elm16604ea

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16604EA-S
■概要
■特長
ELM16604EA-S は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=20V
Vds=-20V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=3.4A(Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 60mΩ(Vgs=4.5V)
Id=-2.5A(Vgs=-4.5V)
Rds(on) < 110mΩ(Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 75mΩ(Vgs=2.5V)
Rds(on) < 140mΩ(Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 100mΩ(Vgs=1.8V) Rds(on) < 200mΩ(Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
記号
Vds
N-ch (Max.)
20
Vgs
±8
±8
V
Id
3.4
2.7
-2.5
-2.0
A
1
15
1.15
0.73
-15
1.15
0.73
A
2
-55 ~ 150
-55 ~ 150
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-20
V
Pd
Tj,Tstg
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦ 10s
定常状態
最大接合部 - リード
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
t ≦ 10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
チャンネル
Rθja
Rθjl
Rθja
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
N-ch
P-ch
Typ.
78
106
Max.
110
150
単位
℃/W
℃/W
備考
64
78
80
110
℃/W
℃/W
3
106
150
℃/W
64
80
℃/W
1
1
3
■回路
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE1
SOURCE2
GATE2
4
5
6
DRAIN2
SOURCE1
DRAIN1
・ N-ch
・ P-ch
D1
G1
G2
S1
7- 1
D2
S2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16604EA-S
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
1
Ta=55℃
5
nA
0.6
1.0
V
A
Vgs=2.5V, Id=3A
46
63
57
60
80
75
Vgs=1.8V, Id=2A
Vds=5V, Id=3.4A
Is=1A, Vgs=0V
72
10
0.76
100
Vgs=4.5V
Id=3.4A
Ta=125℃
0.4
15
Is
436
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3.4A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
μA
100
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
20
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
mΩ
1.00
S
V
2
A
570
pF
66
44
pF
pF
3
4
Ω
6.2
8.1
nC
1.6
0.5
5.5
nC
nC
ns
6.3
40.0
12.7
ns
ns
ns
12.3
3.5
16.0
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO6604
ELM16604EA-S
■標準特性曲線
N-CHANNEL
TYPICAL (N-ch)
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
16
10
8V
Vds=5V
4.5V
8
2V
3V
2.5V
8
6
Id (A)
Id (A)
12
4
Vgs=1.5V
4
125°C
2
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.5
2
2.5
1.8
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
100
Vgs=1.8V
80
Vgs=2.5V
60
40
Vgs=4.5V
20
0
4
8
Vgs=2.5V
1.6
Vgs=1.8V
Id=3.4A
1.4
Vgs=4.5V
1.2
1
0.8
12
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
1E+01
90
1E+00
Id=3.4A
80
125°C
1E-01
70
Is (A)
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
60
50
25°C
1E-03
25°C
40
1E-02
1E-04
30
1E-05
20
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 3
1.0
AO6604
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16604EA-S
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
800
5
Vgs (Volts)
Capacitance (pF)
Vds=10V
Id=3.4A
4
3
2
1
600
Ciss
400
Coss
200
0
0
0
2
4
6
0
8
10.0
15
Rds(on)
limited
1.0
10�s
1ms
10ms
10s
DC
10
0
0.001
0.1
1
Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
5
1s
0.1
15
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
100�s
0.1s
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Power (W)
100.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 4
100
1000
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16604EA-S
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-16V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
200
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
-0.30 -0.55 -1.00
-15
151
6
ダイオード順方向電圧
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
±100
Vgs=-2.5V, Id=-2A
Gfs
Ciss
-5
110
145
140
順方向相互コンダクタンス
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Ta=55℃
86
116
113
Vgs=-4.5V
Id=-2.5A
Vgs=-1.8V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-3A
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
V
-1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
-20
Ta=125℃
4
Rg
Qg
540
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Qgs
Id=-2.5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) RL=3.9Ω, Rgen=3Ω
nA
V
A
mΩ
S
-0.78 -1.00
Is
μA
V
-2
A
700
pF
72
49
pF
pF
12.0
15.6
Ω
6.1
8.0
nC
0.6
1.6
10
nC
nC
ns
12
ns
44
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復時間
tf
trr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
22
21.0
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
7.5
28.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 5
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO6604
ELM16604EA-S
■標準特性曲線
(P-ch)
P-CHANNEL TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
6
15
-4.5V
-3.0V
Vds=-5V
-2.5V
-8V
4
10
5
-Id (A)
-Id (A)
-2.0V
2
Vgs=-1.5V
125°C
25°C
0
0
0
1
2
3
4
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
200
1
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
2
Normalized On-Resistance
1.8
Vgs=-1.8V
Rds(on) (m� )
0.5
150
Vgs=-2.5V
100
Vgs=-4.5V
50
Vgs=-2.5V
Id=-2.5A
1.6
Vgs=-1.8V
1.4
Vgs=-4.5V
1.2
1
0.8
0
2
4
6
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
200
1E+00
1E-01
-Is (A)
Rds(on) (m� )
Id=-2.5A
150
125°C
100
25°C
125°C
1E-02
25°C
1E-03
1E-04
1E-05
50
0
2
4
6
8
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 6
1.2
AO6604
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM16604EA-S
P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
800
5
Vds=-10V
Id=-2.5A
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
1
0
0
2
4
6
Ciss
600
400
Crss
200
Coss
0
8
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
20
100�s
10.0
10�s
1ms
Rds(on)
limited
0.1s
10ms
10s
DC
1
-Vds (Volts)
10
100
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
0
0.001
0.1
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
Pd
0.1
0.01
0.00001
20
5
1s
1
15
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
15
Power (W)
-Id (Amps)
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0.1
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
1.0
5
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 7
100
1000
Similar pages