elm14606aa

复合沟道 MOSFET
ELM14606AA-N
■概要
■特点
ELM14606AA-N 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V
P 沟道
·Vds=-30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=6.9A(Vgs=10V)
·Id=-6A(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 58mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
漏极 - 源极电压
Vds
30
-30
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±20
±20
V
6.9
5.8
30
-6.0
-5.0
-30
Pd
2.00
1.44
2.00
1.44
W
Iar
15
20
A
Ear
Tj,Tstg
11
-55 ~ 150
20
-55 ~ 150
mJ
℃
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
崩溃电流
持续崩溃能量
结合部温度及保存温度范围
L=0.1mH
A
1
A
2
2
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
t≤10s
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
Rθja
沟道
典型值
48.0
最大值
62.5
单位
N
74.0
110.0
℃/W
P
35.0
48.0
74.0
40.0
62.5
110.0
35.0
40.0
Rθjl
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
备注
1
3
1
℃/W
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE2
GATE2
3
4
SOURCE1
GATE1
5
DRAIN1
6
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
·N 沟道
·P 沟道
D2
G2
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D1
G1
S2
S1
复合沟道 MOSFET
ELM14606AA-N
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
30
0.002
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
Vgs=10V, Id=6.9A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Gfs
Vsd
1.0
20
Ta=125℃
Vds=5V, Id=6.9A
Is=1A
10.0
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
100
nA
1.9
3.0
V
A
22.5
31.3
34.5
28.0
38.0
42.0
15.4
0.76
Is
Ciss
Coss
1.000
5.000
Vgs=4.5V, Id=5A
正向跨导
二极管正向压降
V
mΩ
1.00
S
V
3
A
820
pF
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
680
102
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
77
3.0
3.6
pF
Ω
13.84
6.74
16.60
8.10
nC
nC
1.82
3.20
4.6
7.0
nC
nC
ns
4.1
20.6
5.2
6.0
30.0
8.0
ns
ns
ns
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
16.5
20.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
7.8
10.0
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4606
ELM14606AA-N
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
■标准特性曲线 (N 沟道 )
10V
25
20
6V
5V
4.5V
Id (A)
20
15
3.5V
10
Vgs=3V
5
Vds=5V
16
4V
Id (A)
30
12
8
125°C
4
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
Normalized On-Resistance
50
Rds(on) (m� )
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
1.6
60
Vgs=4.5V
40
30
20
Vgs=10V
10
0
5
10
15
1.5
Vgs=10V
Id=5A
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
20
0
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
70
60
1.0E+00
Id=5A
50
Is Amps
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
40
1.0E-01
1.0E-02
125°C
1.0E-03
30
25°C
20
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
复合沟道 MOSFET
AO4606
ELM14606AA-N
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=6.9A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
0.1s
1s
DC
1
0.1
Vds (Volts)
10
Z �ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
30
20
0
0.001
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
10
10s
0.1
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
30
10�s
10ms
1
15
40
Power W
Id (Amps)
100�s
1ms
10
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
复合沟道 MOSFET
ELM14606AA-N
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
-30
-0.003 -1.000
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-6A
-5.000
-1.2
-30
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-5A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Gfs
Vsd
V
Vds=-5V, Id=-6A
Is=-1A, Vgs=0V
±100
nA
-2.0
-2.4
V
A
28
37
44
35
45
58
13
-0.76
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
mΩ
-1.00
S
V
-4.2
A
1100
pF
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
920
190
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
122
3.6
4.4
pF
Ω
18.5
9.6
22.2
11.6
nC
nC
2.7
4.5
7.7
11.5
nC
nC
ns
5.7
20.2
9.5
8.5
30.0
14.0
ns
ns
ns
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=3Ω
tf
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
20.0
24.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
12.3
15.0
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4606
ELM14606AA-N
■标准特性曲线
(PELECTRICAL
沟道 )
P-CHANNEL TYPICAL
AND THERMAL CHARACTERISTICS
30
-10V
25
-6V
-5V
Vds=-5V
25
20
20
-4V
-Id (A)
-Id (A)
30
-4.5V
15
-3.5V
10
5
15
10
125°C
5
Vgs=-3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.60
Vgs=-4.5V
50
Id=-6A
Normalized On-Resistance
55
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
1.40
45
40
Vgs=-10V
1.20
35
Vgs=-10V
30
25
Vgs=-4.5V
1.00
20
15
0.80
10
0
5
10
15
20
0
25
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
80
1.0E+01
70
1.0E+00
Id=-6A
60
1.0E-01
50
125°C
1.0E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
25°C
0
125°C
40
1.0E-03
30
25°C
1.0E-04
20
25°C
1.0E-05
10
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
AO4606
复合沟道 MOSFET
ELM14606AA-N
P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1250
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1500
Vds=-15V
Id=-6A
6
4
Ciss
1000
2
750
500
Coss
0
0
4
8
12
16
0
20
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10�s
100�s
Rds(on)
limited
0.1s
1ms
1s
1
-Vds (Volts)
10
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
20
DC
0.1
10
20
10
10s
0.1
15
30
10ms
1.0
10
40
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
10.0
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
Crss
250
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.01
T
7-7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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