elm17600ga

复合沟道 MOSFET
ELM17600GA-S
■概要
■特点
ELM17600GA-S 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=20V
P 沟道
·Vds=-20V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=0.9A(Vgs=4.5V)
·Id=-0.6A(Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 300mΩ(Vgs=4.5V)·Rds(on) < 550mΩ(Vgs=-4.5V)
另外、此芯片还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 350mΩ(Vgs=2.5V)·Rds(on) < 700mΩ(Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 450mΩ(Vgs=1.8V)·Rds(on) < 950mΩ(Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
±8
0.90
0.70
±8
-0.60
-0.48
V
A
1
Idm
5
-3
A
2
Pd
0.30
0.19
0.30
0.19
W
Tj,Tstg
-55 ~ 150
-55 ~ 150
℃
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
20
-20
V
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
Rθja
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
t≤10s
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
1
2
最大值
415
单位
N
400
460
℃/W
P
300
360
400
350
415
460
Rθja
稳定状态
Rθjl
300
350
备注
1
3
1
℃/W
3
■电路图
SC-70-6(俯视图)
5
典型值
360
Rθjl
■引脚配置图
6
沟道
4
3
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE1
2
3
4
GATE1
DRAIN2
SOURCE2
5
6
GATE2
DRAIN1
·N 沟道
·P 沟道
D1
G1
G2
S1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
S2
复合沟道 MOSFET
ELM17600GA-S
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
0.90
V
A
Vgs=2.5V, Id=0.75A
181
253
237
300
330
350
317
2.6
450
0.69
1.00
V
0.4
A
120
pF
17
14
3
4
pF
pF
Ω
1.57
1.90
nC
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=0.5A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
μA
0.75
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
5
μA
Vgs=1.8V, Id=0.7A
Vds=5V, Id=0.8A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
25
Vgs=4.5V, Id=0.9A
漏极 - 源极导通电阻
20
0.50
5
Ta=125℃
Is
101
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
mΩ
S
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.8A
Qgd
td(on)
0.13
0.36
3.2
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=5V, Vds=10V
td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω
tf
4.0
15.5
2.4
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
6.7
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
1.6
8.1
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃、将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上测试所得到的结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO7600
ELM17600GA-S
■标准特性曲线
(N 沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS
N-Channel:
TYPICAL ELECTRICAL
10
4
8V
10V
Vds=5V
5V
8
3
6
3.5V
3V
4
25°C
125°C
Id (A)
Id (A)
4V
2
2.5V
1
Vgs=2V
2
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
480
Vgs=1.8V
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1.5
1.8
440
400
360
320
Vgs=2.5V
280
240
Vgs=4.5V
200
160
2
2.5
3
Vgs=1.8V
1.6
Vgs=2.5V
Id=0.7A
Id=0.75A
1.4
Vgs=4.5V
1.2
Id=0.9A
1
0.8
0
1
2
3
4
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
500
460
1E+00
420
125°C
Id=0.9A
1E-01
380
340
Is (A)
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
300
1E-02
25°C
1E-03
260
25°C
220
1E-04
180
1E-05
140
1
2
3
4
5
6
7
0.0
8
0.4
0.8
1.2
1.6
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
2.0
AO7600
复合沟道 MOSFET
ELM17600GA-S
N-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
200
5
Vds=10V
Id=0.9A
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
1
150
Ciss
100
Coss
50
0
0
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
10.0
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
Rds(on)
limited
16
100�s
10ms
10s
1
10
100
8
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=415°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
4
DC
0.0
0.1
15
12
1ms
0.1s
1s
0.1
10
10�s
Power (W)
1.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
复合沟道 MOSFET
ELM17600GA-S
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-16V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
-0.9
V
A
Vgs=-2.5V, Id=-0.5A
415
542
590
550
700
700
700
1.7
950
-0.86
-1.00
V
-0.4
A
140
pF
17
14
12
17
pF
pF
Ω
1.44
1.80
nC
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=-0.5A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
μA
-0.6
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
-5
μA
Vgs=-1.8V, Id=-0.4A
Vds=-5V, Id=-0.6A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
V
±10
Vgs=-4.5V, Id=-0.6A
漏极 - 源极导通电阻
-20
-0.5
-3
Ta=125℃
Is
114
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
mΩ
S
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-0.6A
Qgd
td(on)
0.14
0.35
6.5
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) RL=16.7Ω, Rgen=3Ω
tf
6.5
18.2
5.5
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs
10
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs
3
13
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃、将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上测试所得到的结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO7600
ELM17600GA-S
■标准特性曲线
沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS
P-Channel: TYPICAL (P
ELECTRICAL
4
6
-6V
-10V
-4.5V
-4V
3
125°C
-3.5V
-Id (A)
-Id (A)
4
-3V
2
-2.5V
2
1
Vgs=-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
900
1.6
700
Normalized On-Resistance
Vgs=-1.8V
800
Vgs=-2.5V
600
500
Vgs=-4.5V
400
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Rds(on) (m� )
25°C
Vds=-5V
300
Vgs=-1.8V
Id=-0.4A
1.4
Vgs=-2.5V
Id=-0.5A
1.2
Vgs=-4.5V
Id=-0.6A
1
0.8
0
1
2
3
4
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+00
900
Id=-0.6A
800
1.0E-01
700
-Is (A)
Rds(on) (m� )
125°C
1.0E-02
125°C
600
500
1.0E-04
25°C
400
1.0E-05
300
1.0E-06
0
2
25°C
1.0E-03
4
6
8
10
0.0
0.4
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
AO7600
复合沟道 MOSFET
ELM17600GA-S
P-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
200
Vds=-10V
Id=-0.6A
3
2
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
Ciss
150
100
Coss
50
0
2.0
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
-Id (Amps)
1ms
10�s
100�s
1s
10s
20
10
10ms
0.01
15
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
12
0.1s
0.10
10
14
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
1.00
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
10.00
Crss
DC
8
6
4
2
0
0.001
0.00
0.1
1
10
100
-Vds (Volts)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=415°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
Similar pages