复合沟道 MOSFET ELM17600GA-S ■概要 ■特点 ELM17600GA-S 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=20V P 沟道 ·Vds=-20V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=0.9A(Vgs=4.5V) ·Id=-0.6A(Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 300mΩ(Vgs=4.5V)·Rds(on) < 550mΩ(Vgs=-4.5V) 另外、此芯片还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 350mΩ(Vgs=2.5V)·Rds(on) < 700mΩ(Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 450mΩ(Vgs=1.8V)·Rds(on) < 950mΩ(Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs ±8 0.90 0.70 ±8 -0.60 -0.48 V A 1 Idm 5 -3 A 2 Pd 0.30 0.19 0.30 0.19 W Tj,Tstg -55 ~ 150 -55 ~ 150 ℃ Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） Id 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 20 -20 V ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s Rθja 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 t≤10s 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 1 2 最大值 415 单位 N 400 460 ℃/W P 300 360 400 350 415 460 Rθja 稳定状态 Rθjl 300 350 备注 1 3 1 ℃/W 3 ■电路图 SC-70-6(俯视图) 5 典型值 360 Rθjl ■引脚配置图 6 沟道 4 3 引脚编号 1 引脚名称 SOURCE1 2 3 4 GATE1 DRAIN2 SOURCE2 5 6 GATE2 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 G2 S1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 S2 复合沟道 MOSFET ELM17600GA-S ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Ta=55℃ 0.90 V A Vgs=2.5V, Id=0.75A 181 253 237 300 330 350 317 2.6 450 0.69 1.00 V 0.4 A 120 pF 17 14 3 4 pF pF Ω 1.57 1.90 nC Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=0.5A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg μA 0.75 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 5 μA Vgs=1.8V, Id=0.7A Vds=5V, Id=0.8A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 25 Vgs=4.5V, Id=0.9A 漏极 - 源极导通电阻 20 0.50 5 Ta=125℃ Is 101 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg mΩ S 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.8A Qgd td(on) 0.13 0.36 3.2 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=5V, Vds=10V td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω tf 4.0 15.5 2.4 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 6.7 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 1.6 8.1 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃、将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上测试所得到的结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO7600 ELM17600GA-S ■标准特性曲线 (N 沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS N-Channel: TYPICAL ELECTRICAL 10 4 8V 10V Vds=5V 5V 8 3 6 3.5V 3V 4 25°C 125°C Id (A) Id (A) 4V 2 2.5V 1 Vgs=2V 2 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 480 Vgs=1.8V Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1.5 1.8 440 400 360 320 Vgs=2.5V 280 240 Vgs=4.5V 200 160 2 2.5 3 Vgs=1.8V 1.6 Vgs=2.5V Id=0.7A Id=0.75A 1.4 Vgs=4.5V 1.2 Id=0.9A 1 0.8 0 1 2 3 4 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 500 460 1E+00 420 125°C Id=0.9A 1E-01 380 340 Is (A) Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 300 1E-02 25°C 1E-03 260 25°C 220 1E-04 180 1E-05 140 1 2 3 4 5 6 7 0.0 8 0.4 0.8 1.2 1.6 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 2.0 AO7600 复合沟道 MOSFET ELM17600GA-S N-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 200 5 Vds=10V Id=0.9A Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 1 150 Ciss 100 Coss 50 0 0 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 10.0 Tj(max.)=150°C, Ta=25°C Rds(on) limited 16 100�s 10ms 10s 1 10 100 8 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=415°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 4 DC 0.0 0.1 15 12 1ms 0.1s 1s 0.1 10 10�s Power (W) 1.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000 复合沟道 MOSFET ELM17600GA-S ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-16V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Ta=55℃ -0.9 V A Vgs=-2.5V, Id=-0.5A 415 542 590 550 700 700 700 1.7 950 -0.86 -1.00 V -0.4 A 140 pF 17 14 12 17 pF pF Ω 1.44 1.80 nC Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=-0.5A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg μA -0.6 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 -5 μA Vgs=-1.8V, Id=-0.4A Vds=-5V, Id=-0.6A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 -1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) V ±10 Vgs=-4.5V, Id=-0.6A 漏极 - 源极导通电阻 -20 -0.5 -3 Ta=125℃ Is 114 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg mΩ S 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-0.6A Qgd td(on) 0.14 0.35 6.5 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=16.7Ω, Rgen=3Ω tf 6.5 18.2 5.5 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs 10 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs 3 13 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃、将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上测试所得到的结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO7600 ELM17600GA-S ■标准特性曲线 沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS P-Channel: TYPICAL (P ELECTRICAL 4 6 -6V -10V -4.5V -4V 3 125°C -3.5V -Id (A) -Id (A) 4 -3V 2 -2.5V 2 1 Vgs=-2.0V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1 1.5 900 1.6 700 Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V 800 Vgs=-2.5V 600 500 Vgs=-4.5V 400 2 2.5 3 3.5 4 4.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Rds(on) (m� ) 25°C Vds=-5V 300 Vgs=-1.8V Id=-0.4A 1.4 Vgs=-2.5V Id=-0.5A 1.2 Vgs=-4.5V Id=-0.6A 1 0.8 0 1 2 3 4 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+00 900 Id=-0.6A 800 1.0E-01 700 -Is (A) Rds(on) (m� ) 125°C 1.0E-02 125°C 600 500 1.0E-04 25°C 400 1.0E-05 300 1.0E-06 0 2 25°C 1.0E-03 4 6 8 10 0.0 0.4 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 AO7600 复合沟道 MOSFET ELM17600GA-S P-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 5 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 200 Vds=-10V Id=-0.6A 3 2 1 0 0.0 0.5 1.0 1.5 Ciss 150 100 Coss 50 0 2.0 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited -Id (Amps) 1ms 10�s 100�s 1s 10s 20 10 10ms 0.01 15 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 12 0.1s 0.10 10 14 Tj(max.)=150°C, Ta=25°C 1.00 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) 10.00 Crss DC 8 6 4 2 0 0.001 0.00 0.1 1 10 100 -Vds (Volts) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=415°C/W 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 0.01 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000