elm14800aa

双 N 沟道 MOSFET
ELM14800AA-N
■概要
■特点
ELM14800AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=6.9A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±12
V
6.9
5.8
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
40
2.00
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
1
A
2
W
1.44
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≦10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
48.0
最大值
62.5
单位
℃/W
74.0
110.0
℃/W
35.0
40.0
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
SOURCE2
2
3
4
GATE2
SOURCE1
GATE1
5
6
7
DRAIN1
DRAIN1
DRAIN2
8
DRAIN2
D2
D1
G2
G1
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM14800AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
V
A
Vgs=4.5V, Id=6A
22.6
33.0
27.0
27.0
40.0
32.0
42.0
16
50.0
0.71
1.00
V
3
A
1050
pF
110
80
1.24
3.60
pF
pF
Ω
9.60
12.00
nC
二极管正向压降
Vsd
Is=1A
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
μA
1.4
Gfs
Ciss
5.000
1.0
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
1.000
nA
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=5A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
0.002
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
100
Vgs=10V,Id=6.9A
漏极 - 源极导通电阻
30
0.7
25
Ta=125℃
12
Is
858
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
mΩ
S
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=6.9A
Qgd
td(on)
1.65
3.00
3.2
4.8
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
4.1
26.3
3.7
6.2
40.0
5.5
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
15.5
20.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
7.9
12.0
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
双 N 沟道 MOSFET
ELM14800AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
20
10V
3V
25
2.5V
Id (A)
Id (A)
20
Vds=5V
16
4.5V
15
10
Vgs=2V
12
8
125°C
4
5
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
60
2
2.5
3
1.7
Normalized On-Resistance
Vgs=2.5V
50
Rds(on) (m� )
1.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
40
Vgs=4.5V
30
20
Vgs=10V
10
0
5
10
15
1.6
Id=5A
1.5
Vgs=10V
Vgs=4.5V
1.4
1.3
Vgs=2.5V
1.2
1.1
1
0.9
0.8
20
0
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
70
60
1.0E+00
Id=5A
125°C
40
125°C
1.0E-01
50
Is Amps
Rds(on) (m� )
1
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
30
10
0
2
4
6
25°C
1.0E-05
25°C
20
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-06
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
4-3
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1.50
双 N 沟道 MOSFET
ELM14800AA-N
5
f=1MHz
Vgs=0V
1250
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=6.9A
3
2
Ciss
1000
1
750
500
Coss
250
0
0
2
4
6
8
10
0
12
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100.0
Power W
Id (Amps)
10ms
1s
DC
1
0.1
10
30
20
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
100
Vds (Volts)
10
20
10
10s
0.1
15
30
0.1s
1.0
10
40
100�s
1ms
10.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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