elm7sh32xb

高速 CMOS 逻辑 IC
ELM7SH32xB 2 输入或门 (OR)
■概要
ELM7SH32xB 是 CMOS 2 输入或门 (OR) 集成电路。该 IC 由于工作电压低和超高速运行 (2ns), 所以特别
适用于笔记本电脑。同时功率低也延长了电池的使用寿命从而适用于长时间工作的设备。内部电路由三
段逻辑门构成并带有缓冲器 , 所以能够提供高抗噪性能和非常稳定的输出。
■特点
· 与 74VHC 系列具有同样的电特性
· 消耗电流低 : Idd=1.0μA(最大)(Top=25℃)
· 电源电压范围广 : 2.0V~5.5V
· 输入电压范围广 : Vih=5.5V(最大)(Vdd=0~5.5V)
· 工作速度快
: Tpd=2ns(典型)(Vdd=5.0V)
· 封装小 : SOT-25、SC-70-5(SOT-353)
· 与 ELM7S 系列具有同样的功能,同样的引脚位置
■用途
· 手提电话、数字式照相机、PDA 等便携式设备
· 个人电脑及外围设备
· 液晶电视机、DVD 录像机或放像机、STB 等数字式家庭电器
· 修改印刷电路板上的电路、调整信号脉冲、防止噪声
· 从 5V 系电源转换到 3V 系电源的电压转换
■产品型号构成
ELM7SH32xB-EL
记号
a
b
c
d
项目
功能
描述
32 : 2 输入或门 (OR)
M : SOT-25
封装
T : SC-70-5(SOT-353)
产品版本
B
包装卷带中 IC 引脚置向 EL : 参考封装资料
ELM7SH 3 2 x B - EL
↑ ↑↑ ↑
a b c
d
■绝对最大额定值
项目
电源电压
输入电压
输出电压
输入保护二极管电流
输出寄生二极管电流
输出电流
VDD/GND 电流
容许功耗
保存温度
记号
Vdd
Vin
Vout
Iik
Iok
Iout
Idd, Ignd
Pd
Tstg
规格范围
-0.5~+6.0
-0.5~+6.0
-0.5~Vdd+0.5
-20
±20
±25
±50
150
-65~+150
3-1
如需确认语言的准确性,请参考 ELM 的英文版或日文版。
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
℃
高速 CMOS 逻辑 IC
ELM7SH32xB 2 输入或门 (OR)
■推荐工作条件
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
项目
记号
Vdd
Vin
Vout
Top
迁移时间
tr, tf
规格范围
2.0~5.5
0~5.5
0~Vdd
-40~+85
±
Vdd=3.3 0.3V
Vdd=5.0 ± 0.5V
单位
V
V
V
℃
0~200
0~100
ns
■引脚配置图
俯视图
5
1
4
2
引脚编号
1
2
3
4
5
3
引脚名称
INB
INA
GND
OUTX
VDD
输入
INA
Low
Low
High
High
INB
Low
High
Low
High
输出
OUTX
Low
High
High
High
■直流电特性
项目
记号
Vih
输入电压
Vil
Voh
输出电压
Vol
输入电流
静态消耗电流
Iin
Idd
Vdd
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
5.5
Top=25℃
Top=-40~+85℃
单位
条件
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
1.50
1.50
2.10
2.10
V
3.85
3.85
0.50
0.50
0.90
0.90
V
1.65
1.65
1.90
2.00
1.90
2.90
3.00
2.90
Ioh=-50μA
Vin=
4.40
4.50
4.40
V
Vil 或 Vih Ioh=-4mA
2.58
2.48
3.94
3.80
Ioh=-8mA
0.10
0.10
0.10
0.10
Iol=50μA
0.10
0.10
V
Vin=Vil
0.36
0.44
Iol=4mA
0.36
0.44
Iol=8mA
-0.1
0.1
-1.0
1.0
μA
Vin=Vdd 或 GND
1.0
10.0
μA
Vin=Vdd 或 GND
3-2
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高速 CMOS 逻辑 IC
■交流电特性
项目
记号
tPLH
tPHL
tPLH
tPHL
tPLH
tPHL
tPLH
tPHL
Cin
Cpd
传播延迟时间
输入电容
内部等效电容
Vdd
CL
3.3 ± 0.3
15
3.3 ± 0.3
50
5.0 ± 0.5
15
5.0 ± 0.5
50
5.0
ELM7SH32xB 2 输入或门 (OR)
tr=tf=3ns
Top=25℃
Top=-40~+85℃
单位
条件
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
5.5
7.9
1.0
9.5
5.5
7.9
1.0
9.5
8.0
11.4
1.0
13.0
8.0
11.4
1.0
13.0
ns 参照试验电路图
3.8
5.5
1.0
6.5
3.8
5.5
1.0
6.5
5.3
7.5
1.0
8.5
5.3
7.5
1.0
8.5
2.0
10.0
10.0
pF Vin=Vdd 或 GND
8.9
pF
f=1MHz
* Cpd 为内部等效电容。是根据下面的试验电路在无负载的情况下所消耗电流而计算出来的。无负载工作时消耗电流
的平均值可以右面的公式计算:Idd(opr) = Cpd × Vdd × fin + Idd
■试验电路图
■测试波形图
3ns
Vdd
Pulse
Oscillator
OUTPUT
INPUT
INPUT
10%
90%
50%
90%
50%
Vdd
10%
Voh
50%
50%
OUTPUT
Vol
* 测试消耗功率时 , 是在输出为无负荷的情况下进行的
■封装印字说明
SC-70-5
a
b
c
SOT-25
a
GND
tPHL
tPLH
CL
50�
3ns
b
记号
a
b
c
c
印字
F
4
A~Z
( I, O, X 除外 )
3-3
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表示内容
ELM7SH 系列
ELM7SH32xB
生产批号
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