elm34600aa

复合沟道 MOSFET
ELM34600AA-N
■概要
■特点
ELM34600AA-N 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V
P 沟道
·Vds=-30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A
·Id=-5A
·Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 80mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
漏极 - 源极电压
Vds
30
-30
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±20
7
±20
-5
V
6
-4
20
2.0
-20
2.0
1.3
-55 ~ 150
1.3
-55 ~ 150
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj,Tstg
A
A
1
W
℃
■热特性
项目
记号
最大结合部 - 环境热阻
Rθja
沟道
N
P
典型值
最大值
62.5
62.5
单位
℃/W
℃/W
备注
备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
2. 占空比≤1%。
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
4
5
6
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
7
DRAIN1
8
DRAIN1
·N 沟道
·P 沟道
D1
G1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
G2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM34600AA-N
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
备注:
V
Vds=24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
30
1.0
20
Vgs=10V, Id=7A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=5V, Id=7A
1.5
20.5
30.0
16
If=1A, Vgs=0V
μA
±100
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1
1.3
V
A
1
2.6
A
3
27.5
40.0
680
105
pF
pF
Crss
75
pF
Qg
14.0
nC
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A
1.9
3.3
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=10V, Id=1A
td(off) Rgen=3Ω
4.6
4.0
20.0
7.0
6.0
30.0
ns
ns
ns
2
2
2
5.0
8.0
ns
2
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
tf
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P5003QVG
N- & P-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOP-8
Lead-Free
复合沟道 MOSFET
ELM34600AA-N
N-CHANNEL (N 沟道 )
■标准特性曲线
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
4
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
1.4
DEC-19-2005
NIKO-SEM
复合沟道Enhancement
MOSFET Mode
N- & P-Channel
Field
Effect Transistor
ELM34600AA-N
7-4
5 的英文版或日文版。
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM
P5003QVG
SOP-8
Lead-Free
DEC-19-2005
复合沟道 MOSFET
ELM34600AA-N
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 備考
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
备注:
-1.0
-20
Vgs=-10V, Id=-5A
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vds=-5V, Id=-5A
Qgs
Qgd
-1.5
37.5
62.0
13
If=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
Qg
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-30
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-10V
td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω
tf
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
μA
±100
nA
-2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1
-1.3
V
A
1
-2.6
A
3
45.0
80.0
780
145
pF
pF
79
pF
15.1
nC
2
2.1
4.0
nC
nC
2
2
7.7
5.7
20.0
11.5
8.5
30.0
ns
ns
ns
2
2
2
9.5
14.0
ns
2
NIKO-SEM
P5003QVG
N- & P-Channel Enhancement Mode
复合沟道
MOSFET
Field Effect Transistor
ELM34600AA-N
SOP-8
Lead-Free
■标准特性曲线 (P 沟道 )
P-CHANNEL
-Is - Reverse Drain Current(A)
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
10
1
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0
7-6
T A = 125°C
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.4
DEC-19-2005
10
Gate Charge Characteristics
ID = -5A
VDS = -5V
-15V
6
4
f=1 MHz
VGS=0V
1000
Ciss
800
600
400
Coss
200
2
0
0
5
10
Qg -Gate Charge(nC)
15
SOP-8
Lead-Free
Capacitance Characteristics
1200
-10V
8
0
P5003QVG
N- & P-Channel
Enhancement
复合沟道
MOSFET Mode
Field Effect Transistor
ELM34600AA-N
Capacitance(pF)
-VGS - Gate-to-Source Voltage(V)
NIKO-SEM
20
Crss
0
5
10
15
-VDS ,Drain-to-Source Voltage(V)
7-7 7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
20
DEC-19-2005
Similar pages