elm3f601ja

复合沟道 MOSFET
ELM3F601JA-S
■概要
■特点
ELM3F601JA-S 是低输入电容、低工
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。
N 沟道
·Vds=30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。
·Id=7.3A
·Id=-4.3A
·Rds(on) < 24mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-10V)
P 沟道
·Vds=-30V
·Rds(on) < 38mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
30
-30
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±20
7.3
5.8
±20
-4.3
-3.4
V
A
2
Idm
Ias
Eas
60
17.4
15.0
-30
-18.0
16.2
A
A
mJ
1
Pd
2.0
1.3
1.7
1.1
W
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
持续崩溃能量
Id
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
Tj,Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
Parameter
Symbol
Device
最大结合部 - 封装热阻
Rθjc
最大结合部 - 环境热阻
Rθja
Max.
Unit
N-ch
P-ch
7.5
8.0
℃/W
N-ch
P-ch
61.0
70.0
℃/W
■引脚配置图
•
1
7
2
Note
3
■电路图
PDFN-3x3(俯视图)
8
Typ.
6
3
5
4
引脚编号
引脚名称
1
2
SOURCE1
GATE1
3
4
5
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
6
7
8
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
·N 沟道
·P 沟道
D1 D1
G2
G1
7- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2 D2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM3F601JA-S
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
Vgs=10V, Id=8A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=10V, Id=8A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=8A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
V
Vds=24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Qgd
td(on)
30
1.0
60
Vgs=0V, Vds=15V
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=8A
Vgs=10V, Vds=15V
Id=1A, Rgen=6Ω
If=8A, dlf/dt=100A/μs
1.5
17
25
22
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
nA
2.5
V
A
4
mΩ
4
S
4
V
4
24
38
591
pF
77
65
3.5
pF
pF
Ω
13.0
2.5
nC
nC
5
5
3.4
14
nC
ns
5
5
10
30
10
ns
ns
ns
5
5
5
12.4
3.2
ns
nC
脉冲宽度受最大结合部温度所限制;
封装的限制电流为 30A;
Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果;
脉冲测试:脉冲宽度≦ 300μ秒,占空比≦2%;
独立于工作温度。
7- 2
±100
1
备注:
1.
2.
3.
4.
5.
μA







 
 
复合沟道 MOSFET



ELM3F601JA-S

■标准特性曲线
(N 沟道 )


 


































�
�



































































 










�
�







 


�
�

�
�

























7- 3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。


复合沟道 MOSFET





ELM3F601JA-S

 
 
















































































�
�

























7- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。


复合沟道 MOSFET
ELM3F601JA-S
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
Vgs=-10V, Id=-4.5A
Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
Vds=-10V, Id=-4.5A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=-4.5A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Qgd
td(on)
-30
-1.0
-30
Vgs=0V, Vds=-15V
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-4.5A
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-1A, Rgen=6Ω
If=-4.5A, dlf/dt=100A/μs
-1.5
38
54
11
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
nA
-2.5
V
A
4
mΩ
4
S
4
V
4
60
85
548
pF
87
86
12
pF
pF
Ω
14.0
2.0
nC
nC
5
5
3.5
16
nC
ns
5
5
13
35
14
ns
ns
ns
5
5
5
16.7
4.5
ns
nC
脉冲宽度受最大结合部温度所限制;
封装的限制电流为 30A;
Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果;
脉冲测试:脉冲宽度≦ 300μ秒,占空比≦2%;
独立于工作温度。
7- 5
±100
-1.1
备注:
1.
2.
3.
4.
5.
μA






复合沟道
MOSFET


 
 
ELM3F601JA-S




























 



■标准特性曲线
(P 沟道 )





�
�

�
�


















































 




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










































7- 6

如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。




复合沟道 MOSFET

 

ELM3F601JA-S
 






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
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
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
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



















�
�


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































�
�













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