elm34601aa

复合沟道 MOSFET
ELM34601AA-N
■概要
■特点
ELM34601AA-N 是低输入电容、低工
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。
N 沟道
·Vds=30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。
·Id=7A
·Id=-6A
·Rds(on) < 21mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V)
P 沟道
·Vds=-30V
·Rds(on) < 32mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
漏极 - 源极电压
Vds
30
-30
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±20
7
±20
-6
V
6
-5
28
2.0
-24
2.0
1.3
-55 ~ 150
1.3
-55 ~ 150
Ta=25℃
漏极电流（定常）
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj,Tstg
A
A
1
W
℃
■热特性
项目
记号
最大结合部 - 环境热阻
Rθja
沟道
N
P
典型值
最大值
62.5
62.5
单位
℃/W
℃/W
备注
备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
2. 占空比≤1%。
■引脚配置图
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
4
5
6
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
7
DRAIN1
8
DRAIN1
·N 沟道
·P 沟道
D1
G1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
G2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM34601AA-N
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
备注：
V
Vds=24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
30
0.8
28
Vgs=10V, Id=7A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=10V, Id=5A
1.5
14
21
8
If=1A, Vgs=0V
μA
±100
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1
3
V
A
1
6
A
3
21
32
1700
380
pF
pF
Crss
260
pF
Qg
40
nC
2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6A
28
12
nC
nC
2
2
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A
td(off) Rgen=6Ω
20
10
120
ns
ns
ns
2
2
2
35
15.5
7.9
ns
ns
nC
2
Qgs
Qgd
tf
trr
Qrr
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
If=5A, dlf/dt=100A/μs
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
N- & P-Channel Enhancement Mode
复合沟道
Field Effect MOSFET
Transistor
ELM34601AA-N
P2103NVG
SOP-8
Lead-Free
■标准特性曲线 (N 沟道 )
7-3
4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
MAY-21-2004
NIKO-SEM
复合沟道
MOSFET Mode
N- & P-Channel
Enhancement
Field
Effect Transistor
ELM34601AA-N
7-4
5 的英文版或日文版。
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM
P2103NVG
SOP-8
Lead-Free
MAY-21-2004
复合沟道 MOSFET
ELM34601AA-N
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 備考
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
备注：
-0.8
-24
Vgs=-10V, Id=-6A
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Vds=-10V, Id=-5A
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
-1.5
28
44
7
If=-1A, Vgs=0V
Crss
Qg
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-30
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
μA
±100
nA
-2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1
-3
V
A
1
-6
A
3
35
60
970
370
pF
pF
180
pF
28
nC
2
6
12
nC
nC
2
2
20
17
160
ns
ns
ns
2
2
2
75
15.5
7.9
ns
ns
nC
2
N- & P-Channel Enhancement Mode
复合沟道
Field Effect MOSFET
Transistor
ELM34601AA-N
P2103NVG
SOP-8
Lead-Free
■标准特性曲线 (P 沟道 )
7-6
6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
MAY-21-2004
NIKO-SEM
复合沟道
MOSFET Mode
N- & P-Channel
Enhancement
Field
Effect Transistor
ELM34601AA-N
7-7
7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P2103NVG
SOP-8
Lead-Free
MAY-21-2004