Vgs=-2.5V
1.2
Id=-2A
1
50
0
1
2
3
4
5
0.8
6
0
350
1.0E+01
300
1.0E+00
Id=-2A
250
200
1.0E-01
125°C
150
100
0
1.0E-06
6
8
100
125
150
175
125°C
1.0E-03
1.0E-05
4
75
1.0E-02
50
2
50
25°C
1.0E-04
25°C
0
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
-Is (A)
Rds(on) (m� )
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha and Omega Semiconductor, Ltd.
7- 6
1.2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO6601 p-channel typical characteristics
ELM16601EA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
500
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
600
Vds=-15V
Id=-2.0A
3
2
1
400
Ciss
300
200
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1ms
0.1s
10ms
1.0
10s
1
DC
Z �ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10
0
0.001
-Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
5
0.1
0.1
15
15
Power (W)
-Id (Amps)
10�s
100�s
1s
10
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
Crss
Coss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 7
100
1000
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