复合沟道 MOSFET ELM34600AA-N ■概要 ■特点 ELM34600AA-N 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 80mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 30 -30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 7 ±20 -5 V 6 -4 20 2.0 -20 2.0 1.3 -55 ~ 150 1.3 -55 ~ 150 Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj,Tstg A A 1 W ℃ ■热特性 项目 记号 最大结合部 - 环境热阻 Rθja 沟道 N P 典型值 最大值 62.5 62.5 单位 ℃/W ℃/W 备注 备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 2. 占空比≤1%。 ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE1 GATE1 SOURCE2 4 5 6 GATE2 DRAIN2 DRAIN2 7 DRAIN1 8 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM34600AA-N ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 备注： V Vds=24V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 30 1.0 20 Vgs=10V, Id=7A Vgs=4.5V, Id=6A Vds=5V, Id=7A 1.5 20.5 30.0 16 If=1A, Vgs=0V μA ±100 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1 1.3 V A 1 2.6 A 3 27.5 40.0 680 105 pF pF Crss 75 pF Qg 14.0 nC 2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A 1.9 3.3 nC nC 2 2 td(on) tr Vgs=10V, Vds=10V, Id=1A td(off) Rgen=3Ω 4.6 4.0 20.0 7.0 6.0 30.0 ns ns ns 2 2 2 5.0 8.0 ns 2 Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz tf 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 NIKO-SEM P5003QVG N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free 复合沟道 MOSFET ELM34600AA-N N-CHANNEL (N 沟道 ) ■标准特性曲线 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125°C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 4 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 1.4 DEC-19-2005 NIKO-SEM 复合沟道Enhancement MOSFET Mode N- & P-Channel Field Effect Transistor ELM34600AA-N 7-4 5 的英文版或日文版。 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM P5003QVG SOP-8 Lead-Free DEC-19-2005 复合沟道 MOSFET ELM34600AA-N ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 備考 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 备注： -1.0 -20 Vgs=-10V, Id=-5A Vgs=-4.5V, Id=-4A Vds=-5V, Id=-5A Qgs Qgd -1.5 37.5 62.0 13 If=-1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Crss Qg V Vds=-24V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -30 Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-10V td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω tf 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 μA ±100 nA -2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 -1 -1.3 V A 1 -2.6 A 3 45.0 80.0 780 145 pF pF 79 pF 15.1 nC 2 2.1 4.0 nC nC 2 2 7.7 5.7 20.0 11.5 8.5 30.0 ns ns ns 2 2 2 9.5 14.0 ns 2 NIKO-SEM P5003QVG N- & P-Channel Enhancement Mode 复合沟道 MOSFET Field Effect Transistor ELM34600AA-N SOP-8 Lead-Free ■标准特性曲线 (P 沟道 ) P-CHANNEL -Is - Reverse Drain Current(A) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V 10 1 25°C 0.1 -55°C 0.01 0.001 0 7-6 T A = 125°C 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.4 DEC-19-2005 10 Gate Charge Characteristics ID = -5A VDS = -5V -15V 6 4 f=1 MHz VGS=0V 1000 Ciss 800 600 400 Coss 200 2 0 0 5 10 Qg -Gate Charge(nC) 15 SOP-8 Lead-Free Capacitance Characteristics 1200 -10V 8 0 P5003QVG N- & P-Channel Enhancement 复合沟道 MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM34600AA-N Capacitance(pF) -VGS - Gate-to-Source Voltage(V) NIKO-SEM 20 Crss 0 5 10 15 -VDS ,Drain-to-Source Voltage(V) 7-7 7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 20 DEC-19-2005