elm35604ka

复合沟道 MOSFET
ELM35604KA-S
■概要
■特点
ELM35604KA-S 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=30V
P 沟道
·Vds=-30V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=8.5A
·Id=-7A
·Rds(on) < 21mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 32mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Id
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj,Tstg
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
30
-30
V
±20
±20
V
8.5
-7.0
7.0
50
3.0
-5.8
-50
3.0
2.1
-55 ~ 150
2.1
-55 ~ 150
A
A
1
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
Rθjc
沟道
N
N
Rθja
最大结合部 - 封装热阻
Rθjc
典型值
最大值
42
6
单位
℃/W
℃/W
P
42
℃/W
P
6
℃/W
备注
备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
2. 占空比≤1%。
■引脚配置图
■电路图
TO-252-4(俯视图)
TAB
1 2
3 4
·N 沟道
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE1
GATE1
3
4
TAB
SOURCE2
GATE2
DRAIN1/DRAIN2
·P 沟道
D1
G1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
G2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM35604KA-S
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
30
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
Vgs=10V, Id=8A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=10V, Id=8A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=3A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
0.8
50
1.5
17.5
24.0
13
μA
±100
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
1
21.0
32.0
1.2
1200
pF
180
160
pF
pF
Vgs=10V, Vds=15V, Id=8A
16
6
8
nC
nC
nC
2
2
2
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A
20
10
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) Rgen=3.3Ω
tf
trr
If=8A, dlf/dt=100A/μs
30
65
42
ns
ns
ns
2
2
30
nC
寄生二极管反向恢复电荷
备注:
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Qrr
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P2103ND5G
N- & P-Channel
Enhancement
复合沟道
MOSFET Mode
Field Effect Transistor_Preliminary
ELM35604KA-S
TO-252-5
Lead-Free
■标准特性曲线 (N 沟道 )
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25°C
1
-55°C
0.1
0.01
0.001
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
7-3
4 的英文版或日文版。
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM
Mar-01-2005
NIKO-SEM
复合沟道 MOSFET
N- & P-Channel Enhancement Mode
ELM35604KA-S
Field Effect
Transistor_Preliminary
7-4
5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
P2103ND5G
TO-252-5
Lead-Free
Mar-01-2005
复合沟道 MOSFET
ELM35604KA-S
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 備考
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-30
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
Vgs=-10V, Id=-7A
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Vds=-10V, Id=-7A
二极管正向压降
动态特性
Vsd
If=-3A, Vgs=0V
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss
Crss
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
-0.8
-50
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-7A
-1.5
28
46
10
μA
±100
nA
-2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
1
35
60
-1.2
970
pF
270
180
pF
pF
13
4
6
nC
nC
nC
2
2
2
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
22
12
ns
ns
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) Id=-1A, Rgen=3.3Ω
tf
trr
If=-7A, dlf/dt=100A/μs
32
75
55
ns
ns
ns
2
2
52
nC
寄生二极管反向恢复电荷
备注:
Qrr
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
NIKO-SEM
P2103ND5G
N- & P-Channel Enhancement Mode
复合沟道
MOSFET
Field Effect
Transistor_Preliminary
TO-252-5
Lead-Free
ELM35604KA-S
■标准特性曲线 (P 沟道 )
-Is - Reverse Drain Current(A)
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
10
1
0.1
T A = 125°C
25°C
-55°C
0.01
0.001
0
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.4
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
6
Mar-01-2005
NIKO-SEM
复合沟道 MOSFET
N- & P-Channel Enhancement Mode
ELM35604KA-S
Field Effect
Transistor_Preliminary
7-7
7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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TO-252-5
Lead-Free
Mar-01-2005
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