复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N ■概要 ■特点 ELM34604AA-N 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 65mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 105mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj,Tstg 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 40 -40 V ±20 7 6 ±20 -6 -5 V 20 2.0 1.3 -20 2.0 1.3 A -55 ~ 150 -55 ~ 150 A 1 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 沟道 N Rθja P 典型值 最大值 62.5 单位 ℃/W 62.5 ℃/W 备注 备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 2. 占空比≤1%。 ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 SOURCE1 2 3 4 GATE1 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=30V, Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 备注： V Vds=32V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 40 1.0 20 Vgs=10V, Id=7A Vgs=4.5V, Id=6A Vds=10V, Id=7A 1.5 21 30 19 If=Is, Vgs=0V μA ±100 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1 1.3 V A 1 2.6 A 3 28 42 790 175 pF pF Crss 65 pF Qg 16.0 nC 2 Vgs=10V, Vds=20V, Id=7A 2.5 2.1 nC nC 2 2 td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V, Id=1A td(off) Rgen=6Ω 2.2 7.5 11.8 4.4 15.0 21.3 ns ns ns 2 2 2 3.7 7.4 ns 2 Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz tf 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2804NVG N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N ■标准特性曲线 (N 沟道 ) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125° C Is - Reverse Drain Current(A) 10 -55° C 0.1 0.01 0.001 7-3 25° C 1 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 1.4 AUG-19-2004 NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode 复合沟道 MOSFET Field Effect Transistor ELM34604AA-N 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2804NVG SOP-8 Lead-Free 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 備考 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 备注： -1.0 -20 Vgs=-10V, Id=-5A Vgs=-4.5V, Id=-4A Vds=-10V, Id=-5A Qgs Qgd -1.5 50 80 11 If=Is, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Crss Qg V Vds=-32V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -40 Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω tf 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 μA ±100 nA -2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 -1 -1.3 V A 1 -2.6 A 3 65 105 690 310 pF pF 75 pF 14.0 nC 2 2.2 1.9 nC nC 2 2 6.7 9.7 19.8 13.4 19.4 35.6 ns ns ns 2 2 2 12.3 22.2 ns 2 N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P2804NVG SOP-8 Lead-Free 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N ■标准特性曲线 (P 沟道 ) -Is - Reverse Drain Current(A) 100 V GS = 0V 10 1 T A = 125° C 25° C -55° C 0.1 0.01 0.001 0 0.8 1.0 1.2 0.2 0.6 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AUG-19-2004 NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2804NVG SOP-8 Lead-Free