复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S ■概要 ■特点 ELM3F601JA-S 是低输入电容、低工 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 N 沟道 ·Vds=30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7.3A ·Id=-4.3A ·Rds(on) < 24mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-10V) P 沟道 ·Vds=-30V ·Rds(on) < 38mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds 30 -30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 7.3 5.8 ±20 -4.3 -3.4 V A 2 Idm Ias Eas 60 17.4 15.0 -30 -18.0 16.2 A A mJ 1 Pd 2.0 1.3 1.7 1.1 W Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 持续崩溃能量 Id L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 Tj,Tstg -55 ~ 150 ℃ ■热特性 Parameter Symbol Device 最大结合部 - 封装热阻 Rθjc 最大结合部 - 环境热阻 Rθja Max. Unit N-ch P-ch 7.5 8.0 ℃/W N-ch P-ch 61.0 70.0 ℃/W ■引脚配置图 • 1 7 2 Note 3 ■电路图 PDFN-3x3(俯视图) 8 Typ. 6 3 5 4 引脚编号 引脚名称 1 2 SOURCE1 GATE1 3 4 5 SOURCE2 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 D1 G2 G1 7- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 D2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs Vgs=10V, Id=8A Vgs=4.5V, Id=6A Vds=10V, Id=8A 二极管正向压降 动态特性 Vsd If=8A, Vgs=0V 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr V Vds=24V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Qgd td(on) 30 1.0 60 Vgs=0V, Vds=15V f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V Id=8A Vgs=10V, Vds=15V Id=1A, Rgen=6Ω If=8A, dlf/dt=100A/μs 1.5 17 25 22 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 nA 2.5 V A 4 mΩ 4 S 4 V 4 24 38 591 pF 77 65 3.5 pF pF Ω 13.0 2.5 nC nC 5 5 3.4 14 nC ns 5 5 10 30 10 ns ns ns 5 5 5 12.4 3.2 ns nC 脉冲宽度受最大结合部温度所限制； 封装的限制电流为 30A； Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果； 脉冲测试：脉冲宽度≦ 300μ秒，占空比≦2％； 独立于工作温度。 7- 2 ±100 1 备注： 1. 2. 3. 4. 5. μA 复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S ■标准特性曲线 (N 沟道 ) � � � � � � � � 7- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S � � 7- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs Vgs=-10V, Id=-4.5A Vgs=-4.5V, Id=-3.5A Vds=-10V, Id=-4.5A 二极管正向压降 动态特性 Vsd If=-4.5A, Vgs=0V 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr V Vds=-24V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Qgd td(on) -30 -1.0 -30 Vgs=0V, Vds=-15V f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-4.5A Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-1A, Rgen=6Ω If=-4.5A, dlf/dt=100A/μs -1.5 38 54 11 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 nA -2.5 V A 4 mΩ 4 S 4 V 4 60 85 548 pF 87 86 12 pF pF Ω 14.0 2.0 nC nC 5 5 3.5 16 nC ns 5 5 13 35 14 ns ns ns 5 5 5 16.7 4.5 ns nC 脉冲宽度受最大结合部温度所限制； 封装的限制电流为 30A； Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果； 脉冲测试：脉冲宽度≦ 300μ秒，占空比≦2％； 独立于工作温度。 7- 5 ±100 -1.1 备注： 1. 2. 3. 4. 5. μA 复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S ■标准特性曲线 (P 沟道 ) � � � � 7- 6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET ELM3F601JA-S � � � � � � 7- 7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。