elm14822aa

双 N 沟道 MOSFET
ELM14822AA-N
■概要
■特点
ELM14822AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=8.5A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 26mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
30
±20
8.5
6.6
30
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
2.00
1.28
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
48.0
62.5
℃/W
74.0
35.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
GATE1
DRAIN1
6
7
8
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
D2
D1
G2
G1
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM14822AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
30
1
Ta=55℃
Gfs
Vsd
5
nA
1.8
3.0
V
A
Vgs=4.5V, Id=6A
13.4
20.0
21.0
16.0
25.0
26.0
Vds=5V, Id=8.5A
Is=1A, Vgs=0V
23
0.76
Vgs=10V,Id=8.5A
1.0
30
Ta=125℃
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qg
μA
100
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Rds(on)
V
mΩ
1.00
S
V
3
A
1250
pF
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
1040
180
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
110
0.70
0.85
pF
Ω
19.20
9.36
23.00
11.20
nC
nC
2.60
4.20
5.2
7.5
nC
nC
ns
4.4
17.3
3.3
6.5
25.0
5.0
ns
ns
ns
Vgs=10V, Vds=15V, Id=8.5A
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω
tf
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=8.5A, dlf/dt=100A/μs
16.7
21.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=8.5A, dlf/dt=100A/μs
6.7
10.0
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
双 N 沟道 MOSFET
ELM14822AA-N
■标准特性和热特性曲线
30
20
4V
10V
25
3.5V
Id (A)
20
Id (A)
Vds=5V
16
4.5V
15
10
12
125°C
8
13.4
Vgs=3V
4
5
0
22
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
26
0.76
3
2.5
16
3.5
4
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
26
1.6
24
Vgs=4.5V
22
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
25°C
20
18
16
Vgs=10V
14
12
Vgs=10V
Id=8.5A
1.4
Vgs=4.5V
1.2
1
10
0
5
10
15
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
50
1.0E+01
1.0E+00
Id=8.5A
1.0E-01
30
Is (A)
Rds(on) (m� )
40
125°C
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
1.0E-04
25°C
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
双 N 沟道 MOSFET
ELM14822AA-N
10
1250
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=8.5A
6
4
2
Ciss
1000
750
500
Coss
0
0
16
22
26
4
8
12
16
Crss
0
20
0
5
15
20
25
0.76
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
100�s
1ms
10.0
10�s
0.1s
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
0.1
10
D=T on/T
Tj,pk=T a+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0
0.001
100
Vds (Volts)
10
30
10
10s
0.1
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10ms
1.0
10
50
Rds(on)
limited
Power (W)
Id (Amps)
13.4
250
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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